标准解读

GB/T 15877-1995 是一项中国国家标准，全称为《蚀刻型双列封装引线框架规范》。此标准主要规定了蚀刻工艺制成的双列封装（DIP, Dual In-line Package）引线框架的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求，旨在确保此类封装材料的质量与可靠性，适用于半导体器件的封装制造过程。

标准内容概览：

  1. 范围：明确了标准适用的产品类型，即通过蚀刻技术加工而成，用于承载集成电路芯片并实现外部电气连接的双列封装引线框架。

  2. 引用标准：列出了实施该标准时需要参考的其他相关国家标准或行业标准，这些标准通常涉及基础材料性能、测试方法等。

  3. 术语和定义：对标准中使用的一些专业术语进行了界定，帮助读者准确理解标准内容。

  4. 分类与标记：规定了引线框架的分类方法及产品标记规则，便于生产、检验及使用过程中对产品的识别与区分。

  5. 技术要求：

    • 材料：规定了制作引线框架所用材料的种类及其性能要求，如金属材料的纯度、机械强度等。
    • 尺寸和外形：详细描述了引线框架的尺寸公差、引脚排列和间距、外形尺寸等指标。
    • 表面质量：包括表面光洁度、无缺陷要求等，以确保良好的焊接性和可靠性。
    • 电镀层：针对有电镀要求的部分，规定了镀层材质、厚度及均匀性等要求。

  6. 试验方法：介绍了如何进行尺寸测量、材料性能测试、表面质量检查及电镀层检测的具体操作步骤和评判标准。

  7. 检验规则：包括出厂检验、型式检验的项目、抽样方案及合格判定准则，确保产品符合标准要求。

  8. 标志、包装、运输和储存：规定了产品包装上应包含的信息、包装方式、在运输和储存过程中的环境条件要求，以防止损伤或变质。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替
  • 1995-12-22 颁布
  • 1996-08-01 实施
©正版授权
GB/T 15877-1995蚀刻型双列封装引线框架规范_第1页
GB/T 15877-1995蚀刻型双列封装引线框架规范_第2页
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文档简介

TC3..31.200L55中华人民共和国国家标准GB/T15877－1995蚀刻型双列封装引线框架规范SpecificationofDIPducedlbyetchingT1995-12-22发布1996-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-1995SpecificationofDIPleadframesproducedbyetching主题内容与适用范围主题内容本规范规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规1.2！适用范围本规范适用于半导体集成电路塑料双列封装引线框架，其他封装形式引线框架也可参照使用。2引用标准GB7092-93半导体集成电路外形尺寸GB/T14112—93半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14113-93半导体集成电路封装术语SJ/Z9007-87计数检套抽样方案和程序术语、符号、代号本规范所用术语、符号和代号应按GB/T14113的规定技术要求4.1设计引线框架的外形尺寸应符合GB7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。4.1.1引线键合区的最小面积引线键合区应保证其宽度不小于0.2mm，长度不小于0.635mm，由于蚀刻工艺中的钻蚀是难以避免的，并将产生端头倒圆现象，因此在长度计量时应从距端部0.25mm处起进行计算，4.1.2金属间的间隔引线框架各内引线之间，内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.15mm.4.2引线框架形状和位置公差4.2.1引线框架的侧弯应小于标称条长的0.5%.4.2.2引线框架的卷曲应小于标称条长的0.3%4.2.3引线框架的横弯引线框架的最大横弯尺寸应符

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