半导体器件 第十章 含作业

说明这样我就可以光明正大的水经验了，哈哈，我得意地笑，我得意地笑……第十章

金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础MOSFET：MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）n+n+P型硅基板栅极（金属）绝缘层（SiO2）

场效应管场效应管：一种电压控制器件，它是利用电场效应来控制其电流的大小，从而实现放大。工作时，内部参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性器件。原理：利用改变垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力而实现放大作用;输入阻抗高：栅和其他端点之间不存在直流通道。噪声系数小。多子输运电流，不存在散粒噪声和配分噪声。功耗小，可用于制造高密度的半导体集成电路。输入功率很低而有较高的输出能力。温度稳定性好。多子器件，电学参数不易随温度而变化（n与）。一种载流子参与导电。抗辐射能力强：双极型晶体管的下降（非平衡少子的寿命降低），而场效应管的特性变化小（与载流子寿命关系不大）。其它：工艺卫生要求较高，速度较低。特点n+n+P型硅基板栅极（金属）绝缘层（SiO2）半导体基板漏极源极N沟MOS晶体管的基本结构源极(S)漏极(D)栅极(G)MOSFET的类型沟道中导电的载流子类型N沟道（电子型）P沟道（空穴型）强反型时，导电沟道中的电子漂移运动形成电流强反型时，导电沟道中的空穴漂移运动形成电流VG＝0时，是否有导电沟道增强型耗尽型VG＝0时，无导电沟道VG＝0时，有导电沟道比较常用的是NMOS管，原因是导通电阻小，且容易制造。两个PN结：1）N型漏极与P型衬底；2）N型源极与P型衬底。一个电容器结构：栅极与栅极下面的区域形成一个电容器，是MOS管的核心。10.1MOS电容结构氧化层厚度氧化层介电常数Al或高掺杂的多晶Sin型Si或p型SiSiO2MOS电容的组成MOS电容是一个相当复杂的电容，有多层介质：在栅极电极下面有一层SiO2介质。SiO2下面是P型衬底，衬底是比较厚的。最后，是一个衬底电极，它同衬底之间必须是欧姆接触。MOS电容还与外加电压有关。MOS电容的特性与栅极上所加的电压紧密相关，这是因为半导体的表面状态随栅极电压的变化可处于积累层、耗尽层、反型层三种状态。

SiO2V（a）MOS结构

p-SiMCoxCsd（b）MOS结构等效电路MOS+V-a.MOS结构b.电场效应双端MOS场效应当栅源之间加上正向电压，则栅极和p型硅片之间构成了以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场（由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压VGS

，也可产生高达105~106V/cm数量级的强电场）。这个电场排斥空穴而吸引电子，因此，使栅极附近的p型衬底中的空穴被排斥，留下不能移动的受主离子（负离子），形成耗尽层，同时p型衬底中的少子（电子）被吸引到衬底表面。10.1表面能带图:p型衬底负栅压情形导带底能级禁带中心能级费米能级价带顶能级空穴积累：表面的多子浓度大于体内的多子浓度。电场电势电子能量以半导体体内为零电势10.1表面能带图:p型衬底小的正栅压情形(耗尽层)空穴耗尽：表面的多子浓度远小于体内的多子浓度。10.1表面能带图:p型衬底表面空穴浓度=表面电子浓度正栅压增大↑10.1表面能带图:p型衬底(反型层+耗尽层)弱反型现象正栅压继续增大↑10.1表面能带图:p型衬底强反型阈值反型点:表面电子浓度=体内空穴浓度

大的正栅压漏源之间形成的导电通道BPGSiO2SDN+N+++--++--++++VGS--------反型层iDVDS10.1表面能带图:n型衬底(1)正栅压情形10.1表面能带图:n型衬底(2)小的负栅压情形大的负栅压情形(耗尽层)n型(反型层+耗尽层)n型10.1空间电荷区厚度:表面耗尽情形费米势表面势表面空间电荷区厚度半导体表面电势与体内电势之差半导体体内费米能级与禁带中心能级之差的电势表示采用单边突变结的耗尽层近似P型衬底单边突变结n+p边界条件：x=xd

时，E=0根据：假定x=xd

处的电势为010.1空间电荷区厚度:表面反型情形阈值反型点条件：表面处的电子浓度=体内的空穴浓度表面空间电荷区厚度表面电子浓度：体内空穴浓度：P型衬底栅电压=阈值电压表面空间电荷区厚度达到最大值:表面导电性增加，屏蔽外加电场10.1空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系实际器件参数区间10.1电子反型电荷浓度P型衬底电子反型电荷浓度：其中10.1表面反型层电子密度与表面势的关系P型衬底10.1功函数差:MOS接触前的能带图金属的功函数金属的费米能级二氧化硅的禁带宽度二氧化硅的电子亲和能硅的电子亲和能绝缘体不允许电荷在金属和半导体之间进行交换，要达到热平衡，需要导线连接金属和半导体！10.1功函数差:MOS结构的能带图条件：零栅压，热平衡零栅压下氧化物二侧的电势差修正的金属功函数零栅压下半导体的表面势修正的硅的电子亲和能二氧化硅的电子亲和能10.1功函数差:计算公式内建电势差：功函数差10.1功函数差:计算公式内建电势差：功函数差10.1功函数差:n＋掺杂多晶硅栅(P-Si)<0近似相等n+掺杂至简并简并：degenerate退化，衰退10.1功函数差:p＋掺杂多晶硅栅(P-Si)p+掺杂至简并≥010.1功函数差:与掺杂浓度的关系氧化膜中电荷的影响界面态电荷（界面陷阱电荷）这种由悬挂键引起的表面电子状态称为表面态，与SiO2交界，又称界面态固定氧化物电荷位于界面SiO2侧3nm的区域内，密度约1011cm-2，带正电荷。一般认为是界面附近存在未充分氧化的Si离子—过剩硅离子及氧空位可动离子电荷起因于进入SiO2层中的Na+、K+、Li+等轻碱金属离子及H+离子电离陷阱电荷X-射线、γ射线、高能/低能电子束等照射SiO2膜时产生电子-空穴对。上述4种电荷的作用统归于Qox——等效电荷电荷本身与半导体表面的距离不同，对表面状态的影响也不同。距离越近，影响越强。故等效为界面处的薄层电荷。氧化层中的电荷的影响10.1平带电压:定义MOS结构中半导体表面能带弯曲的动因金属与半导体之间加有电压（栅压）半导体与金属之间存在功函数差氧化层中存在净的空间电荷平带电压定义：使半导体表面能带无弯曲需施加的栅电压来源：金属与半导体之间的功函数差，氧化层中的净空间电荷单位面积电荷数金属上的电荷密度MSiO2Si＋＋＋＋＋＋＋MSiO2Si＋＋＋＋＋＋＋氧化层中的电荷的影响平带10.1平带电压:公式Vox0+s0=-ms零栅压时：Vox

：栅电压VG

降落在SiO2

绝缘层上的部分ΦS

：栅电压VG

降落在半导体表面的部分Φms

：金属-半导体功函数差10.1平带电压:公式单位面积电荷数金属上的电荷密度平带电压第一项是，为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压；第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压；MSiO2Si＋＋＋＋＋＋＋MSiO2Si＋＋＋＋＋＋＋Vox

：栅电压VG

降落在SiO2

绝缘层上的部分ΦS

：栅电压VG

降落在半导体表面的部分VFB

：平带电压

外加栅电压超过

VFB

的部分（VG

-VFB）称为

有效栅电压。有效栅电压可分为两部分：降在氧化层上的VOX与降在硅表面附近的表面电势S

，即VG–VFB=VOX+S

小节内容11.1.4平带电压来源定义如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少?如何算10.1阈值电压:公式阈值电压：达到阈值反型点时所需的栅压表面势=费米势的2倍|QSDmax|=eNa

xdTQSDns忽略反型层电荷10.1阈值电压:与掺杂/氧化层电荷的关系P型衬底MOS结构Q‘ss越大，则VTN的绝对值越大；Na越高，则VTN的值（带符号）越大Na很小时，VTN随Na的变化缓慢，且随Q’ss的增加而线性增加

Na很大时，VTN

随Na

的变化剧烈，且与Q’ss

的相关性变弱10.1阈值电压:导通类型VTN>0MOSFET为增强型VG=0时未反型，加有正栅压时才反型VTN<0MOSFET为耗尽型VG=0时已反型，加有负栅压后才能脱离反型P型衬底MOS结构10.1阈值电压:n型衬底情形费米势表面耗尽层最大厚度单位面积表面耗尽层电荷单位面积栅氧化层电容平带电压阈值电压10.1n型衬底与p型衬底的比较p型衬底MOS结构n型衬底MOS结构增强型、耗尽型都可能增强型（除非掺P型杂质）MOSFET类型阈值电压典型值金属-半导体功函数差10.1表面反型层电子密度与表面势的关系11.1MOS电容表面空间电荷层电荷与表面势的关系堆积平带耗尽弱反型强反型小节内容11.1.6电荷分布分布图为什么书中可以经常忽略反型点的电荷?p32711.1.5阈值电压概念电中性条件与谁有关?如何理解?N型P型及掺杂的关系10.2节内容理想情况CV特性频率特性氧化层电荷及界面态的影响实例10.2C-V特性什么是C-V特性？MOS电容电压的微小变化→电荷密度的变化由于

xp

与

xn远小于势垒区总宽度

W，所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时PN

结势垒电容就像一个普通的平行板电容器

，所以单位面积的势垒电容

C'可以简单地表为P

区N

区10.2C-V特性什么是C-V特性？平带电容-电压特性10.2C-V特性堆积状态加负栅压，堆积层电荷能够跟得上栅压的变化，相当于栅介质平板电容平带本征10.2C-V特性平带状态所加负栅压正好等于平带电压VFB，使半导体表面能带无弯曲平带本征栅压趋近于平带电压时，总电容随表面德拜长度LD的增加而减少。10.2C-V特性耗尽状态加小的正栅压，表面耗尽层电荷随栅压的变化而变化，出现耗尽层电容平带本征C’相当与Cox与Csd’串联10.2C-V特性强反型状态(低频)加大的正栅压且栅压变化较慢，反型层电荷跟得上栅压的变化平带本征MOS电容电压的微小变化强反型层电荷密度的变化(耗尽层宽度基本不变)此时电容=栅氧化层电容反型层电荷—电子的来源:

①p型中少子—电子的扩散;②耗尽层中的热运动形成的电子-空穴对.

10.2C-V特性反型状态(高频)加较大的正栅压，使反型层电荷出现，但栅压变化较快，反型层电荷跟不上栅压的变化，只有金属和空间电荷区内电荷变化，只有耗尽层电容对C有贡献。此时，耗尽层宽度乃至耗尽层电容基本不随栅压变化而变化。栅压频率的影响反型层电荷—电子的来源:

①p型中少子—电子的扩散;②耗尽层中的热运动形成的电子-空穴对.

10.2C-V特性n型与p型的比较p型衬底MOS结构n型衬底MOS结构小节内容理想情况CV特性CV特性概念堆积平带耗尽反型下的概念堆积平带耗尽反型下的计算频率特性高低频情况图形及解释10.2C-V特性氧化层电荷的影响例图:因为Qss均为正电荷,需要额外牺牲负电荷来中和界面的正电,所以平带电压更负-----++10.2C-V特性界面陷阱的分类被电子占据（在EFS之下）带负电，不被电子占据（在EFS之上）为中性被电子占据（在EFS之下）为中性，不被电子占据（在EFS之上）带正电（界面陷阱）受主态容易接受电子带负电正常情况热平衡不带电施主态容易放出电子带正电图11.32氧化层界面处界面态示意图702.电子占据施主界面态的分布函数施主界面态能值基态简并度等于21.电子占据受主界面态的分布函数受主界面态能值基态简并度等于4界面态能级被电子所占据的概率10.2C-V特性界面陷阱的影响:堆积状态堆积状态：界面陷阱带正电，C-V曲线左移，平带电压更负例图:需要额外牺牲三个负电荷来中和界面态的正电,所以平带电压更负------+++施主态容易放出电子带正电禁带中央：界面陷阱不带电，对C-V曲线无影响10.2C-V特性界面陷阱的影响:本征状态反型状态：界面陷阱带负电，C-V曲线右移，阈值电压更正。10.2C-V特性界面陷阱的影响:反型状态例图:需要额外牺牲三个正电荷来中和界面态的负电,所以阈值电压升高___++++++受主态容易接受电子带负电

课外作业1．画出N沟临界增强型MOS管()的能带图。（1）标出图中各处的

及

（2）从图证明（3）计算空间电荷区的电场、电势和宽度。3．简述理想与实测的MOSFETC-V曲线平带点有何不同?2．MOS结构中，P型半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？并请画出相应的能带图。4.从式,证明处于热平衡状态的半导体费米能级处处相等。5.简述(1)耗尽层近似(2)什么是空间电荷区复合电流和产生电流？(3)什么是场效应？6.简要的回答并说明理由：①pn结的势垒电容与电压和频率分别有何关系？②pn结的扩散电容与电压和频率分别有何关系？小节内容氧化层电荷及界面态对C-V曲线的影响氧化层电荷影响及曲线界面态概念界面态影响概念曲线实例如何测C-V曲线如何看图解释出现的现象10.3节内容MOS结构电流电压关系——概念电流电压关系——推导跨导衬底偏置效应10.3MOSFET原理

MOSFET结构N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图BPGN+N+氮氮SDSiO2Ltox1.结构SGDB2.符号3.基本参数沟道长度L(跟工艺水平有关)沟道宽度W栅氧化层厚度toxMOSFET的类型沟道中导电的载流子类型N沟道（电子型）P沟道（空穴型）强反型时，导电沟道中的电子漂移运动形成电流强反型时，导电沟道中的空穴漂移运动形成电流VG＝0时，是否有导电沟道增强型耗尽型VG＝0时，无导电沟道VG＝0时，有导电沟道比较常用的是NMOS管，原因是导通电阻小，且容易制造。10.3MOSFET原理

MOSFET分类(1)n沟道MOSFETp型衬底，n型沟道，电子导电VDS>0，使电子从源流到漏p沟道MOSFETn型衬底，p型沟道，空穴导电VDS<0，使空穴从源流到漏按照导电类型的不同可分为：10.3MOSFET原理

MOSFET分类(2)n沟道增强型MOSFET零栅压时不存在反型沟道，VTN>0n沟道耗尽型MOSFET零栅压时已存在反型沟道，VTN<0按照零栅压时有无导电沟道可分为：10.3MOSFET原理

MOSFET分类(3)p沟道增强型MOSFET零栅压时不存在反型沟道，VTP<0p沟道耗尽型MOSFET零栅压时已存在反型沟道，VTP>0增强型：栅压为0时不导通N沟（正电压开启“1”导通）P沟（负电压开启“0”导通）耗尽型：栅压为0时已经导通N沟（很负才关闭）P沟（很正才关闭）理想MOS

施加偏压后的几种表面状态反型层:表面少子浓度>

表面多子浓度强反型:表面少子浓度≥体内多子浓度

导电沟道:强反型时漏源之间形成的导电通道阈值电压VT

：使半导体表面达到强反型时(ns≥p0)所需的栅源电压漏极：载流子流出沟道源极：载流子流入沟道

(漏源电压总是使载流子由源极流入沟道由漏极流出沟道)11.3.2N沟道增强型MOS场效应管工作原理1.VGS对半导体表面空间电荷区状态的影响(1)

VGS

=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SBD

当VGS

逐渐增大时，栅氧化层下方的半导体表面会发生什么变化？BPGSiO2SDN+N+(2)VGS

>0逐渐增大栅氧化层中的场强越来越大，它们排斥P型衬底靠近SiO2

一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大VGS

耗尽层变宽。当VGS继续升高时,沟道加厚，沟道电阻减少，在相同VDS的作用下，ID将进一步增加。BPGSiO2SDN+N+++--++--++++VGS--------反型层iD由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和SiO2

之间形成可移动的表面电荷层——反型层、N型导电沟道。这时，在VDS的作用下就会形成ID。(3)VGS

继续增大弱反型强反型VDS

阈值电压：使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压。用VT表示。阈值电压MOS场效应管利用VGS来控制半导体表面“感应电荷”的多少，来改变沟道电阻，从而控制漏极电流ID。

MOSFET是一种电压控制型器件。

MOSFET能够工作的关键是半导体表面必须有导电沟道，而只有表面达到强反型时才会有沟道形成。

2.VDS对导电沟道的影响(VGS>VT)c.VDS=VGS–VT，即VGD=VT：靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。VDS=VDSatb.0<VDS<VGS–VT，即VGD=VGS–VDS>VT:导电沟道呈现一个楔形。靠近漏端的导电沟道减薄。VDS>0，但值较小时：VDS对沟道影响可忽略，沟道厚度均匀VDSVGSBPGN+N+SDd.VDS>VGS–VT，即VGD<VT：夹断区发生扩展，夹断点向源端移动VGD=VGS–VDSVGSEL

半导体表面强反型形成导电沟道时，沟道呈现电阻特性，当漏-源电流通过沟道电阻时将在其上产生电压降。若忽略其它电阻，则漏端相当于源端的沟道电压降就等于漏-源偏置电压VDS。由于沟道上存在电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐渐减小，降落在栅下各处绝缘层上的电压不相等，反型层厚度不相等，因而导电沟道中各处的电子浓度不相等。当漏极电压持续增加，直到漏端绝缘层上的有效电压降低于表面强反型所需的阈值电压VT时，在靠近y=L处的反型层厚度xi将趋近于零，此处称为夹断点P，如图(b)．此时的漏-源电压称为饱和电压VDsat。超过夹断点后，漏极的电流量基本上维持不变，因为当VD>VDsat时，在P点的电压VDsat保持固定．沟道被夹断后，若VG不变，则当漏极电压持续增加时，超过夹断点电压VDsat的那部分即VDS-VDsat将降落在漏端附近的夹断区上，因而夹断区将随VDS的增大而展宽，夹断点P随之向源端移动，但由于P点的电压保持为VDsat不变，反型层内电场增强而同时反型载流子数减少，二者共同作用的结果是单位时间流到P点的载流子数即电流不变。一旦载流子漂移到P点，将立即被夹断区的强电场扫入漏区，形成漏源电流，而且该电流不随VDS的增大而变化，即达到饱和。此即为饱和区，如图(c)所示．当然，如果VDS过大，漏端p-n结会发生反向击传。3.N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线1）输出特性曲线(假设VGS=5V)

输出特性曲线非饱和区饱和区击穿区BVDSID/mAVDS/VOVGS=5VVGS=4VVGS=3V预夹断轨迹VDSat

过渡区线性区(d)VDS:VGD<VTBPN+N+VDSVGSGSDL<<L

VTVGSVGD(b)VDS:

VGD>VTBPN+N+VDSVGSGSDVGSVGD(c)VDS:VGD=VTBPN+N+VDSVGSGSDVGSVT(a)VDS很小VGSBPGN+N+SDVDSVGSVGD≈VGS

ID=IDSatVT

VGS/VID/mAO2）转移特性曲线(假设VDS=5V)

a.VGS<VT

器件内不存在导电沟道，器件处于截止状态，没有输出电流。

b.VGS>VT

器件内存在导电沟道，器件处于导通状态，有输出电流。且VGS越大，沟道导电能力越强，输出电流越大

转移特性曲线4.N沟道耗尽型MOS场效应管BPGN+N+SDSiO2

++++++1）N沟道耗尽型MOS场效应管结构1、结构2、符号SGDBID/mAVGS/VOVP(b)转移特性IDSS(a)输出特性ID/mAVDS/VO+1VVGS=0-3V-1V-2V432151015202）基本工作原理a.当VGS=0时，VDS加正向电压，产生漏极电流ID,此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示b.当VGS＞0时，ID进一步增加。c.当VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VP表示。种类符号转移特性曲线输出特性曲线

NMOS增强型耗尽型PMOS增强型耗尽型IDSGDBSGDBIDSGDBIDSGDBIDVGSIDOVTIDVGSVPIDSSOVDSID_VGS=0+__OIDVGSVTOIDVGSVPIDSSO_IDVGS=VTVDS_o_+VDSID+++OVGS=VTIDVGS=0V+_VDSo+小结按照导电类型分MOS管分为NMOS和PMOS。按照零栅压时有无沟道又分为增强型和耗尽型两种形式。

NMOS和PMOS结构十分相似，只是两者的衬底及源漏区掺杂类型刚好相反。特性曲线：输出特性曲线(非饱和区、饱和区、击穿区)

转移特性曲线(表征了VGS对ID的控制能力)工作原理：VGS：耗尽弱反型强反型

VDS：减薄夹断扩展耗尽型器件形成的原因，其基本特性与增强型器件之间的不同点。定性分析11.3MOSFET原理

I-V特性:基本假设沟道中的电流是由漂移而非扩散产生的（长沟器件）栅氧化层中无电流缓变沟道近似，即垂直于沟道方向上的电场变化远大于平行于沟道方向上的电场变化氧化层中的所有电荷均可等效为Si-SiO2界面处的有效电荷密度耗尽层厚度沿沟道方向上是一个常数沟道中的载流子迁移率与空间坐标无关衬底与源极之间的电压为零电流密度:(漂移电流密度为)11.3MOSFET原理

I-V特性:沟道电流X方向的电流强度：反型层中平行于沟道方向的电场：11.3MOSFET原理I-V特性:电中性条件高斯定理相互抵消E5=E6=0，即使有也相互抵消E3＝0表面所在材料的介电常数某闭合表面沿闭合表面向外法线方向的电场强度该闭合表面所包围区域的总电荷量11.3MOSFET原理

I-V特性:表面电荷dxW24315611.3MOSFET原理I-V特性:氧化层电势11.3MOSFET原理I-V特性:反型层电荷与电场氧化层电势半导体表面空间电荷区的单位面积电荷氧化层中垂直于沟道方向的电场由上三式可得反型层单位面积的电荷不应是x或Vx的函数（电流连续性定律）11.3MOSFET原理

I-V特性:线性区与饱和区11.3MOSFET原理μ和VT的测试提取方法高场下迁移率随电场上升而下降存在亚阈值电流n沟耗尽型n沟增强型11.3MOSFET原理p沟增强型MOSFET的I-V特性注：Vds=-Vsd

Vgs=-Vsg,等11.3MOSFET原理跨导(晶体管增益):模型跨导用来表征MOSFET的放大能力：令材料参数设计参数工艺参数影响跨导的因素：小节内容电流电压关系——推导跨导器件结构迁移率阈值电压WL(p350第二段有误：L增加，跨导降低)tox作业：

试分析VGS,VDS对增强型PMOS及耗尽型PMOS导电沟道及输出电流的影响，并推导其电流电压方程。11.3MOSFET原理衬底偏置效应(1)≥0必须反偏或零偏Vsb=Vs-Vb>0,即Vb更负（这样才反偏）在沟道源端感应出来的电子全跑掉了11.3MOSFET原理衬底偏置效应(2)能带图衬底偏压表面准费米能级反型条件耗尽层电荷不同衬偏电压条件下的能带图：11.3MOSFET原理衬底偏置效应(3)现象反型层电子势能比源端电子势能高→电子更容易从反型层流到源区→达到反型所需的电子浓度需更高的栅压；反型层-衬底之间的电势差更大→表面耗尽层更宽、电荷更多→同样栅压下反型层电荷更少；表面费米能级更低→要达到强反型条件需要更大的表面势；11.3MOSFET原理衬底偏置效应(4)阈值电压负的耗尽层电荷更多需更大的正栅压才能反型，且VSB越大，VT越大体效应系数小节内容衬底偏置效应P阱更负，n管阈值上升N衬底更正，p管阈值更负此种类型偏置经常做模拟用途。例11.10：T=300K，Na=3×1016cm-3，tox=500埃，VSB=1V△VT=0.66V11.4频率限制特性交流小信号参数源极串联电阻栅源交叠电容漏极串联电阻栅漏交叠电容漏-衬底pn结电容栅源电容栅漏电容跨导寄生参数本征参数11.4频率限制特性完整的小信号等效电路共源n沟MOSFET小信号等效电路总的栅源电容总的栅漏电容与I