标准解读

《GB/T 14847-1993》是一项中华人民共和国国家标准，全称为《重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》。该标准详细规定了如何利用红外反射技术来测定在重掺杂硅基板上生长的轻掺杂硅外延层的厚度，旨在为半导体工业中的材料分析和质量控制提供一种精确、可靠的测量手段。

标准内容概览

  1. 范围：明确了本标准适用的范围，即适用于评估那些在高浓度掺杂的硅衬底上形成的低浓度掺杂硅外延层的厚度。这种结构常见于特定的微电子器件和集成电路制造过程中。

  2. 引用标准：列出了实施本测量方法所需遵循的其他相关国家标准或国际标准，确保测量过程的一致性和可比性。

  3. 术语和定义：对涉及的专业术语进行了解释，帮助读者理解如“重掺杂”、“轻掺杂”、“外延层”、“红外反射”等关键概念。

  4. 原理：阐述了红外反射测量的基本物理原理，即不同材质和厚度的半导体层对红外光的反射特性存在差异，通过分析反射光谱可以反推出外延层的厚度。

  5. 仪器与设备：详细描述了进行测量所需的仪器类型、规格及校准要求，确保测量结果的准确性和重复性。

  6. 样品制备与处理：说明了样品的选取、切割、清洗以及必要的预处理步骤，以保证测量不受外来因素干扰。

  7. 测量步骤：给出了详细的测量操作流程，包括如何设置实验参数、进行反射率测试、数据采集与处理等具体指导。

  8. 数据处理与分析：介绍了如何根据收集到的红外反射数据，运用特定的计算方法或模型来确定外延层的厚度，可能涉及光谱拟合、对比标准曲线等方法。

  9. 精度与误差：讨论了测量过程中可能出现的误差来源及其对结果的影响，并提供了评估测量不确定度的方法。

  10. 试验报告：规定了试验报告应包含的信息内容，如样品信息、测试条件、测量结果及不确定性评估等，以确保结果的透明度和可追溯性。

实施意义

本标准为半导体行业提供了一种标准化的方法学，有助于提高不同实验室间测量结果的一致性和互认性，对于优化半导体器件设计、提升生产效率及产品质量控制具有重要价值。它不仅促进了技术交流，也为新材料和工艺的研发奠定了基础。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 14847-2010
  • 1993-12-24 颁布
  • 1994-09-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC669.782：535.39-15王21中华人民共和国国家标准GB/T14847-93重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法TestmethodforthicknessofJightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance1993-12-24发布1994-09-01实施国家技术监督局发布

(京)新登字023号中华人民共和国国家标准重接杂衬底上轻接杂硅外延层厚度的红红外反射测量方法GB/T14847-93中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045htp://电话：63787337、637874471994年7月第一版2004年12月电子版制作书号：155066·1-10796版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层GB/T14847-93厚度的红外反射测量方法Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance主题内客与适用范围本标准规定了取掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底室温电阻率小于0.02·cm和外延层室温电阻率大于0.1Q·cm且外延层厚度大于2Pm的硅外延层厚度的测量。2引用标准侧试方法的精密度GB6379、通过实验室间试验确定标准测试方法的重复性和再现性方法原理村底和外延层光学常数的差异导致试样反射光谱出现连续极大极小光学干涉现象，根据极值波长、外延层与衬底光学常数和入射角计算外延层厚度。4测量仪器4.1红外光谱仪4.1.1村里叶变换红外光谱仪或双光束红外分光光度计。4.1.2被长范围2～60rm.本法常用波长范围为6～25mm。4.1.3被长重复性不大于0.05mn.4.1.4波长精度为士0.05m。4.2仪器附件4.2.1和仪器相匹配的反射附件,入射角不大于30°。4.2.2掩模由非反射材料制成，透光孔径不大于8mm.5试样要求5.1衬底和外延层导电类型及衬底电阻率应是已知的。5.2试样应具有良好的光学表面以保证高的反射率，不应有大面积的钝化层.5.3正常工艺沉积

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