GB/T 17170-2015半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

ICS77040

H17.

中华人民共和国国家标准

GB/T17170—2015

代替

GB/T17170—1997

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2

浓度红外吸收测试方法

TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulating

galliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10发布2016-07-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2

浓度红外吸收测试方法

GB/T17170—2015

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

书号

:155066·1-52428

版权专有侵权必究

GB/T17170—2015

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级浓度红外吸收测试方法

GB/T17170—1997《EL2》。

本标准与相比主要有以下变化

GB/T17170—1997,:

修改了标准名称

———;

增加了规范性引用文件术语和定义干扰因素和测试环境等章

———“”“”“”“”;

扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围将电阻率大于7修改为大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

将范围由非掺杂半绝缘砷化镓单晶修改为非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶

———“”“”;

删除了厚度测试样品的解理制样方法

———0.4mm~2mm。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位信息产业专用材料质量监督检验中心天津市环欧半导体材料技术有限公司

:、、

中国电子材料行业协会

。

本标准主要起草人何秀坤李静张雪囡

:、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T17170—1997。

Ⅰ

GB/T17170—2015

半绝缘砷化镓单晶深施主EL2

浓度红外吸收测试方法

1范围

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主浓度的红外吸收测试方法

EL2。

本标准适用于电阻率大于6的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主浓度的

10Ω·cmEL2

测定

。

本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主浓度的测定

EL2。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

EL2浓度EL2concentration

砷化镓单晶中的一种本征缺陷在砷化镓单晶体内的浓度

EL2()。

4方法提要

半绝缘砷化镓单晶中深施主的红外吸收系数α与浓度具有对应关系测量

EL2EL2,1.0972μm

处的红外吸收系数并由经验校准公式可计算浓度红外吸收系数α与浓度的关系参见

EL2。EL2

附录

A。

5干扰因素

51杂散光到达检测器将导致浓度测试结果出现偏差

.,EL2。

52测试样品的测试面积应大于光阑孔径否则可能导致错误的测试结果

.,。

6仪器

61分光光度计