标准解读

《GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法》相比于其前版《GB/T 14847-1993》,主要在以下几个方面进行了更新与完善:

  1. 技术内容的修订:新版标准对测量原理、测量步骤、数据处理方法等核心技术内容进行了详细阐述和优化,以适应近年来半导体材料制备技术的进步和红外光谱分析技术的发展,提高了测量精度和适用范围。

  2. 仪器设备要求:考虑到科技进步,2010版标准对用于测量的红外光谱仪和其他辅助设备的技术指标提出了更具体、更现代的要求,确保测量结果的准确性和可重复性。

  3. 样品制备与处理:对样品的制备方法、表面处理步骤给出了更详细的指导,以减少测量过程中的误差来源,如减小表面粗糙度对测量结果的影响。

  4. 校准与验证:增加了关于仪器校准和测量结果验证的详细规定,确保不同实验室间数据的一致性和可比性,提升了测量方法的标准化水平。

  5. 数据处理与分析:2010版标准引入了更先进的数据处理算法和统计分析方法,帮助用户更高效、准确地从红外反射谱中提取外延层厚度信息。

  6. 质量控制与不确定度评估:新增了对外延层厚度测量不确定度的评估方法,以及质量控制的相关要求,有助于实验室建立和完善质量管理体系。

  7. 术语与定义:根据行业发展,更新并补充了一些专业术语和定义,使得标准语言更加严谨、清晰,便于读者理解。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-01-10 颁布
  • 2011-10-01 实施
©正版授权
GB/T 14847-2010重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法_第1页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T14847—2010

代替

GB/T14847—1993

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的

红外反射测量方法

Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayerson

heavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance

2011-01-10发布2011-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的

红外反射测量方法

GB/T14847—2010

*

中国标准出版社出版发行

北京复兴门外三里河北街号

16

邮政编码

:100045

网址

:

服务热线

/p>

年月第一版

20118

*

书号

:155066·1-42666

版权专有侵权必究

GB/T14847—2010

前言

本标准代替重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

GB/T14847—1993《》。

本标准与相比主要技术内容变化如下

GB/T14847—1993,:

修改原标准主题内容与适用范围中衬底和外延层室温电阻率明确为在下电阻率增

———“1”23℃,

加在降低精度情况下该方法原则上也适用于测试之间的型和型外延层

,0.5μm~2μmNP

厚度

;

修改原标准引用标准为规范性引用文件增加有关的引用标准

———“2”“”,;

增加术语和定义部分

———“3”;

补充和完善测试方法原理内容

———“4”;

增加干扰因素部分

———“5”;

原标准改为删除衬底和外延层导电类型及衬底电阻率应是已知的内容增加防止

———57,“5.1”,

试样表面大面积晶格不完整以及要求测试前表面进行清洁处理的内容

;

原标准改为对选取试样的外延厚度的要求改为对衬底电阻率和谱图波数位置的要求并

———68,,

增加采用中规定的方法在对应的反面位置测试衬底电阻率

8.3.5GB/T1552;

原标准改为增加极值波数和波长的转换公式删除原经验计算法内容

———79,。7.2;

原标准改为增加多个实验室更广范围的测试数据分析结果

———810,;

原标准改为试验报告中要求增加红外仪器的波数范围掩模孔径波数扫描速度波长

———911,、、、

和极值级数等内容

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位宁波立立电子股份有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心

:、。

本标准主要起草人李慎重何良恩许峰刘培东何秀坤

:、、、、。

本部分所代替的历次版本标准发布情况为

:

———GB/T14847—1993。

GB/T14847—2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的

红外反射测量方法

1范围

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

本标准适用于衬底在电阻率小于和外延层在电阻率大于且外

23℃0.02Ω·cm23℃0.1Ω·cm

延层厚度大于的型和型硅外延层厚度的测量在降低精度情况下该方法原则上也适用于测

2μmnp;,

试之间的型和型外延层厚度

0.5μm~2μmnp。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

硅外延层扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

GB/T1552、

测量方法与结果的准确度正确度与精密度第部分确定标准测量方法重复

GB/T6379.2()2:

性与再现性的基本方法

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

折射率indexofrefraction

入射角的正弦相对折射角的正弦的比率这里的入射角和折射角是指表面法线和红外光束的夹

角对电阻率大于硅材料当波长范围为时相对空气的该比值为该

。0.1Ω·cm,6μm~40μm,3.42,

值可由斯涅尔定律求出

(Snell)。

4方法提要

41衬底和外延层光学常数的差异导致试样反射光谱出现连续极大极小特征谱的光学干涉现象根据

.,

反射光谱中极值波数外延层与衬底光学常数和红外光束在试样上的入射角计算外延沉积层厚度

、。

42假设外延层的反射率n相对波长是独立的

.1。

43当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时反射光谱中可以

.

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