标准解读
《GB/T 17551-1998 识别卡 光记忆卡 一般特性》这一标准规定了光记忆卡的基本要求、测试方法以及质量评定规则等,旨在为光记忆卡的生产、检验及应用提供统一的技术规范。然而,您提供的对比信息并不完整,没有明确指出要与哪个具体的标准版本或文件进行比较。因此,直接对比其与某一特定标准的变更内容无法实现。
若需要了解《GB/T 17551-1998》相比于其前一版或其他相关标准的具体变更,通常会涉及对两个标准文档的详细比对,包括技术参数的调整、新增或删除的测试项目、性能指标的修订、以及任何因技术进步或市场需求变化而引入的新要求等。例如,可能包括对光记忆卡的物理尺寸、数据存储容量、读写速度、耐用性、数据安全性等方面规定的更新。
为了获取详细的变更信息,建议直接查阅该标准的历次修订记录或技术修订说明,或参考相关标准化机构发布的对比分析报告。这样可以确保获取到最准确、最全面的更新内容概述。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1998-11-05 颁布
- 1999-06-01 实施
文档简介
ICS35.240.15L64中华人民共和国国家标准GB/T17551-1998idtISO/IEC11693:1994识别卡光记忆卡一般特性TdentificationCards-0pticalmemorycards-Generalcharacteristics1998-11-05发布1999-06-01实施国家质量技术监督局发布
GB/T17551-1998三次前言ISO/IEC前言引言·范围2引用标准定义结构尺寸5···6物理特性7可访问光区域的大小和位置8光属性和特性逻辑数据结构
CB/T17551-1998前言:光记忆卡本标准等同采用国际标准ISO/IEC11693:1994《识别卡一般特性》本标准由中华人民共和国电子工业部提出。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准起草单位:电子工业部标准化研究所。本标准主要起草人:冯敬、冯惠、李韵琴、蔡怀忠、陈云峰。
GB/T17551—1998ISO/IEC前言ISO(国际标准化组织)和IEC(国际电工委员会)建立了世界范围标准化的专门系统。ISO或IEC的国家成员团体通过国际组织建立的各个技术委员会参与制定针对特定技术领域的国际标准。ISO和IEC技术委员会在共同感兴趣的领域合作。其他与ISO和IC有联系的官方和非官方的各国际组织也参与此项工作。在信息技术领域,ISO和IEC建立了一个联合技术委员会,即ISO/IECJTCl。由联合技术委员会提出的国际标准草案,需分发给各成员团体进行表决。作为国际标准的发布至少需要75%的成员团体投票赞成。国际标准ISO/IEC11693由联合技术委员会ISO/IECJTCl"信息技术”的分委员会SC17“识别卡及相关设备”制定。
GB/T17551-1998本标准是描述光记忆卡的参数以及如何使用这些卡存储和交换数字数据的一系列标准之一。这些标准承认用于记录和读取光记忆卡上的信息存在各种不同方法,光记忆卡的特性对所采用的记录方式来说是明确的。一般而言.这些不同的记录方法不能相互兼容。因此,以一种一致的方式制定这些标准来包容现有的和将来的记录方法、本标准是光记忆卡的通用标准,适用于某种特定记录方法的特性将出现在一些独立的标准文件中,这些文件定义了符合、加入和/或不符合此相关的基本文件的范围。
中华人民共和国国家标准识别卡光记忆卡一般特性GB/T17551-1998idtIso/IEC11693:1994ldentificationcards-Opticalmemorycards-Generalcharacteristics范围本标准规定了在卡上存储数据、从卡上读取数据,以及在信息处理系统中光记忆卡的物理、光学和数据交换能力所必需的信息。本标准定义了光记忆卡的一般特性,包括卡的材料、结构、特性、尺寸和测试环境,这些特性已经被确定为适用于所有类型的光记忆卡且与所使用的记录方法无关。本标准的意图是为对在光记忆卡上编码的数字信息交换感兴趣的卡制造商、发卡者和卡用户提供必要的信息。本标准可作为计划开发使用光记忆卡的设备和系统的厂商和用户的指南。。卡的数据内容及其使用依赖于每个工业组织开发的应用。2引用标准下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T14916-1994识别卡物理特性(idtISO7810:1985)GB/T16649.1一1996识别卡带触点的集成电路卡第1部分:物理特性(idtISO7816-1:1987)GB/T17554-1998识别卡测试方法(idtISO/IEC10373:1993)3定义本标准采用下列定义:3.1可访间的光区域accessibleopticalarea可以由所用光系统的该和/或写光束进行访问的光记忆卡的任何部分,3.2背景反射率backgroundreflectivity以特定波长通过位于相邻光迹导轨中间的透明层所测得的可访间光区域的未写、未格式化部分的反射率。3.3背景透射率backgroundtransmissivity以特定波长穿过卡的有效写和/或读位置所测得的可访问光区域的未写、未格式化部分的透射率。3.4光束直径beamdiameter光层表面上测得的激光束直径的1/e"。3.5
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