标准解读

《GB/T 32277-2015 硅的仪器中子活化分析测试方法》是一项国家标准,该标准规定了使用仪器中子活化分析法测定硅材料中多种元素含量的方法。其主要内容包括:

  • 范围:适用于高纯度硅及其相关产品中杂质元素如钠、铝、磷、硫、氯、钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、镓、锗、砷、硒、银、镉、铟、锡、锑、碲、铅等的定量分析。

  • 原理:基于样品在核反应堆或加速器产生的热中子束流中被照射后,其中某些同位素会吸收一个中子而变成放射性同位素;这些放射性同位素衰变时放出γ射线或其他粒子,通过测量这些辐射的能量和强度来确定相应元素的存在及浓度。

  • 试剂与材料:详细列出了实验过程中所需的各种化学试剂(如稀释剂)、标准物质以及制备溶液所用到的水等要求。

  • 仪器设备:描述了进行本方法所需的专用装置,包括但不限于中子源、γ谱仪、多道分析系统等,并对每种设备的功能和技术参数提出了具体要求。

  • 样品处理:提供了从取样到最终样品制备整个流程的操作指南,强调了避免污染的重要性,并给出了推荐的最佳实践步骤。

  • 分析步骤:明确了如何设置实验条件(例如照射时间)、如何执行实际测量过程以及如何记录数据等方面的具体指导。

  • 结果计算:介绍了如何根据测得的数据计算出目标元素的含量,涉及到校正因子的应用、背景扣除等多个环节。

  • 精密度与准确度:讨论了影响测试结果可靠性的因素,并给出了一系列关于重复性和再现性的评价指标。

  • 报告:规定了完成分析后应包含哪些信息的标准格式,确保所有关键细节都被正确记录下来。

此标准旨在为从事半导体材料质量控制及相关研究领域的专业人士提供一套科学严谨、可操作性强的技术规范。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2015-12-10 颁布
  • 2017-01-01 实施
©正版授权
GB/T 32277-2015硅的仪器中子活化分析测试方法_第1页
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文档简介

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T32277—2015

硅的仪器中子活化分析测试方法

TestmethodforinstrumentalneutronactivationanalsisINAAofsilicon

y()

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32277—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位乐山乐电天威硅业科技有限责任公司中国原子能科学研究院新特能源股份有

:、、

限公司

本标准主要起草人李智伟张亚东张新姚淑银波邱艳梅

:、、、、、。

GB/T32277—2015

引言

中子活化分析是一种能够对多种材料进行多种元素的高灵敏度定量定性分析的方法特

(NAA)、。

别是在半导体工业中它被指定用于分析和评价高纯多晶硅用以生长半导体级硅单晶及硅片的原材

,(

料中的痕量元素污染光伏产业中硅原料需求的增长引发了更大规模的多晶硅生产和各种提纯硅原

)。,

料替代方法的研发用这些方法生产的硅材料在目前的文献资料中一般被称为太阳能级硅并具有多

。,

种形状如块状粉末状和颗粒状

,、。

随着多晶硅和太阳能级硅生产规模的扩大其质量控制也应加强而仪器中子活化分析是

,,(INAA)

可选方法之一仪器中子活化分析是一种直接对辐照样品实施分析的方法与之相比传统的放射化学

。,,

中子活化分析方法要将辐照后的样品进行化学分离除去干扰物质或者浓缩待检放射性同位

(RNAA),

素当前一些实验室通过使用不同的中子源辐照条件电子设备和制样方法实现了仪器中子活化分

。,、、,

析并将其应用于各种形态种类的硅样品硅的仪器中子活化分析方法的标准化将消除分析方法间的

,、。

差异从而建立一个通用的参考分析方法

,。

GB/T32277—2015

硅的仪器中子活化分析测试方法

1范围

11本标准规定了硅材料的仪器中子活化分析测试方法

.。

12本标准适用于化学气相沉积法或冶金提纯方法生产的硅材料的仪器中子活化分析分析样品可

.。

以是单晶硅多晶硅而多晶硅的形态可以是粉末颗粒块状或硅片

、,、、。

13本标准适用于材料的宏观成分分析如按本测试方法进行额外的样品制备并在样品抽取传送

.。,、

和制备过程中避免表面污染也可实现样品的表面或近表面区域分析

,。

14本测试方法仅适用于附录中所列痕量元素的热中子或超热中子活化分析

.A。

15本测试方法不适用于非晶硅薄膜多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析对于受到人为掺杂高浓度特

.、。

殊元素的硅样品也不属于本测试方法适用范围但在检查过掺杂对安全检测限和最小等待时间t的

,,、w0

影响之后该测试方法还是可能适用

,。

16本测试方法用于分析大范围的痕量元素见附录通常样品的辐照时间应比31的衰变寿命

.(A)。,Si

长而且应等辐照生成的31充分地衰变之后才能实施分析

,Si。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

化学试剂氢氟酸

GB/T620—2011(ISO6353-3:1987,NEQ)

化学试剂硝酸

GB/T626—2006(ISO6353-2:1983,NEQ)

电子级水

GB/T11446.1—2013

半导体材料术语

GB/T14264

电离辐射防护与辐射源安全基本标准

GB18871

氮气和液氮安全应用准则

GJB2253A—2008

危险化学品强制性国家标准实施手册

《》

致电离辐射测量用特性限值判断阈探测限值和置信区间限值的测定基本

ISO11929:2010

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