GB/T 29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

ICS31080013108030

;

L42....

中华人民共和国国家标准

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

半导体器件分立器件

第9部分绝缘栅双极晶体管IGBT

:()

Semiconductordevices—Discretedevices—

Part9Insulated-atebiolartransistorsIGBT

:gp()

(IEC60747-9:2007,IDT)

2012-12-31发布2013-06-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

半导体器件分立器件

第9部分绝缘栅双极晶体管IGBT

:()

GB/T29332—2012/IEC60747-9:2007

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100013)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

/p>

年月第一版

20135

*

书号

:155066·1-46864

版权专有侵权必究

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

目次

前言…………………………

Ⅴ

范围………………………

11

规范性引用文件…………………………

21

术语和定义………………

31

的图形符号…………………

3.1IGBT1

一般术语……………

3.21

额定值和特性的术语电压和电流………………

3.32

额定值和特性的术语其他特性…………………

3.44

文字符号…………………

46

通则…………………

4.16

补充的通用下标……………………

4.26

文字符号……………

4.36

基本额定值和特性………………………

57

额定值极限值……………………

5.1()7

特性…………………

5.28

测试方法…………………

610

通则…………………

6.110

额定值极限值试验………………

6.2()11

测量方法……………

6.319

接收和可靠性……………

734

一般要求……………

7.134

特殊要求……………

7.234

型式试验和例行试验………………

7.337

附录规范性附录集电极发射极击穿电压试验方法……………

A()-39

附录规范性附录在规定条件下电感性负载关断电流试验方法………………

B(),41

附录规范性附录正偏安全工作区………

C()FBSOA43

附录规范性附录管壳不破裂………………………

D()47

参考文献……………………

48

图集电极发射极电压VVV试验电路……………………

1-CES、CER、CEX11

图栅极发射极电压V试验电路…………………

2-±GES12

图集电极电流试验电路………………

313

图集电极峰值电流试验电路…………

414

图反偏安全工作区试验电路………………

5(RBSOA)14

Ⅰ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

图关断期间的栅极发射极电压V和集电极电流I波形…………

6-GEC15

图负载短路时安全工作脉冲宽度试验电路……………

7(SCSOA1),16

图负载短路期间的栅极发射极电压V集电极电流I和集电极电压V波形…

8(SCSOA1)-GE、CCE16

图短路安全工作区试验电路…………

92(SCSOA2)17

图期间的波形……………

10SCSOA218

图集电极发射极维持电压V*测量电路………

11-CEsus19

图集电极电流的运行轨迹……………

1220

图集电极发射极饱和电压V测量电路…………

13-CEsat21

图栅极发射极阈值电压基本测量电路……………

14-21

图集电极截止电流测量电路…………

1522

图栅极漏电流测量电路………………

1623

图输入电容测量电路…………………

1724

图输出电容测量电路…………………

1825

图反向传输电容测量电路……………

1926

图栅极电荷测量电路…………………

2026

图栅极电荷基本波形…………………

2127

图短路栅极内阻测量电路……………

2228

图开通期间的各时间间隔和开通能量测量电路……………………

2329

图开通期间的电流电压波形………………………

24、29

图关断期间的各时间间隔和关断能量测量电路……………………

2530

图关断期间的电流电压波形………………………

26、30

图小测量电流I下V随温度变化和大电流I加热被测器件的测量电路……………

27C1CEC2DUT31

图小测量电流I下V随管壳温度T外加热即TT时的典型变化……

28C1CEc(,c=j)32

图热阻和瞬态热阻抗测量电路方法……………

29(2)33

图小测量电流I下V随管壳温度T外加热即TT时的典型变化…

30C1GE(th)c(,c=j)33

图IV和T与时间的关系………………………

31C、GEc34

图高温阻断试验电路…………………

3235

图高温栅极偏置试验电路……………

3336

图间歇工作寿命试验电路……………

3436

图期望循环次数与温升T的关系…………………

35Δj37

图集电极发射极击穿电压试验电路………………

A.1-39

图电感性负载关断电流试验电路…………………

B.141

图关断期间集电极电流I和集电极电压V波形……………

B.2,CCE41

图试验电路方法………………………

C.1FBSOA(1)43

图V与集电极发射极电压V的典型特性……………………

C.2ΔCE-CE44

图典型……………………

C.3FBSOA44

图试验电路方法………………………

C.4FBSOA(2)45

Ⅱ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

图闭锁模式运行波形………………

C.545

图闭锁模式伏安特性………………

C.645

表接收判定特性………………………

111

表耐久性和可靠性试验接收判定特性………………

235

表最少的型式试验和例行试验项目适用时………

3()37

Ⅲ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

前言

半导体器件分立器件系列国家标准的预计结构如下

《》:

第部分总则

———1:(GB/T17573—1998,idtIEC60747-1:1983);

第部分整流二极管及其修正案和修正

———2:(GB/T4023—1997,eqvIEC60747-2:19831:1992

案

2:1993);

第部分信号包括开关和调整二极管

———3:()(GB/T6571—1995,idtIEC60747-3:1985);

第部分微波器件

———4:(GB/T20516—2006,IEC60747-4:2001,IDT);

第部分光电子器件总则

———5-1:(IEC60747-5-1:2002);

第部分晶闸管及其修正案

———6:(GB/T15291—1994,eqvIEC60747-6:19831:1991);

第部分双极型晶体管

———7:(GB/T4587—1994,idtIEC60747-7:1988);

第部分场效应晶体管

———8:(GB/T4586—1994,idtIEC60747-8:1984);

第部分绝缘栅双极晶体管

———9:(IEC60747-9:2007);

第部分分立器件和集成电路总规范

———10:(GB/T4589.1—2006,IEC60747-10:1991,IDT);

第部分分立器件分规范

———11:(GB/T12560—1999,idtIEC60747-11:1985);

第部分半导体传感器总则和分类

———14-1:(GB/T20521—2006,IEC60747-14-1:2000,IDT);

第部分绝缘功率半导体器件

———15:(IEC60747-15:2010);

第部分基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容性耦合

———17:(IEC/PAS60747-17:2011)。

本标准为半导体器件分立器件系列国家标准的第部分

《》9。

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准使用翻译法等同采用半导体器件分立器件第部分绝缘栅双极晶

IEC60747-9:2007《9:

体管

》。

与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

半导体器件分立器件和集成电路第部分整流二极管

———GB/T4023—19972:

及其修正案和修正案

(eqvIEC60747-2:19831:19922:1993)

半导体器件第部分晶闸管及其修正案

———GB/T15291—19946:(eqvIEC60747-6:19831:

1991)

半导体器件第部分总则

———GB/T17573—19981:(idtIEC60747-1:1983)

本标准做了下列编辑性修改和勘误

:

和三条术语的定义中在文字端后面增加电极二字

———3.2.5、3.2.63.2.7,“……”“()”;

结温的文字符号T统一为T

———vjj;

栅极发射极电压的第二个下标统一为

———-“E”;

规定条件中温度条件的位置统一为列项

———“”,1;

为突出被测受试器件相应的用被测受试器件的英文缩略语代替

———(),IGBT()DUT;

中补充了遗漏的电压文字符号V

———,CEXsus;

在中增加如下说明

———:

其中y小信号共发射极短路输入导纳

“,ie———;

y小信号共发射极短路输出导纳

oe———”;

和中补充了测量频率的文字符号f

———、,;

中yωC更正为ωCyyωC更正为ωCy

———,“|ie|≫1”“1≫|ie|”,“|os|≫2”“2≫|oe|”;

Ⅴ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

图图题中的I更正为I

———30“C2”“C1”;

中列项下面的三个列项按二级列项处理

———A.4,2。

本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本标准起草单位西安电力电子技术研究所西安爱帕克电力电子有限公司英飞凌科技中国有

:、、()

限公司威海新佳电子有限公司江苏宏微科技有限公司

、、。

本标准主要起草人蔚红旗张立陈子颖乜连波王晓宝秦贤满

:、、、、、。

Ⅵ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007