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  • 2012-12-31 颁布
  • 2013-10-01 实施
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文档简介

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T29055—2012

太阳电池用多晶硅片

Multi-crystallinesiliconwaferforsolarcell

2012-12-31发布2013-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

太阳电池用多晶硅片

GB/T29055—2012

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100013)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

/p>

年月第一版

20134

*

书号

:155066·1-46637

版权专有侵权必究

GB/T29055—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位江西赛维太阳能高科技有限公司宁波晶元太阳能有限公司无锡尚德太

:LDK、、

阳能电力有限公司

。

本标准主要起草人万跃鹏唐骏孙世龙游达朱华英刘林艳段育红

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29055—2012

太阳电池用多晶硅片

1范围

本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义符号及缩略语产品分类技术要求试验方法检

、、、、、

测规则以及标志包装运输贮存等

、、、。

本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划

GB/T2828.11:(AQL)

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

半导体材料术语

GB/T14264

太阳能级铸造多晶硅块

GB/T29054

用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法

SEMIMF1535

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

密集线痕densesawmark

硅块切割时在硅片表面留下的密集型划痕

,。

4外形尺寸分类

太阳电池用多晶硅片的规格系列见表在表中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商

1,1。

表1太阳电池用多晶硅片规格系列

外形尺寸

/mm125×125156×156

160

硅片厚度180

/μm

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