标准解读

GB/T 17574.9-2006是一项中国国家标准，专注于半导体器件中的集成电路领域，具体针对数字集成电路的子类别——紫外光擦除电可编程MOS只读存储器(ULSI)，并提供了这类存储器的空白详细规范。下面是对该标准内容的展开说明：

标准适用范围

此标准规定了紫外光擦除电可编程MOS只读存储器(简称EPROM)的基本要求、测试方法、质量评定程序及标志、包装、运输和贮存要求。它适用于那些设计用于数据非易失性存储、可通过紫外线照射擦除原有数据并重新编程写入新数据的集成电路产品。

技术参数与特性

  • 结构与制造工艺：描述了EPROM的基本结构，包括采用MOS（金属-氧化物-半导体）技术制造的电路，以及其特定的紫外光擦除窗口设计。
  • 电气特性：规定了在不同工作条件下的电气参数，如电源电压范围、输入/输出高/低电平、读写周期时间等，确保设备的电气兼容性和稳定性。
  • 性能指标：包括数据保存时间、擦写循环次数、数据编程速度及擦除条件（如所需紫外光强度和擦除时间）等，以保证数据存储的可靠性和器件的耐用性。
  • 测试方法：详述了对EPROM进行功能测试、耐久性测试、数据保持能力测试的具体步骤和接受标准，确保产品符合规格要求。

质量控制与检验

标准中包含了对EPROM成品的抽样检验方案、不合格品处理流程，以及如何通过电气测试、外观检查等手段来评估产品质量。

标志、包装、运输与贮存

  • 标志要求：规定了产品上应标注的信息，如型号、生产日期、制造商信息及必要的警告标志等。
  • 包装规范：为保护器件免受静电、物理损伤及环境因素影响，制定了详细的包装材料、包装方式及标识要求。
  • 运输与贮存条件：指明了在运输和贮存过程中应避免的极端温度、湿度条件及防止机械冲击的措施，以维持产品的性能稳定。

实施意义

该标准为紫外光擦除电可编程MOS只读存储器的设计、生产、检验及应用提供了一套统一的技术准则，有助于提升产品质量，促进产业标准化，同时也便于用户理解和选用合适的EPROM产品，保障信息系统或电子设备的稳定运行。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2006-12-05 颁布
  • 2007-05-01 实施
©正版授权
GB/T 17574.9-2006半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范_第1页
GB/T 17574.9-2006半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范_第2页
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文档简介

ICS31.200L56中华人民共和国国家标准GB/T17574.9-2006/IEC60748-2-9:1994QC790106半导体器件集成电路第2-9部分;数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范Semiconductordevices--IntegratedcircuitsPart2-9:Digitalintegratedcircuits-BlankdetailspecificationforMOSultravioletlighterasableelectricallyprogrammableread-onlymemories（IEC60748-2-9:1994.IDT)2006-12-05发布2007-05-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994系列国家标准《半导体器件：集成电路》中的数字集成电路部分分为如下几部分GB/T17574—1998《半导体器件集成电路：第2部分：数字集成电路》（idtIEC60748-2:1985）GB/T5965—2000《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第一篇双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列)空白详细规范》idtIEC60748-2-1:1991)GB/T17023一1997《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第二篇HCMOS数字集成电路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列族规范》idtIEC60748-2-2：1992）GB/T17024—1997《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第三篇HCMOS数字集成电路54/74HC、54/74HCT、54/74HCU系列空白详细规范》（idtIEC60748-2-3：1992）GB/T17572—1998《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第四篇CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列族规范》idtIEC60748-2-4:1992)GB/T9424—1998《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第五篇CCMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范》idtIEC60748-2-5:1992)-GB/T7509—1987《半导体集成电路微处理器空白详细规范》（可供认证用）GB/T14119—1993《半导体集成电路双极熔丝式可编程只读存储器空白详细规范》（可供认证用）GB/T6648-1986《半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范》（可供认证用)GB/T17574.9—2006《半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范》IEC60748-2-9:1994.IDT）GB/T17574.10—2003《半导体器件集成电路第2-10部分：数字集成电路集成电路动态读/写存储器集成电路空白详细规范》IEC60748-2-10:1994.IDT)GB/T17574.11—2006《半导体器件集成电路第2-11部分：数字集成电路单电源集成电路电可擦可编程只读存储器空白详细规范》(IEC60748-2-11:1999,IDT）GB/T17574.12《半导体器件集成电路第2-12部分：数字集成电路台可编程器件（PLDs)空白详细规范》(IEC60748-2-12）（待转化）GB/T17574.20—2006《半导体器件集成电路第2-20部分：数字集成电路低压集成电路族规范》（IEC60748-2-20:2000.IDT)本规范等同采用国际电工委员会(IEC)标准1EC60748-2-9:1994（QC790106半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范》英文版)。本规范按照（B/T1.1的要求编制国家标准,只对IEC原文作编辑性修改：1）删除IEC原文中的前言。2）IEC原文“静态特性表中·特性"项漏写·注5）",本规范已填写。本规范的附录A为规范性附录，本规范由中华人民共和国信息产业部提出本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口本规范起草单位：中国电子科技集团公司第四十七研究所本规范主要起草人：施华莎

GB/T17574.9—2006/IEC60748-2-9:1994半导体器件集成电路第2-9部分：数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范引IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序,以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一.并且与下列标准一起使用，GB/T4728.12—1996电气简图用图形符号第12部分：二进制逻辑元件(idtIEC60617-12:1991）GB/T4937-19955半导体器件机械和气候试验方法(idtIEC60749:1984.修改单1(1991),修改单2（1993））IEC60068-2-17:1978环境试验第2部分：试验试验QC:密封IEC60134:1961电子管、电真空管和类似的半导体器件的额定值体系IEC6O747-10/QC700000:1991半导体器件分立器件和集成电路第10部分：分立器件和集成电路总规范IEC60748-11/QC790100:1990半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范(不包括混合电路）要求的资料本页和后面括号内的数字与下列各项要求的资料相对应，这些资料应填人本规范相应的栏中详细规范的识别【1授权发布详细规范的国家标准机构名称L2详细规范的IECQ编号。L3总规范和分规范的编号及版本号【47详细规范的国家编号、发布日期及国

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