晶体管原理1-2课件

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部分习题解答部分物理常数：第2章1、在N区耗尽区中，高斯定理为：

取一个圆柱形体积，底面在PN结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于x处。则由高斯定理可得：当x=xn时，E(x)=0，因此，于是得：

（2-5a）3、6、

ND2

ND1

8、(1)(2)20、31、当N-

区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当N-

区缩短到W=3m时，雪崩击穿电压成为：34、39、2、NPN缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图3、6、9、10、(1)(2)(3)(4)14、20、当忽略基区中的少子复合及ICEO时，27、实质上是ICS

。22、48、当IE很大时，这时α0<α

；当IE

很小时，这时α0>α

；在IE

很小或很大时，α都会有所下降。在正常的IE

范围内，α几乎不随IE

变化，这时

β0与β

也有类似的关系。58、59、65、(1)(3)(2)(4)68、

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