标准解读

《GB/T 29195-2012 地面用晶体硅太阳电池总规范》是中国国家标准之一，旨在为地面使用的晶体硅太阳电池提供一套统一的技术要求与测试方法。该标准适用于单晶硅和多晶硅太阳电池的制造、销售以及应用领域，确保产品性能符合特定的质量和技术指标。

标准首先定义了相关术语和定义，包括但不限于晶体硅太阳电池的基本构成部分及其工作原理等基础概念，为后续内容的理解奠定基础。接着，对晶体硅太阳电池的外观质量提出了具体要求，比如表面应平整光滑无明显缺陷；同时明确了电气性能参数如最大功率点电压（Vmp）、电流（Imp）及转换效率等关键指标范围，以保证产品的基本效能。

此外，《GB/T 29195-2012》还详细规定了一系列严格的测试条件与方法，用于评估晶体硅太阳电池在不同环境下的稳定性和耐久性。这其中包括但不限于光照强度变化下的性能测试、温度循环试验、湿热试验等，通过模拟实际使用中可能遇到的各种极端情况来检验产品的可靠性。

对于安全方面，本标准也给予了高度重视，特别强调了防火阻燃性能的重要性，并设定了相应的测试项目。另外，还涉及到电磁兼容性方面的考量，确保晶体硅太阳电池不会对周围电子设备产生干扰或受到外界信号的影响而降低工作效率。

最后，标准还包含了关于包装、标志、运输及储存等方面的指导原则，以保障晶体硅太阳电池从生产到最终用户手中的全过程都能得到妥善处理，避免因不当操作而导致的产品损坏或性能下降。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-12-31 颁布
  • 2013-06-01 实施
©正版授权
GB/T 29195-2012地面用晶体硅太阳电池总规范_第1页
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文档简介

ICS27160

K83.

中华人民共和国国家标准

GB/T29195—2012

地面用晶体硅太阳电池总规范

Generalspecificationofcrystallinesiliconterrestrialsolarcells

2012-12-31发布2013-06-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T29195—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC90)。

本标准起草单位无锡尚德太阳能电力有限公司

:。

本标准主要起草人李华陈如龙汪义川梁哲杨林张光春施正荣

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29195—2012

地面用晶体硅太阳电池总规范

1范围

本标准规定了地面用晶体硅太阳电池的技术要求试验方法检验规则标志包装储存和运输

、、、、、。

本标准适用于地面用单晶硅太阳电池和地面用多晶硅太阳电池以下简称电池

()。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

包装储运图示标志

GB/T191(GB/T191—2008,ISO780:1997,MOD)

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20031:(AQL)

计划

(ISO2859-1:1999,IDT)

周期检验计数抽样程序及表适用于对过程稳定性的检验

GB/T2829()

光伏器件第部分光伏电流电压特性的测量

GB/T6495.1—19961:-(idtIEC60904-1:1987)

光伏器件第部分地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据

GB/T6495.3—19963:

(idtIEC60904-3:1989)

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

微电子技术用贵金属浆料测试方法可焊性耐焊性测定

GB/T17473.7—2008、

晶体硅光伏器件的实测特性的温度和辐照度修正方法

IEC60891Ⅰ-Ⅴ(Photovoltaicdevices

ProceduresfortemperatureandirradiancecorrectionstomeasuredⅠ-Ⅴcharacteristics)

胶带试验测定粘合性的方法

ASTMD3359(Standardtestmethodsformeasuringadhesionby

tapetest)

太阳电池用硅片规范

SEMIPV22(Specificationforsiliconwafersforuseinphotovoltaicsolar

cells)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

钝形缺口obtusenick

缺口形状呈现为沿边缘平缓过渡并不向中心深入的状态

,。

32

.

V形缺口V-typenick

缺口形状呈现为向中心尖锐深入的形状类似字母

,“V”。

33

.

基体材料s

人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

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