GB/T 32816-2016硅基MEMS制造技术以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技术

以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthecombination

ofthedeepetchingandbondingprocess

2016-08-29发布2017-03-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32816—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

工艺流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片选择

4.2……………1

键合区制备

4.3…………………………1

玻璃片金属电极制备

4.4………………5

硅玻璃阳极键合

4.5-……………………8

深刻蚀结构释放

4.6……………………9

划片

4.7…………………11

工艺保障条件要求

5………………………11

人员要求

5.1……………11

环境要求

5.2……………11

设备要求

5.3……………12

原材料要求

6………………12

安全与环境操作要求

7……………………13

安全

7.1…………………13

化学试剂

7.2……………13

排放

7.3…………………13

检验

8………………………13

总则

8.1…………………13

硅片干法刻蚀结构释放关键工序检验

8.2……………13

最终检验

8.3……………14

GB/T32816—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准主要起草单位北京大学中机生产力促进中心大连理工大学北京青鸟元芯微系统科技有

:、、、

限公司

。

本标准主要起草人张大成杨芳李海斌王玮何军黄贤刘冲刘伟邹赫麟田大宇姜博岩

:、、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技术

以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范

1范围

本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行器件加工时应遵循的工艺要求

MEMS

和质量检验要求

。

本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

测量管理体系测量过程和测量设备的要求

GB/T19022

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

洁净厂房设计规范

GB50073

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T26111。

4工艺流程

41概述

.

以深刻蚀和键合为核心的工艺集成包括硅片键合区制备玻璃片金属电极制备硅玻璃阳极键合

、、-、

深刻蚀结构释放划片等部分其中关键工艺用表示

、,(G)。

42硅片选择

.

421硅片材料的选择如型或型轻掺杂或重掺杂电阻率等应结合所制造的器件的性能要求

..,np、、,

和后续工艺需求确定

。

422硅片晶面的选择应以后续的工艺选择为依据当后续工艺步骤中使用了氢氧化钾或四

.