标准解读

GB/T 13178-1991 是一项中华人民共和国国家标准，全称为《金硅面垒型探测器》。这项标准详细规定了金硅面垒型探测器（Gold-Silicon Surface Barrier Detector）的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求，旨在统一和提升此类探测器的质量与性能指标，确保其在核物理实验、辐射监测、环境检测等领域的可靠应用。

技术要求部分：

  • 材料与结构：明确了金硅面垒型探测器应采用高纯度硅单晶作为基材，并在其表面沉积一层薄金膜形成阻挡层。对硅片的电阻率、纯度以及金膜的厚度和均匀性有具体规定。
  • 电性能指标：规定了探测器的泄漏电流、耗尽层宽度、能量分辨率等关键电性能参数的最低要求，以确保探测器具有良好的灵敏度和稳定性。
  • 机械及环境适应性：包括了对外形尺寸、机械强度、工作温度范围以及抗辐射能力等方面的要求，确保探测器在不同环境条件下的稳定工作性能。

试验方法部分：

  • 描述了如何测试和评估探测器的各项技术指标，如使用特定的电压源测量泄漏电流，通过辐射源测试能量分辨率等，确保测试过程的标准化和可重复性。

检验规则部分：

  • 规定了产品出厂前应进行的检验类型（如全检或抽样检验）、检验项目、合格判定准则等，确保每批产品的质量符合标准要求。

标志、包装、运输和储存部分：

  • 要求制造商需在产品上明确标注型号、生产日期、制造商信息等，并对包装材料、方式以及在运输和储存过程中的环境条件（如温度、湿度）提出具体要求，以防止探测器在非使用阶段受损。

该标准的实施为金硅面垒型探测器的生产和应用提供了统一的标准依据，有助于提升产品的互换性和兼容性，促进相关行业技术进步和市场健康发展。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 13178-2008
  • 1991-04-11 颁布
  • 1992-05-01 实施
©正版授权
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文档简介

UDC539.1.074.5F88中华人民共和国国家标准GB/T13178-91金硅面垒型探测器Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors1991-04-11发布1992-05-01实施国家技术监督局发布

(京)新登字023号中华人民共和国国家标准金硅面垫型探测器GB/T13178-91中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045htp//电话：63787337、637874471992年6月第一版2004年12月电子版制作书号：155066·1-8721版权专有浸权必究举报电话：（010）68533533

中华人民共和国国家标准专硅面垒型探测器金CB/T13178-91Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors主题内客与适用范摩本标准规定了部分耗尽金硅面全型探测器(简称探测器)的分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面全型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂源移金硅面全型探测器也可参照执行、2引用标准GB5201带电粒子半导体探测器测试方法GB10257核仪器与核辐射探测器质量检验规则术语、符号、代号3.1术语3.1.1面垒型半导体探测器surfacebarriersemiconductordetector由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。3.1.2耗尽层(灵敏层）depletionlanyer半导体探测器中构成灵敏体积的一层半导体材料，粒子在其中损耗能量的绝大部分对输出信号均有贡献3.1.3部分耗尽partialdepletion耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度，3.1.4灵敏面积8ensitivearea探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分面积。3.1.5半高宽（FwHM）fullwidthathalfmaximum在仅由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点的横坐标之间的距离。3.1.6能量分辨率energyresolution深测器对能谱高度分布FWHM的贡献（包括探测器漏电流噪声)以能量单位表示.3.2符号、代号3.2.1Q对"Am源5.486MeV的粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数为0.5rs时,表示整个系统的分辨率(keV)。3.2.2B在3.2.1同样条件下,表示由脉冲产生器信号峰的半高宽(FWHM)近似的

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