标准解读

《GB/T 28854-2012 硅电容式压力传感器》是针对硅电容式压力传感器制定的一项国家标准。该标准规定了这类传感器的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容,适用于基于硅材料并通过电容变化来测量压力的传感器产品。

在技术要求部分,明确了传感器的基本性能指标如测量范围、精度等级、工作温度范围等,并对环境适应性提出了具体要求,确保产品能在预期的工作条件下稳定可靠地运行。此外,还定义了一些关键术语,为行业内交流提供了统一的语言基础。

试验方法章节详细描述了如何通过一系列测试验证传感器是否符合上述技术规格,包括但不限于静态特性测试(如零点输出、满量程输出)、动态响应特性测试及耐久性实验等。这些测试旨在全面评估产品的性能表现及其长期使用的可靠性。

检验规则方面,则指出了从原材料进厂到成品出厂整个生产过程中应遵循的质量控制流程,包括抽样方案、合格判定条件等内容,保证每一批次的产品都能达到既定标准。

对于标志、包装、运输和贮存的要求,则是从用户角度出发,确保产品能够安全到达客户手中并在适宜条件下保存,直至使用前仍保持良好状态。例如,包装上需清晰标注型号规格、生产日期等信息;运输过程中要避免强烈震动或冲击;储存时要注意防潮防晒等。

该标准为硅电容式压力传感器的设计、制造、销售和服务提供了一个系统的指导框架,有助于提升产品质量,促进相关行业健康发展。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-11-05 颁布
  • 2013-02-15 实施
©正版授权
GB/T 28854-2012硅电容式压力传感器_第1页
GB/T 28854-2012硅电容式压力传感器_第2页
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GB/T 28854-2012硅电容式压力传感器_第5页
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文档简介

ICS17100

N11.

中华人民共和国国家标准

GB/T28854—2012

硅电容式压力传感器

Siliconcapacitivepressuresensor

2012-11-05发布2013-02-15实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T28854—2012

目次

前言…………………………

范围………………………

11

规范性引用文件…………………………

21

术语和定义………………

31

分类与命名………………

42

分类…………………

4.12

命名…………………

4.22

基本参数…………………

52

测量范围量程……………………

5.1()2

工作压力……………

5.22

工作温度范围………………………

5.33

要求………………………

63

产品技术条件详细规范…………

6.1()3

基本性能……………

6.23

静态性能……………

6.34

稳定性………………

6.45

温度影响……………

6.55

过载适用时………………………

6.6()5

静压…………………

6.76

环境性能……………

6.86

疲劳寿命适用时…………………

6.9()6

试验方法…………………

77

环境条件……………

7.17

试验前准备…………………………

7.27

基本性能……………

7.37

静态性能……………

7.48

稳定性………………

7.510

温度影响……………

7.610

过载…………………

7.710

静压…………………

7.810

环境性能……………

7.911

疲劳寿命…………………………

7.1013

检验规则…………………

813

检验分类……………

8.113

出厂检验……………

8.213

型式检验……………

8.314

GB/T28854—2012

标志包装运输及贮存…………………

9、、15

产品标志……………

9.115

包装…………………

9.215

运输…………………

9.316

贮存…………………

9.416

附录规范性附录传感器性能指标的计算方法……………………

A()17

实际工作特性……………………

A.117

参比工作直线……………………

A.217

满量程输出Y…………………

A.3(FS)18

非线性ξ………………………

A.4(L)19

迟滞ξ…………………………

A.5(H)19

重复性ξ………………………

A.6(R)19

准确度ξ…………………………

A.7()20

零点漂移d……………………

A.8(z)21

零点长期稳定性r……………

A.9(z)22

满量程输出漂移r……………

A.10(F)22

热零点漂移α…………………

A.11()22

热满量程输出漂移β…………

A.12()22

振动对传感器零点影响Z……………………

A.13(0)23

GB/T28854—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由中国机械工业联合会提出

本标准由中国机械工业联合会归口

本标准起草单位沈阳仪表科学研究院传感器国家工程研究中心国家仪器仪表元器件质量监督

:、、

检验中心浙江中控仪表有限公司吉林化工集团仪表有限责任公司中国仪器仪表协会传感器分会中

、、、、

国仪器仪表学会仪表元件分会

本标准主要起草人张治国刘沁李颖匡石徐秋玲于振毅丁云卢宏刘剑张娜刘波殷波

:、、、、、、、、、、、。

GB/T28854—2012

硅电容式压力传感器

1范围

本标准规定了硅电容式压力传感器的术语和定义分类与命名基本参数要求试验方法检验规

、、、、、

则及标志包装运输及贮存

、、。

本标准适用于硅电容式压力传感器以下简称传感器

()。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

包装储运图示标志

GB/T191—2008

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验低温

GB/T2423.1—20082:A:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验高温

GB/T2423.2—20082:B:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验恒定湿热试验

GB/T2423.3—20062:Cab:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GB/T2423.5—19952:Ea:

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验振动正弦

GB/T2423.10—20082:Fc:()

电工电子产品环境试验

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