标准解读
《GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法》这一标准相比于之前的《GB 1551-1979》和《GB 5253-1985》，主要在以下几个方面进行了调整和完善：
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适用范围明确化：新标准更精确地界定了其适用对象，即硅、锗单晶材料的电阻率测定，并明确了采用直流两探针法进行测量的具体要求和方法。这相比之前的标准可能有更加清晰的界定范围。
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技术内容更新：随着科学技术的进步，测量技术和设备有了显著发展，新标准融入了最新的测量理论和技术手段，提高了测量精度和可靠性。例如，对探针材料、接触电阻补偿、温度控制等关键因素提出了更具体的要求。
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测试程序标准化：详细规定了从样品准备、测量环境控制到数据处理的全过程标准化操作步骤，增强了实验可重复性和结果的一致性。这有助于减少因操作差异导致的误差。
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计量单位统一：根据国际单位制（SI）的要求，新标准对所有涉及的物理量和参数均采用了国际标准单位，确保了与国际标准的接轨和数据的国际可比性。
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质量控制加强：增加了对测量不确定度分析和校准验证的要求，强调了实验室质量控制的重要性，确保测量结果的准确性和可信度。
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术语定义规范：对相关专业术语进行了更为严谨和规范的定义，有助于消除理解上的歧义，提升标准的可读性和实用性。
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参考文献更新：引用了最新的科研成果和国际标准作为支撑，反映了该领域最新的理论和实践进展。
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文档简介
UDC.669.7821.783：621.317-33H21中华人民共和国国家标准GB/T1551-1995硅、错单晶电阻率测定直流两探针法Testmethodforresistivityofsiliconandgermaniumbarsusingatwo-pointprobe1995-04-18发布1995-12-01实施国家技术监督局发布
中华人民共和国国家标准硅、错单晶电阻率测定GB/T1551-1995两：深直针流法TestmethodforresistivityofsiliconGB5253-85andgermaniumbarsusingatwo-pointprobe主题内容与适用范围本标准规定了用直流两探针测量硅和错单品键电阻率的方法、本标准适用于测量截面积均勾的圆形、方形或矩形单品键的电阻率。测量范围：硅单晶为10～～10*Q·cm·错单晶为5×10-～10°Q·cm。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3：1。2引用标准GB1550硅单晶导电类型测定方法GB/T1552硅、错单晶电阻率测定直排四探针法GB5256错单晶导电类型测量方法方法提要让直流电流I通过试样两端，并使A、B两根探针垂直压在试样侧面，测量A、B两根探针间的电位差V，见图1。若试样的横截面积为A，探针间距为S,则试样的电阻率·可用式(1)计算：式中：0--电阻率，0·cmniV两探针间的电位差,V；1--通过试样的直流电流,A；4-试样的截面积,cm²；S--两探针间的探针间距,e
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