标准解读

《GB/T 7666-2005 传感器命名法及代码》与《GB/T 7666-1987》相比,在多个方面进行了修订和更新,以更好地适应技术发展和市场需求。新版本标准中增加了对新型传感器类型的定义,反映了自1987年以来传感器领域内发生的显著变化。此外,对于传感器的分类体系也有所调整,使得分类更加科学合理,便于用户根据实际需要快速定位到所需产品。

在编码规则上,《GB/T 7666-2005》提出了更为详细且灵活的编码方法,不仅能够涵盖更多种类的传感器,还提高了编码信息量,增强了编码系统的可扩展性。同时,针对某些特定类型或应用场合下的特殊要求,《GB/T 7666-2005》引入了新的标识符来区分这些特殊情况,进一步提升了标准适用范围内的全面性和准确性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2005-07-29 颁布
  • 2006-02-01 实施
©正版授权
GB/T 7666-2005传感器命名法及代码_第1页
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文档简介

ICS17.020N05中华人民共和国国家标准GB/T7666-一2005代替GB/T7666-1987传感器命名法及代码Nomenclatureandcodefortransducers2005-07-29发布2006-02-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会

GB/T7666-2005目次前言:范围2传感器命名方法3传感器代号标记方法传感器代号附录A(资料性附录)传感器产品名称与标记代号对照表

GB/T7666—2005本标准沿袭了GB/T7666-1987的结构本标准代替GB/T7666-1987.本标准与GB/T7666—1987相比主要变化如下:“)2.1.5括号中"灵墩度”修改为“精度”。b)2.2.3中"简化表征“修改为"命名”C)3中"…拼音字母和阿拉伯数字……"修改为"……拼音字母(或国际通用标志)和阿拉伯数字·.··.”。3.1中增加"注:代号标记方法按2.2.3执行”3.2.2中"……依此类推。当被测量·…“修改为"…·依此类推。e)当被测量有国际通用标志时,应采用国际通用标志。当被测量……"。表2中删除被测量”表]压”、"差J压”、"绝J压”及其它们的代号。表2中被测量"速度”的代号修改为"V"表2中被测量"声"的代号修改为"SH”表2中被测量"血压”的代号修改为"XY"附录A中删除产品名称"表压传感器”、"差压传感器”、“绝压传感器"及其标记代号。k)附录A中"速度传感器"标记代号修改为"CV-”;磁电式速度传感器”标记代号修改为"CVCD-";"光纤速度传感器”标记代号修改为"CV-GX-”。附录A中"声传感器”标记代号修改为"CSH-"附录A中"pH值传感器”修改为"pH传感器”附录A中"血压传感器”标记代号修改为"C「XTY-":"应变「计式血压传感器”标记代号修改为"CLXJY-YB-":"压阻式血压传感器"标记代号修改为"CLXJY-YZ-","光纤式血压传感器”标记代号修改为"C[XJY-GX-"。本标准的附录A为资料性附录。本标准由仪器仪表元器件标准化技术委员会提出并归口本标准由沈阳仪表科学研究院负责起草,大连理工大学、清华大学、华中科技大学、长春应用化学研究所、信息产业部电子第四十九所、中国科学院合肥智能研究所等参加起草,本标准主要起草人:赵忠诚、李妍君、唐祯安、周兆英、廖延彪、任想、王玉江、王善慈、虞承端、林洪孙仁涛本标准所代替标准的历次版本发布情况为:-GB/T7666-1987。

GB/T7666—2005传感器命名法及代码范围本标准规定了传感器的命名方法、代号标记方法、代号本标准适用于传感器的生产、科学研究、教学以及其他有关领域2传感器命名方法2.1命名法的构成-种传感器产品的名称,应由主题词加四级修饰语构成2.1.1主题词-专感器2.1.2第一级修饰语-被测量,包括修饰被测量的定语、2.1.3第二级修饰语-转换原理,一般可后续以"式”字。2.1.4第三级修饰语--特征描述.指必须强调的传感器结构、性能、材料特征、敏感元件以及其他必要的性能特征,一般可后续以“型”字。2.1.5第四级修饰语主要技术指标(量程、测量范围、精度等)2.2命名法范例2.2.1题目中的用法本命名法在有关传感器的统计表格、图书索引、检索以及计算机汉字处理等特殊场合.应采用2.1所规定的顺序。示例1:传感器,位移,应变计式.100mm;主:内的词,在不引起混滑时,可省略(下同)示例2:传感器,声压,电容式,100~160dB;示例3:传感器,加速度,压电式,±20g示例4:传感器,压力,压阻式,单品】硅,600kPa:示例5:传感器,差压.谐振式.智能型.35kPa.2.2.2正文中的用法在技术文件、产品样本、学术论文、教材及书刊的陈述句子中.作为产品名称应采用与2.1相反的顺序。示例1:100mmm应变式位移传感器;示例2:100~160dB电容式声压传感器:示例3:±20g压电式加速度传感器;示例4:600kPaC单品硅压阻式压力传感器;示例5:35kPa智能型谐

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