标准解读

《GB/T 18210-2000 晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量》这一标准规范了晶体硅光伏方阵在实际工作环境下I-V特性(电流-电压特性)的测量方法和要求。然而,您提供的对比对象不完整,我无法直接指出与某一特定标准相比的具体变更内容。但可以一般性地说明,当一个标准更新或与另一个标准相对比时,变更可能涉及以下几个方面:

  1. 测量技术与设备更新:新标准可能会引入更先进的测量技术和设备要求,以提高测量精度和效率,比如采用更精密的数据采集系统、改进的传感器技术等。

  2. 测试程序与方法优化:可能会对方阵的预处理条件、测试环境的控制标准、测试步骤的详细说明进行调整,以确保测试结果的可重复性和准确性。

  3. 数据分析与处理:新标准可能会提供新的数据分析方法,包括统计处理、误差分析的指导原则,以及如何正确解释I-V曲线的细节变化。

  4. 安全与环保要求:随着行业对安全和环境保护意识的增强,新标准可能会增加关于测试操作中的安全措施和环境保护要求。

  5. 适用范围调整:可能对方阵的类型、尺寸、工作环境等适用范围做出更明确或扩展的定义,以覆盖更多类型的晶体硅光伏产品。

  6. 术语与定义更新:为了与国际标准或行业最新发展保持一致,标准中的专业术语和定义可能会被修订或新增。

  7. 合规性与认证要求:可能会对测试报告的格式、内容要求及认证流程做出明确规定,以增强结果的国际认可度和可比性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2000-10-17 颁布
  • 2001-05-01 实施
©正版授权
GB/T 18210-2000晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量_第1页
GB/T 18210-2000晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量_第2页
GB/T 18210-2000晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量_第3页
GB/T 18210-2000晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量_第4页
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文档简介

ICS27.160K83中华人民共和国国家标准GB/T.18210-2000idtIrc61829:1995°晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现场测量Crystallinesiliconphotovoltaic(PV)arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics2000-10-17发布2001-05-01实施国家质量技术监督局发布

GB/T18210-2000目次前言IEC前言范围和目的引用标准33测量方法(方法A和B)投设备45程序6准确度附录A(提示的附录)术语

GB/T18210-2000本标准等同采用IEC61829:1995《品体硅光伏(PV)方阵T-V特性的现场测量》。本标准是太阳光伏能源系统中一项基础标准.所使用的名词术语与有关标准协调一致在与IEC/TC82秘书处交换意见之后,本标准对IEC61829:1995中错误作如下修正:1.“辐照度"和“辐照度G"统一用符号"G"表示;2.用术语“标准光伏器件“代替“标准器件“和“标准PV器件"。术语“标准光伏器件“的定义列于附永中。3.对不同场合测得的开路电压Voc加以编号:4:"T"和"了”统一为"T,”。5.在5.1a)测量组件背表面中心温度时,增加一个限定条件靠近电池处、本标准的附录A是提示的附录。本标准由中华人民共和国信息产业部提出。本标准由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会归口本标准起草单位:信息产业部电子第十八研究所、秦皇岛市华美光电设备总公司本标准主要起草人:由志德、李涛勇。

GB/T18210-2000IEC前言1)IEC(国际电工委员会)是由各国家电工委员会(IEC国家委员会)组成的世界性标准化组织IC的目的是促进电工电子领域标准化问题的国际合作。为此目的.除其他活动外,IEC发布国际标准国际标准的制定由技术委员会承担,对所涉及内容关切的任何IEC国家委员会均可参加国际标准的制定工作。与IC有联系的任何国际,政府和非官方组织也可以参加国际标准的制定。IEC与国际标准化组织(ISO)根据两组织间协商确定的条件保持密切的合作关系,2)IEC在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的.对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。3)这些决议或协议以标准、技术报告或导则形式发布·以推荐的形式供国际上使用·并在此意义上,为各国家委员会认可。4)为了促进国际上的统一,各IEC国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能采用IEC标准。IEC标准与相应国家或地区标准之间的任何差异应在国家或地区标准中指明,国际标准IEC61829由IEC第82技术委员会(太阳光伏能源系统)制定。本标准文本以下列文件为依据:DIS(国际标准草案)表决报告82(C0)3682(C0)61表决批准本标准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅附录A为提示的附录.

中华人民共和国国家标准晶体硅光伏(PV)方阵GB/T18210-2000I-V特性的现场测量idtIEC61829:1995Crystallinesiliconphotovoltaic(PV)arrayOn-sitemeasurementof/-Vcharacteristics范范围和目的本标准描述品体硅光伏方阵特性的现场测量及将测得的数据外推到标准测试条件(STC)或其他选定的温度和辐照度条件下的程序。光伏方阵在实际现场条件下的7V特性测量及其验收测试条件(ATC)下的外推值·能够提供(参见附录A和IECQQC001002):a)功率额定值的数据:b)验证已安装的方阵功率性能是否符合设计规范:)检测现场组件特性与实验室或工厂测量之间的差异;d)检测组件和方阵相对于现场初期数据的性能衰降。对于某一个组件.现场测量经外推到标准测试条件(STC)的数据.可以直接与先前在实验室和工厂得到的结果相比较。条件是两者测量中使用的标准光伏器件具有相同的光谱响应和相同的空间分布响应。参见GB/T6495(或IEC60904)的相应标准。由于现场方阵测量的数据包括了二极管、电缆以及失配损失。因此,它们不可直接同各组件数据之和相比较。如如果一个光伏方阵是由不同仰角、方位角、工艺、电气结构的若干个子方阵组成.这里描述的程序将只适用于每一个光伏子方阵引用标准下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时·所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。IEC和ISO成员国要备有现行有效的国际标准的目录。GB/T6495.1—1996光伏器件第1部分:光伏电流—电压特性的测量(idtIEC60904-1:1987)GB/T6495.2—1996光伏器件第2部分:标准太阳电池的要求(idtIEC60904-2:1989)GB/T6495.3—1996光伏器件第3部分:地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据(idtIEC60904-3.1989)GB/T6495.4-1996晶体硅光伏器件的7-V实测特性的温度和辐照度修正方法(idtIEC60891:1987TEC60904-2:

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