GB/T 13539.4-2016低压熔断器第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求

ICS2912050

K31..

中华人民共和国国家标准

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.代替:

GB/T13539.4—2009

低压熔断器

第4部分半导体设备保护用熔断体

:

的补充要求

Low-voltagefuses—

Part4Sulementarreuirementsforfuse-linksfortherotectionof

:ppyqp

semiconductordevices

(IEC60269-4:2012,IDT)

2016-04-25发布2016-11-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

总则

1………………………1

术语和定义

2………………2

正常工作条件

3……………2

分类

4………………………4

熔断器特性

5………………4

标志

6………………………7

设计的标准条件

7…………………………8

试验

8………………………8

附录资料性附录熔断体和半导体设备的配合导则

AA()……………18

附录规范性附录制造厂应在产品使用说明书样本中列出的半导体设备保护用熔断体

BB()()

的资料

…………22

附录规范性附录半导体设备保护用标准化熔断体示例

CC()………23

参考文献

……………………39

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

前言

低压熔断器目前包括以下个部分

GB13539《》6:

第部分基本要求

———1:;

第部分专职人员使用的熔断器的补充要求主要用于工业的熔断器标准化熔断器系统示

———2:()

例至

AK;

第部分非熟练人员使用的熔断器的补充要求主要用于家用和类似用途的熔断器标准化

———3:()

熔断器系统示例至

AF;

第部分半导体设备保护用熔断体的补充要求

———4:;

第部分低压熔断器应用指南

———5:;

第部分太阳能光伏系统保护用熔断体的补充要求

———6:。

本部分为的第部分

GB135394。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替低压熔断器第部分半导体设备保护用熔断体的补充要

GB/T13539.4—2009《4:

求本部分与相比主要技术变化如下

》。GB/T13539.4—2009:

增加电压源逆变器内容包括特性技术要求及试验方法等

———VSI(),VSI、;

表和型熔断体的约定时间和约定电流中型约定不熔断电流I从I

———101“‘gR’‘gS’”,“gR”nf1.1n

改为I

1.13n;

表完整试验清单中删去了交流试验补充了试验并将脚注

———102“”No.6~No.10,VSINo.21,a

修改为如果周围空气温度在和之间弧前I2t特性有效

“10℃30℃,”;

表同一熔断体系列中最小额定电流熔断体试验一览表中删去了交流试验和直流

———103“”No.6

试验

No.11;

指示装置和撞击器如有的动作增加指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造

———8.4.3.6“()”“

厂和用户协商规定

”;

将原表验证交流截断电流I2t特性和电弧电压特性试验参数删去改为新的表

———106“、”,106

熔断体分断能力试验参数

“VSI”;

附录的型螺栓连接熔断体系统和型接触片式熔断体系统中

———CC“CC.3B———DIN”“CC.5A”

增加了和型熔断体的约定时间和约定电流表

“‘gR’‘gS’”;

附录的北美熔断体系统增加了分断能力试验的恢复电压要求

———CC;

附录增加了法国的型圆筒形帽熔断体系统

———CCB。

本部分使用翻译法等同采用低压熔断器第部分半导体设备保护用熔断体

IEC60269-4:2012《4:

的补充要求

》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下

:

优先数和优先数系

———GB/T321—2005(ISO3:1973,IDT);

电气设备用图形符号第部分图形符号

———GB/T5465.2—20082:(IEC60417DB:2007,

IDT);

低压熔断器第部分基本要求

———GB13539.1—20151:(IEC60269-1:2009,IDT);

低压熔断器第部分专业人员使用的熔断器的补充要求主要用

———GB/T13539.2—20152:(

于工业的熔断器标准化熔断器系统示例至

)AK(IEC60269-2:2013,IDT);

低压熔断器第部分非熟练人员使用的熔断器的补充要求主要用于

———GB13539.3—20083:(

Ⅰ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

家用和类似用途的熔断器标准化熔断器系统示例至

)AF(IEC60269-3:2006,IDT)。

本部分作了下列编辑性修改

:

删除国际标准的前言

———;

图中右上图有个剖视符号个疑有误删去此外右下图中详图6)疑有误改

———CC.63“x”,2,;“X”,

为详图5)

“X”;

中见疑有误改为见

———CC.6.1“(CC.6.4)”,“(CC.6.3)”。

本部分由中国电器工业协会提出

。

本部分由全国熔断器标准化技术委员会归口

(SAC/TC340)。

本部分负责起草单位上海电器科学研究院

:。

本部分参加起草单位上海电器陶瓷厂有限公司人民电器集团有限公司好利来中国电子科技

:、、()

股份有限公司西安西整熔断器厂美尔森电气保护系统上海有限公司浙江正泰电器股份有限公司

、、()、、

浙江西熔电气有限公司上海西门子线路保护系统有限公司温州三实电器有限公司浙江新力熔断器

、、、

有限公司乐清市沪熔特种熔断器有限公司西安中熔电气有限公司库柏西安熔断器有限公司上海电

、、、、

器设备检测所

。

本部分主要起草人吴庆云张丽丽林海鸥李全安赖文辉刘双库贾炜李传上李振飞周纲

:、、、、、、、、、、

黄旭雄方径林郑爱国石晓光张懿易颖

、、、、、。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB13539.4—1992;

———GB/T13539.4—2005、GB/T13539.7—2005;

———GB/T13539.4—2009。

Ⅱ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

低压熔断器

第4部分半导体设备保护用熔断体

:

的补充要求

1总则

除规定外补充下列要求

IEC60269-1:2006,。

半导体设备保护用熔断体应符合所有要求并且还应符合本部分规定的补充

IEC60269-1:2006,

要求

。

11范围和目的

.

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体该熔断体适用于标称电压不

,

超过交流或直流的电路如适用还可用于更高的标称电压的电路

1000V1500V。,。

注1此类熔断体通常称为半导体熔断体

:“”。

注2在多数情况下组合设备的一部分可用作熔断器底座由于设备的多样性难以作出一般的规定组合设备

:,。,;

是否适合作熔断器底座宜由用户与制造厂协商但是如果采用独立的熔断器底座或熔断器支持件他们

,。,,

应符合的相关要求

IEC60269-1:2006。

注3专用于太阳能光伏系统的保护

:IEC60269-6。

本部分的目的是确定半导体熔断体的特性从而在相同尺寸的前提下可以用具有相同特性的其他

,,

型式的熔断体替换半导体熔断体因此本部分中特别规定了

。,:

熔断体的下列特性

a):

额定值

1);

正常工作时的温升

2);

耗散功率

3);

时间电流特性

4)-;

分断能力