专业英语第二单元翻译

自动化专业英语教程教学课件P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器

A运算放大器1.课文内容简介：主要介绍专业基础课《模拟电子技术基础》中运算放大器的概念，放大倍数的计算方法，理想运放两个输入端“虚短路”和“虚断路”的概念。2.温习《模拟电子技术基础》中比例运算电路的分析方法。3.生词与短语amplifiern.

放大器integratedcircuit集成电路buildingblocks积木potentialn.(电)势cascaden.,v.

串联；adj.

串联的ontheorderof属于同类的，约为tradeoff换取cumbersomeadj.

麻烦的intrinsicadj.

内在的circuitryn.

电路P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器4.难句翻译

[1]Oneproblemwithelectronicdevicescorrespondingtothegeneralizedamplifiersisthatthegains,AUorAI,dependuponinternalpropertiesofthetwo-portsystem.对应于像广义放大器这样的电子装置，一个问题就是增益AU或者AI，它们取决于两输入端系统的内部特性。That作从属连接词，在句中没有实在意义，只起连接从句的作用，引导主语从句、宾语从句、同位语从句或表语从句。

[2]ThisisoneofthekeyfeaturesofOp-Ampdesign—theactionofthecircuitonsignalsdependsonlyupontheexternalelementswhichcanbeeasilyvariedbythedesignerandwhichdonotdependuponthedetailedcharacteroftheOp-Ampitself.这是运算放大器设计的重要特征之一——在信号作用下，电路的动作仅取决于能够容易被设计者改变的外部元件，而不取决于运算放大器本身的细节特性。

Which作关系代词用，用于限制性定语从句中，专指事物而言。5.参考译文A运算放大器

像广义放大器这样的电子器件存在的一个问题就是它们的增益AU或AI取决于双端口系统(、、RI、Ro等)的内部特性。器件之间参数的分散性和温度漂移给设计工作增加了难度。设计运算放大器或Op-Amp的目的就是使它尽可能的减少对其内部参数的依赖性、最大程度地简化设计工作。运算放大器是一个集成电路，在它内部有许多电阻、晶体管等元件。就此而言，我们不再描述这些元件的内部工作原理。运算放大器的全面综合分析超越了某些教科书的范围。在这里我们将详细研究一个例子，然后给出两个运算放大器定律并说明在许多实用电路中怎样使用这两个定律来进行分析。这两个定律可允许一个人在没有详细了解运算放大器物理特性的情况下设计各种电路。因此，运算放大器对于在不同技术领域中需要使用简单放大器而不是在晶体管级做设计的研究人员来说是非常有用的。P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器在电路和电子学教科书中，也说明了如何用运算放大器建立简单的滤波电路。作为构建运算放大器集成电路的积木—晶体管，将在下篇课文中进行讨论。

理想运算放大器的符号如图1-2A-1所示。图中只给出三个管脚：正输入、负输入和输出。让运算放大器正常运行所必需的其它一些管脚，诸如电源管脚、接零管脚等并未画出。图1-2A-1运算放大器在实际电路中使用运算放大器时，后者是必要的，但在本文中讨论理想的运算放大器的应用时则不必考虑后者。两个输入电压和输出电压用符号U

、U

和Uo

表示。每一个电压均指的是相对于接零管脚的电位。运算放大器是差分装置。差分的意思是：相对于接零管脚的输出电压可由下式表示

(1-2A-1)

式中A

是运算放大器的增益，U

和U

是输入电压。换句话说，输出电压是A乘以两输入间的电位差。

P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器集成电路技术使得在非常小的一块半导体材料的复合“芯片”上可以安装许多放大器电路。运算放大器成功的一个关键就是许多晶体管放大器“串联”以产生非常大的整体增益。也就是说，等式(1-2A-1)中的数A约为100,000或更多(例如，五个晶体管放大器串联，每一个的增益为10，那么将会得到此数值的A)。第二个重要因素是这些电路是按照流入每一个输入的电流都很小这样的原则来设计制作的。第三个重要的设计特点就是运算放大器的输出阻抗(Ro

)非常小。也就是说运算放大器的输出是一个理想的电压源。我们现在利用这些特性就可以分析图1-2A-2所示的特殊放大器电路了。首先，注意到在正极输入的电压U等于电源电压，即U=Us。各个电流定义如图1-2A-2中的b图所示。P1U2ATheOperationalAmplifier

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第一部分第二单元课文A运算放大器对图1-2A-2b的外回路应用基尔霍夫定律，注意输出电压Uo

指的是它与接零管脚之间的电位，我们就可得到

(1-2A-2)图1-2A-2运算放大器电路

因为运算放大器是按照没有电流流入正输入端和负输入端的原则制作的，即I=0。那么对负输入端利用基尔霍夫定律可得I1=I2，利用等式(1-2A-2)，并设I1=I2=I

，

U0=(R1+R2)I

(1-2A-3)

根据电流参考方向和接零管脚电位为零伏特的事实，利用欧姆定律，可得负极输入电压U

：因此U=IR1

，并由式(1-2A-3)可得：P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器

因为现在已有了U+

和U的表达式，所以式(1-2A-1)可用于计算输出电压，

综合上述等式，可得：

(1-2A-4)最后可得：

(1-2A-5a)这是电路的增益系数。如果A

是一个非常大的数，大到足够使AR1>>(R1+R2)，那么分式的分母主要由AR1项决定，存在于分子和分母的系数A

就可对消，增益可用下式表示

(1-2A-5b)P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器这表明，如果A

非常大，那么电路的增益与A

的精确值无关并能够通过R1和R2的选择来控制。这是运算放大器设计的重要特征之一——在信号作用下，电路的动作仅取决于能够容易被设计者改变的外部元件，而不取决于运算放大器本身的细节特性。注意，如果A=100,000，而(R1+R2)/R1=10，那么为此优点而付出的代价是用一个具有100,000倍电压增益的器件产生一个具有10倍增益的放大器。从某种意义上说，使用运算放大器是以“能量”为代价来换取“控制”。对各种运算放大器电路都可作类似的数学分析，但是这比较麻烦，并且存在一些非常有用的捷径，其涉及目前我们提出的运算放大器两个定律应用。

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第一部分第二单元课文A运算放大器P1U2ATheOperationalAmplifier

第一部分第二单元课文A运算放大器1)第一个定律指出：在一般运算放大器电路中，可以假设输入端间的电压为零，也就是说，2)第二个定律指出：在一般运算放大器电路中，两个输入电流可被假定为零：第一个定律是因为内在增益A的值很大。例，如果运算放大器的输出是1V，并且A=100,000,那么

()=105V

这是一个非常小、可以忽略的数，因此可设U+=U-。第二个定律来自于运算放大器的内部电路结构，此结构使得基本上没有电流流入任何一个输入端。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管

B晶体管1.课文内容简介：主要介绍专业基础课《模拟电子技术基础》中晶体三极管的概念，三极管放大电路的连接方法，三极管型号的命名与管角的判断方法。2.温习《模拟电子技术基础》中半导体二极管和双极型晶体管的相关内容。3.生词与短语transistorn.

晶体管semiconductorn.

半导体dopev.

掺入predominancen.

优势crystaln.

晶体germaniumn.

锗siliconn.

硅bipolaradj.

双向的leadn.

引线substitutionn.

代替detectorn.

探测器biasn.

偏压polarityn.

极性encompassv.

包含moreorless或多或少cylindricaladj.

圆柱形的cann.

密封外壳triangularadj.

三角的elongatev.

延长，拉长

P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管4.难句翻译[1]Putverysimplyasemiconductormaterialisonewhichcanbe“doped”toproduceapredominanceofelectronsormobilenegativecharges(N-type);or“holes”orpositivecharges(P-type).简单地说，半导体是这样一种物质，它能够通过“掺杂”来产生多余的电子，又称自由电子（N型）；或者产生“空穴”，又称正电子（P型）。one代替上文中刚提到过的单数可数名词；如果该名词是复数，就用ones代之。[2]TO1istheoriginaltransistorshape—acylindrical“can”withthethreeleadsemergingintriangularpatternfromthebottom.Lookingatthebase,theupperleadinthe“triangle”isthebase,theonetotheright(markedbyacolorspot)thecollectorandtheonetothelefttheemitter.TO1是最早的一种晶体管形状——即一个带有三个引脚的圆柱体“外罩”，这三个引脚在底部形成三角状。首先要注意的是，“三角形”上面的引脚是基极，其右面的引脚（由一个彩色点标出）为集电极，其左面的引脚为发射极。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管

with作“带有”、“具有”讲。若遇有with后的宾语接有现在分词、过去分词、形容词，有时甚至是副词，可称为with后带“主谓”关系，则整个with短语说明附带情况或交待细节。5.参考译文B晶体管简单地说，半导体是这样一种物质，它能够通过“掺杂”来产生多余的电子，又称自由电子（N型）；或者产生“空穴”，又称正电荷（P型）。由N型掺杂和P型掺杂处理的锗或硅的单晶体可形成半导体二极管，它具有我们描述过的工作特性。晶体管以类似的方式形成，就象带有公共中间层、背靠背的两个二极管，公共中间层是以对等的方式向两个边缘层渗入而得，因此中间层比两个边缘层或边缘区要薄的多。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管

PNP或NPN(图1-2B-1)这两种结构显然是可行的。PNP或NPN被用于描述晶体管的两个基本类型。因为晶体管包含两个不同极性的区域（例如“P”区和“N”区），所以晶体管被叫作双向器件，或双向晶体管。图1-2B-1晶体管的两个基本类型P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管因此晶体管有三个区域，并从这三个区域引出三个管脚。要使工作电路运行，晶体管需与两个外部电压或极性连接。其中一个外部电压工作方式类似于二极管。事实上，保留这个外部电压并去掉上半部分，晶体管将会象二极管一样工作。例如在简易收音机中用晶体管代替二极管作为检波器。在这种情况下，其所起的作用和二极管所起的作用一模一样。可以给二极管电路加正向偏置电压或反向偏置电压。在加正向偏置电压的情况下，如图1-2B-2所示的PNP晶体管，电流从底部的P极流到中间的N极。如果第二个电压被加到晶体管的顶部和底部两个极之间，并且底部电压极性相同，那么，流过中间层N区的电子将激发出从晶体管底部到顶部流过的电流。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管

1-2B-2PNP晶体管电路

在生产晶体管的过程中，通过控制不同层的掺杂度，经过负载电阻流过第二个电路电流的导电能力非常显著。实际上，当晶体管下半部为正向偏置时，底部的P区就像一个取之不竭的自由电子源（因为底部的P区发射电子，所以它被称为发射极）。这些电子被顶部P区接收，因此它被称为集电极，但是流过这个特定电路实际电流的大小由加到中间层的偏置电压控制，所以中间层被称为基极。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管因此，当晶体管外加电压接连正确（图1-2B-3）后工作时，实际上存在两个独立的“工作”电路。一个是由偏置电压源、发射极和基极形成的回路，它被称为基极电路或输入电路；第二个是由集电极电压源和晶体管的三个区共同形成的电路，它被称为集电极电路或输出电路。（注意：本定义仅适用于发射极是两个电路的公共端时——被称为共发射极连接。）图1-2B-3基极电路和集电极电路P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管这是晶体管最常见的连接方式，但是，当然也存在其它两种连接方法——共基极连接和共集电极连接。但是在每一种情况下晶体管的工作原理是相同的。本电路的特色是相对小的基极电流能控制和激发出一个比它大得多的集电极电流(或更恰当地说，一个小的输入功率能够产生一个比它大得多的输出功率)。换句话说，晶体管的作用相当于一个放大器。在这种工作方式中，基极-发射极电路是输入侧；通过基极的发射极和集电极电路是输出侧。虽然基极和发射极是公共路径，但这两个电路实际上是独立的，就基极电路的极性而言，基极和晶体管的集电极之间相当于一个反向偏置二极管，因此没有电流从基极电路流到集电极电路。要让电路正常工作，当然，加在基极电路和集电极电路的电压极性必须正确（基极电路加正向偏置电压，集电极电源的连接要保证公共端（发射极）的极性与两个电压源的极性相同）。这也就是说电压极性必须和晶体管的类型相匹配。在上述的PNP型晶体管中，发射极电压必须为正。因此，基极和集电极相对于发射极的极性为负。PNP型晶体管的符号在发射极上有一个指示电流方向的箭头，总是指向基极。（在PNP型晶体管中，“P”代表正）。P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管在NPN型晶体管中，工作原理完全相同，但是两个电源的极性正好相反（图1-2B-4）。也就是说，发射极相对于基极和集电极来说极性总是负的（在NPN型晶体管中，“N”代表负）。这一点也可以从NPN型晶体管符号中发射极上相反方向的箭头看出来，即，电流从基极流出。虽然现在生产的晶体管有上千种不同的型号，但晶体管各种外壳形状的数量相对有限，并尽量用一种简单码——TO（晶体管外形）后跟一个数字为统一标准。图1-2B-4NPN晶体管电路P1U2BTransistors第一部分第二单元课文B晶体管

TO1是一种最早的晶体管外壳——即一个在底部带有三个引脚的圆柱体“外罩”，这三个引脚在底部形成三角状。观看底部时，“三角形”上面的管脚是基极，其右面的管脚（由一个彩色点标出）为集电极，其左面的管脚为发射极。集电极引脚到基集引脚的间距也许比发射极到基集引脚的间距要大。

在其它TO外壳中，三个引脚可能有类似的三角形形状（但是基极、集电极和发射极