半导体专业词汇

acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)acceptor: 受主，如：8,掺入Si中需要接受电子ACCESS:一个EDA(EngineeringDataAnalysis)系统Acid:酸Activedevice:有源器件，如MOSFET(非线性，能够对信号放大)Alignmark(key):对位标志Alloy:合金Aluminum:铝Ammonia:氨水Ammoniumfluoride:NH4FAmmoniumhydroxide:NH4OHAmorphoussilicon:a-Si，非晶硅(不是多晶硅)Analog:模拟的Angstrom:A(1E-10m)埃Anisotropic:各向异性(如POLYETCH)AQL(AcceptanceQualityLevel):接受质量标准，在必定采样下，能够95%置信度经过质量标准(不一样于靠谱性，靠谱性要求一准时间后的无效率)ARC(Antireflectivecoating):抗反射层(用于METAL等层的光刻)Antimony(Sb)锑Argon(Ar)氩Arsenic(As)砷Arsenictrioxide(As2O3) 三氧化二砷Arsine(AsH3)Asher:去胶机Aspectration:容貌比(ETCH中的深度、宽度比)Autodoping:自夹杂(外延时SUB的浓度高，致使有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层)Backend:后段(CONTACT此后、PCM测试前)Baseline:标准流程Benchmark:基准Bipolar:双极Boat:扩散用(石英)舟CD: (CriticalDimension)临界(重点)尺寸。在工艺上往常指条宽， 比如POLYCD为多晶条宽。Characterwindow:特点窗口。用文字或数字描绘的包含工艺全部特征的一个方形地区。Chemical-mechanicalpolish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。Chemicalvapordeposition(CVD):化学汽相淀积。一种经过化学反响生成一层薄膜的工艺。Chip:碎片或芯片。CIM:computer-integratedmanufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。Circuitdesign:电路设计。一种将各样元器件连结起来实现必定功能的技术。Cleanroom:一种在温度，湿度和干净度方面都需要知足某些特别要求的特定地区。Compensationdoping :赔偿混杂。向P型半导体掺入施主杂质或向 N型掺入受主杂质。CMOS:complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混淆制造的工艺。Computer-aideddesign（CAD）:计算机协助设计。Conductivitytype :传导种类，由多半载流子决定。在 N型资猜中多半载流子是电子，在P型资猜中多半载流子是空穴。Contact:孔。在工艺中往常指孔1，即连结铝和硅的孔。Controlchart:控制图。一种用统计数据描绘的能够代表工艺某种性质的曲线图表。Correlation:有关性。Cp:工艺能力，详见processcapability。Cpk:工艺能力指数，详见processcapabilityindex。Cycletime:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。往常用来权衡流通速度的快慢。Damage:损害。关于单晶体来说，有时晶格缺点在表面办理后形成没法修复的变形也能够叫做损害。Defectdensity:缺点密度。单位面积内的缺点数。Depletionimplant :耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。 （耗尽晶体管指在栅压为零的状况下有电流流过的晶体管。 ）Depletionlayer:耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的地区。Depletionwidth:耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个地区的宽度。Deposition:淀积。一种在圆片上淀积必定厚度的且不睦下边层次发生化学反响的薄膜的一种方法。Depthoffocus（DOF）：焦深。designofexperiments（DOE）:为了达到花费最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。develop:显影（经过化学办理除掉曝光地区的光刻胶，形成所需图形的过程）developer:1）显影设施；II）显影液diborane（B2H6）:乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源dichloromethane（CH2CL2） :二氯甲，一种无色，不行燃，不行爆的液体。dichlorosilane（DSC）:二氯甲硅烷，一种可燃，有腐化性，无色，在湿润环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在堆积二氧化硅、氮化硅时的化学氛围中。die:硅片中一个很小的单位，包含了设计完好的单个芯片以及芯片周边水平易垂直方向上的部分划片槽地区。dielectric:1）介质，一种绝缘资料；II）用于陶瓷或塑料封装的表面资料，能够提供电绝缘功能。diffusedlayer:扩散层，即杂质离子经过固态扩散进入单晶硅中，在邻近硅表面的地区形成与衬底资料反型的杂质离子层。disilane（Si2H6）:乙硅烷，一种无色、无腐化性、极易燃的气体，焚烧时能产生高火焰，裸露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于堆积多晶硅薄膜。drive-in:推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中散布扩散。dryetch:干刻，指采纳反响气体或电离气体除掉硅片某一层次中未受保护地区的混淆了物理腐化及化学腐化的工艺过程。effectivelayerthickness:有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。EM：electromigration，电子迁徙，指由经过铝条的电流致使电子沿铝条连线进行的自扩散过程。epitaxiallayer :外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体资料，这一单晶半导体层即为外延层。equipmentdowntime:设施状态异样以及不可以达成预约功能的时间。etch:腐化，运用物理或化学方法有选择的去除不需的地区。exposure:曝光，使感光资料感光或受其余辐射资料照耀的过程。fab:常指半导体生产的制造工厂。featuresize :特点尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。field-effecttransistor(FET):场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。film:薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。flat:平边flatbandcapacitanse:平带电容flatbandvoltage :平带电压flowcoefficicent :流动系数flowvelocity:流速计flowvolume:流量计flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数forbiddenenergygap:禁带four-pointprobe:四点探针台functionalarea:功能区gateoxide:栅氧glasstransitiontemperature :玻璃态变换温度gowning:净化服grayarea:灰区grazingincidenceinterferometer :切线入射干预仪hardbake:后烘heteroepitaxy :单晶长在不一样资料的衬底上的外延方法high-currentimplanter :束电流大于 3ma的注入方式，用于批量生产hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter :高效率空气颗粒过滤器，去掉 99.97%的大于0.3um的颗粒host:主机hotcarriers :热载流子hydrophilic:亲水性hydrophobic:疏水性impurity:杂质inductivecoupledplasma(ICP):感觉等离子体inertgas:惰性气体initialoxide:一氧insulator:绝缘isolatedline:隔绝线implant:注入impurityn:混杂junction:结junctionspikingn:铝穿刺kerf:划片槽landingpadn:PADlithographyn制版maintainability,equipment: 设施产能maintenancen:养护majoritycarriern: 多半载流子masks,deviceseriesofn: 一成套光亥。版materialn:原料matrixn1:矩阵meann:均匀值measuredleakraten:测得漏率mediann:中间值memoryn:记忆体metaln:金属nanometer(nm)n:纳米nanosecond(ns)n:纳秒nitrideetchn:氮化物刻蚀nitrogen(N2)n:氮气，一种双原子气体n-typeadj:n型ohmspersquaren:欧姆每平方：方块电阻orientationn:晶向，一组晶列所指的方向overlapn:交迭区oxidationn:氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反响phosphorus(P)n:磷，一种有毒的非金属元素photomaskn :光刻版，用于光刻的版photomask,negativen :反亥Uimages:去掉图形地区的版photomask,positiven :正亥Upilotn:先行批，用以考证该工艺能否切合规格的片子plasman :等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n : 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn :TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺pnjunctionn :pn结pockedbeadn:麻点，在20X下察看到的吸附在低压表面的水珠polarizationn:偏振，描绘电磁波下电场矢量方向的术语polyciden:多晶硅/金属硅化物， 解决高阻的复合栅构造polycrystallinesilicon(poly)n:多晶硅，高浓度混杂( >5E19)的硅，能导电。polymorphismn:多态现象，多晶形成一种化合物以起码两种不一样的形态结晶的现象probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设施， 用以连结圆片和检测设施。processcontroln: 过程控制。半导体系造过程中，对设施或产品规范的控制能力。proximityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用 X射线照耀置于光刻胶上方的掩 膜版，进而使对应的光刻胶暴光。purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。quantumdevicen: 量子设施。一种电子设施构造，其特征源于电子的颠簸性。quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n: 随机储存器。randomlogicdevicen: 随机逻辑器件。rapidthermalprocessing(RTP)n: 迅速热办理(RTP)。reactiveionetch(RIE)n: 反响离子刻蚀(RIE)。reactorn:反响腔。反响进行的密封隔绝腔。recipen:菜单。生产过程中对圆片所做的每一步办理规范。resistn:光刻胶。scanningelectronmicroscope(SEM)n: 电子显微镜(SEM)。scheduleddowntimen:(设施)预约歇工时间。Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。scribelinen: 划片槽。sacrificialetchbackn:牺牲腐化。semiconductorn: 半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n: 薄层电阻。一般用以权衡半导体表面杂质掺杂水平。sideload:边沿载荷，被曲折后产生的应力。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer: 外延是蓝宝石衬底硅的原片smallscaleintegration(SSI): 小规模综合，在单调模块上由 2至到10个图案的布局。sourcecode:原代码，机器代码编译者使用的， 输入到程序设计语言里或编码器的代码。spectralline:光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕获到的狭长状的图形。spinwebbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的节余物。sputteretch:溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除掉薄膜。stackingfault: 堆垛层错，原子一般聚积规律的背叛产生的 2次空间错误。steambath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其余温度热源的暴光。stepresponsetime: 瞬态特征时间，大部分流量控制器实验中， 一般变化时段到气流刚抵达特定地带的那个时辰之间的时间。stepper:步进光刻机(按BLOCK来曝光)stresstest: 应力测试，包含特定的电压、温度、湿度条件。surfaceprofile: 表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的状况下) 。symptom:征兆，人员感觉到在必定条件下产生变化的弊端的主观认识。tackweld:中断焊，往常在角落上找寻早先有的地址进行的点焊(用于连结盖子) 。Taylortray:泰勒盘，褐拈土构成的高膨胀物质。temperaturecycling: 温度周期变化，丈量出的重复出现相近似的高低温循环。testability:易测性，关于一个已给电路来说，哪些测试是合用它的。thermaldeposition:热堆积，在超出950度的高温下，硅片引入化学混杂物的过程。thinfilm:超薄薄膜，聚积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特别薄膜。titanium(Ti):钛。toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这

种混淆物不溶于水但溶于酒精和大气。tungsten(W): 钨。tungstenhexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或许是淡黄色液体。在 CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。totalfixedchargedensity(Nth):以下是硅表面不行动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度 (Not)、界面负获取电荷密度 (Nit)。watt(W):瓦。能量单位。waferflat:从晶片的一面直接切下去，用于表示自由载流子的导电种类和晶体表面的晶向，也可用于在办理和雕合过程中的摆列晶片。waferprocesschamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。well:阱。wetchemicaletch:湿法化学腐化。trench:深腐化地区，用于从另一地区隔绝出一个地区或许在硅晶片上形成储存电容器。via:通孔。使隔着电介质的上下两层金真实现电连结。window:在隔绝晶片中，同意上下两层实现电连结的绝缘的通道。torr:托。压力的单位。vaporpressure:当固体或液体处于均衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。vacuum:真空。transitionmetals:过渡金属ACAAnisotropicConductiveAdhesive各向异性导电胶ACAFAnisotropicConductiveAdhesiveFilm各项异性导电胶膜AlAluminium铝ALIVHAllInnerViaHole完好内部通孔AOIAutomaticOptialInspection自动光学检查ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit专用集成电路ATEAutomaticTestEquipment 自动监测设施AUGold金BCBBenzocyclohutene,BenzoCycloButene 苯丙环丁烯BEOBerylliumOxide氧化铍BISTBuilt-InSelf-Test(Function) 内建自测试(功能)凸点载带自动焊带缓冲垫的四边引脚扁平封装BITBipolarTransistor双极晶体管BTABBumpedTapeAutomatedBondingBGABallGridArray焊球阵列凸点载带自动焊带缓冲垫的四边引脚扁平封装C4ControlledCollapsedChipConnection 可控塌陷芯片连结CADComputerAidedDesign 计算机协助设计CBGACeramicBallGridArray陶瓷焊球阵列CCGACeramicColumnGridArray陶瓷焊柱阵列CLCCCeramicLeadedChipCarrier带引脚的陶瓷片式载体CMLCurrentModeLogic 电流开关逻辑CMOSComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor 互补金属氧化物半导体COBChiponBoard 板上芯片COCChiponChip叠层芯片COGChiponGlass 玻璃板上芯片CSPChipSizePackage 芯片尺寸封装CTECoefficientofThermalExpansion 热膨胀系数CVDChemicalVaporDepositon 化学汽相淀积DCADirectChipAttach 芯片直接安装DFPDualFlatPackage两侧引脚扁平封装DIPDoubleIn-LinePackage双列直插式封装DMSDirectMetallizationSystem直接金属化系统DRAMDynamicRandomAccessMemory动向随机存取存贮器DSODualSmallOutline两侧引脚小外形封装DTCPDualTapeCarrierPackage 双载带封装3DThree-Dimensional三维2DTwo-Dimensional二维EBElectronBeam电子束ECLEmitter-CoupledLogic射极耦合逻辑FCFlipChip倒装片法FCBFlipChipBonding倒装焊FCOBFlipChiponBoard板上倒装片FEMFiniteElementMethod 有限元法FPFlatPackage扁平封装FPBGAFinePitchBallGridArray窄节距BGAFPDFinePitchDevice窄节距器件FPPQFPFinePitchPlasticQFP窄节距塑料QFPGQFPGuard-RingQuadFlatPackage带保护环的QFPHDIHighDensityInterconnect高密度互连HDMIHighDensityMultilayerInterconnect 高密度多层互连HICHybirdIntegratedCircuit 混淆集成电路HTCCHighTemperatureCo-FiredCeramic 高温共烧陶瓷HTSHighTemperatureStorage高温储存ICIntegratedCircuit集成电路IGBTInsulatedGateBipolarTransistor 绝缘栅双极晶体管ILBInner-LeadBond内引脚焊接I/OInput/Output输入/输出IVHInnerViaHole内部通孔JLCCJ-LeadedChipCarrierJ 形引脚片式载体KGDKnownGoodDie优良芯片LCCLeadlessChipCarrier 无引脚片式载体LCCCLeadlessCeramicChipCarrier 无引脚陶瓷片式载体LCCPLeadChipCarrierPackage 有引脚片式载体封装LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示器LCVDLaserChemicalVaporDeposition 激光化学汽相淀积LDILaserDirectImaging 激光直接成像LGALandGridArray焊区阵列LSILargeScaleIntegratedCircuit 大规模集成电路LOCLeadOverChip 芯片上引线健合LQFPLowProfileQFP薄形QFPLTCCLowTemperatureCo-FiredCeramic低温共烧陶瓷MBGAMetalBGA金属基板BGAMCAMultipleChannelAccess 多通道存取MCMMultichipModule多芯片组件MCM-CMCMwithCeramicSubstrate 陶瓷基板多芯片组件MCM-DMCMwithDepositedThinFilmInteconnectSubstrate 淀积薄膜互连基板多芯片组件MCM-LMCMwithLaminatedSubstrate 叠层基板多芯片组件MCPMultichipPackage多芯片封装MELFMetalElectrodeFaceBonding 金属电极表面健合MEMSMicroelectroMechanicalSystem 微电子机械系统MFPMiniFlatPackage 微型扁平封装MLCMulti-LayerCeramicPackage多层陶瓷封装MMICMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit 微波单片集成电路MOSFETMetal-Oxide-SiliconField-EffectTransistor 金属氧化物半导体场效应晶体管MPUMicroprocessorUnit微办理器MQUADMetalQuad金属四列引脚MSIMediumScaleIntegration 中规模集成电路OLBOuterLeadBonding外引脚焊接PBGAPlasticBGA塑封BGAPCPersonalComputer 个人计算机PFPPlasticFlatPackage塑料扁平封装PGAPinGridArray针栅阵列PIPolymide聚酰亚胺PIHPlug-InHole通孔插装PTFPlasticLeadedChipCarrier塑料有引脚片式载体PTFPolymerThickFilm 聚合物厚膜PWBPrintedWiringBoard印刷电路板PQFPPlasticQFP塑料QFPQFJQuadFlatJ-leadedPackage四边J形引脚扁平封装QFPQuadFlatPackage四边引脚扁平封装

QIPQuadIn-LinePackage 四列直插式封装RAMRandomAccessMemory 随机存取存贮器单芯片集成模块SBBStud-BumpBonding钉头凸点焊接SBCSolder-BallConnection 焊球连结单芯片集成模块单级集成模块窄节距双列直插