金属有机化学基础-过渡金属有机化合物的基元反应

金属有机化学基础

第5章过渡金属有机化合物的基元反应1编辑课件第5章过渡金属有机化合物的基元反应配位体置换反应氧化加成和还原消除插入和脱出（反插入）反应过渡金属有机化合物配体上的反应2编辑课件5.1过渡金属有机化合物的配体置换反应配位饱和的过渡金属有机配合物的配体置换是它们的重要化学性质，也是它们实现催化作用的首要条件。

原有配体被另一个配体---反应底物置换，使底物进入配位圈，改变了底物的化学键状态而得到活化，并接着在配位圈内发生反应。

这是配位催化中第一种反应底物进入配位圈的途径。

3编辑课件5.1.1解离和络合反应

与一般有机化合物相比，金属与配体之间的键要弱很多，因此配体的解离是比较容易发生的。4编辑课件19e17e5编辑课件6编辑课件配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离；而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体；一般配体的解离和络合只发生在L型配体上，X，LX，L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-，LX-，L2X-时，也能实现X，LX，L2X配体的“解离”；采用外部辅助手段，如光化学、超声、微波，能加快解离过程。配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离；而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体；一般配体的解离和络合只发生在L型配体上，X，LX，L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-，LX-，L2X-时，也能实现X，LX，L2X配体的“解离”；采用外部辅助手段，如光化学、超声、微波，能加快解离过程。配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离；而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体；一般配体的解离和络合只发生在L型配体上，X，LX，L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-，LX-，L2X-时，也能实现X，LX，L2X配体的“解离”；采用外部辅助手段，如光化学、超声、微波，能加快解离过程。配位饱和的18e过渡金属有机化合物容易发生配体的解离；而配位不饱和的过渡金属有机化合物才能进一步结合配体；一般配体的解离和络合只发生在L型配体上，X，LX，L2X通常不能发生;当有Lewis酸存在并能攫取X-，LX-，L2X-时，也能实现X，LX，L2X配体的“解离”；采用外部辅助手段，如光化学、超声、微波，能加快解离过程。7编辑课件5.1.2取代反应

平面四边形结构过渡金属有机配合物中的一个配体在发生配体置换反应时，对位配体的性质对反应有明显影响，这一现象称为“反位影响”，是一个热力学概念。它是指过渡金属有机配合物处在基态时，一个配体削弱对位配体与金属之间化学键的程度。在反应过程中这种影响表现为“反位效应”。这是一个动力学概念，是指过渡金属有机配合物中的某一配体对处于它对位配体的置换反应速度的影响。8编辑课件常见配体“反位效应”的强弱次序：H2O,OH-,NH3,Py<Cl-,Br-<SCN-,I-,NO2-,C6H5-<CH3-,SC(NH2)-<H-,PR3<C2H4,CN-,CO。9编辑课件配体电子效应的量度Tolman合成了70多个Ni(CO)3L配合物(L=叔膦)。然后研究了不同叔膦对配合物中羰基IR伸缩振动频率变化的影响。

配体空间影响的量度10编辑课件表5-5NiL4中膦配体的空间角与离解常数的关系

LKd/MLKd/MP(OEt)3<10-10(70oC)109PPh3很大145PMe3<10-9(70oC)118P(i-Pr)3很大160P(o-C6H4Cl)32x10-10128PBn3很大165P(p-tol)36x10-10128PCy3很大170P(OPr-i)32.7x10-5130P(t-Bu)3很大182PEt31.2x10-2132P(o-tol)3很大194P(o-tol)34.0x10-2141P(mesityl)3很大212PMePh25.0x10-213611编辑课件5.2氧化加成和还原消除

中性分子加成到配位不饱和的低价过渡金属有机配合物上，使过渡金属的氧化态和配位数均升高的反应称氧化加成反应。氧化加成反应的逆反应称为还原消除反应。又分为两种情况：1.氧化加成反应使氧化态和有效原子序数都增加“2”（1）中性的A-B分子间化学键断裂，加成到一个过渡金属原子上。（2）环状化合物开环加成到一个过渡金属原子上。（3）不饱和化合物与金属原子形成环状金属配合物。5.2.1氧化加成12编辑课件13编辑课件2.氧化加成反应使氧化态和有效原子序数都增加“1”：（1）中性的A-B分子间化学键断裂，分别加成到两个过渡金属原子上。（2）中性的A-B分子间化学键断裂，加成M-M键之间，14编辑课件

氧化加成是反应底物进入过渡金属有机配合物配位圈的第二种途径。

Vaska配合物的氧化加成反应Vaska配合物IrCl(CO)(Ph3P)2中铱是正一价，即d8，采取dsp2杂化，具有平面四边形结构。它的EAN=16，是配位不饱和的，是研究氧化加成反应的典型实例。15编辑课件卤代烃为反式加成16编辑课件17编辑课件图5-5Vaska配合物的氧化加成反应

18编辑课件C-O键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应

19编辑课件含C-C键的有机化合物与过渡金属有机配合物的氧化加成反应

20编辑课件醛基C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应21编辑课件活泼C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应22编辑课件饱和C-H键与过渡金属有机配合物的氧化加成反应23编辑课件氧化加成的机理

1）三中心加成机理涉及非极性键的加成，如H2,R3Si-H,RH,ArH,R3Sn-H,RSH,Ph-P-Ph2,B-H加成的容易程度取决于与M-X、M-R相比，R-X键的相对强度；

H-H>H-Si>H-C>C-C

快

慢需要金属中心有2e-的空配位，可以本身具有或通过失去部分配体产生；配体通过其s-键电子作为给体与金属作用；金属通过p-反馈键贡献电子云密度给配体；如果贡献了足够的电子云密度，H-X键断裂：H-X从侧边配位，造成的结果是顺式加成。24编辑课件氧化加成的机理

2）氧化加成的SN2反应机理---卤代烃的加成

立体化学翻转；R-X的立体位阻越大，反应活性越低：Me>伯>仲>叔X的类型对反应活性有显著影响：-OSO2(C6H4Me)>I->Br->Cl-极性溶剂对反应有利，可以稳定带电的中间体；金属上的电子密度越高，碳原子上电子密度越低反应就更容易。

25编辑课件3）氧化加成的的SN1反应机理26编辑课件4）氧化加成的自由基机理(a)非链式自由基机理

主要针对卤代烃的氧化加成；金属碱性越强，对反应越有利；

RI>RBr>RCl；

叔R>仲R>伯R>Me（自由基的稳定程度）；立体化学发生消旋化。27编辑课件(b)链式自由基机理L=PMe3需要自由基引发剂，O228编辑课件5.2.2还原消除

还原消除反应是氧化加成的逆反应。发生还原消除反应时，配合物的氧化态及有效原子序数均下降"2"，形成A-B型的消除产物。29编辑课件还原消除经过一个非极性、非自由基的三中心过渡态。在还原消除过程中，发生顺式消除，碳原子上的立体结构保持不变，是分子内反应。

图5-8还原消除的三中心过渡态

30编辑课件为证明反应是分子内的，做以下交叉实验：没有CH3-CD3，说明不是双分子机理。31编辑课件由于还原消除反应按三中心过渡态机理进行，发生消除反应的两个配体在过渡金属有机配合物中必须处在顺位。32编辑课件还原消除的容易程度与各相关键的强度有关：消除H比较容易，仅1s轨道，不需在消除前进行重排；碳的轨道较多，涉及更多的结构重排；C-H≈H-H>C-C；消除H-H略慢于C-H，因为M-H键强于M-C键；M-C键的强度随其中s-轨道成份的增加而增加：sp3<sp2<sp

消除的容易程度：影响还原消除的因素33编辑课件金属上的电子密度对消除反应有影响：a）易发生消除反应的金属及d“构型”

通常见于满足18e-的金属化合物，且还原消除能得到稳定的金属碎片；氧化态越高，越容易发生还原消除；

d8=Ni(II),Pd(II),Au(III)d6=Pt(IV),Pd(IV),Ir(III),Rh(III)b）金属上的正电荷增加还原消除的速率34编辑课件还原消除过程中，配体的离去表现为带走金属上的电子云密度；这也成为驱动还原消除反应发生的动力；在反应过程中加入吸电子的配体，减少金属上的电子云密度，可加速还原消除反应；如顺丁烯二酸酐，丙烯腈等。c）加入其它配体降低金属上的电子云密度增加还原消除的速率35编辑课件d）还原消除的氧化诱导稳定的金属有机化合物可以通过氧化金属中心诱导其发生还原消除反应：36编辑课件5.3插入和脱出（反插入）反应

不饱和烃或含有孤对电子的化合物插入过渡金属有机配合物的M-C，M-X或M-H键的反应称插入反应，逆反应称脱出(反插入)反应。1,2插入1,1插入R是烷基、芳香基、氢。A=B代表含C=C、C=O、C=N键的有机化合物；:A=B代表:CO、:CR2等。37编辑课件羰基的插入

许多含M-R键的过渡金属有机配合物能插入CO，得到酰基配合物。

CO插入M-R键可能有两种途径，即CO直接插入到M-R键中和R基团迁移到CO上:

研究表明是烷基迁移而不是CO插入。38编辑课件烷基的迁移插入过程可以看成是分子内的亲核进攻，插入过程中烷基碳立体化学得以保留：39编辑课件

烷基迁移的速度与M-C键的强度有关（立体和键强度因素）：

iPr>Et>Me>CH2Ph>allyl(s-键）烷基具有好的给电子能力（亲核能力）加速迁移过程：

CH3>CH2F>CF3在同族过渡金属有机配合物中，上一周期的比下一周期的过渡金属有机配合物更容易发生烷基迁移反应。

40编辑课件加速CO插入速率的方法a）金属的1e-氧化降低金属的p-给电子能力，使羰基碳的电正性增加，可加速迁移速率：加入Ce(IV)作氧化剂，使反应在低温-78℃下就可发生；反应速率增加了近10倍。41编辑课件b）在羰基碳上引入拉电子因素，稳定所生成的产物Lewis酸的存在使迁移速率飞速增加，约108倍。42编辑课件c）在金属上的亲核推力

进攻基团的亲核性增加，插入速率增加；配位能力强的溶剂增加插入速率。使插入反应减慢43编辑课件

烯烃插入M-H键和b-H消除反应

烯烃对M-H键的插入反应是烯烃催化加氢、金属-氢化反应的基础。烯烃插入M-H键的逆反应是b-H消除反应。烯烃要插入M-H键，必须首先配位到过渡金属上，经过一个环状活性物种，按顺式插入而完成反应。

44编辑课件烯烃的插入和b-H消除是竞争反应；b-H消除反应通常是占优的，需要构成一个平面的四元环过渡态；烯烃的不对称结构会使插入产生区域选择性；45编辑课件影响插入和b-H消除平衡反应的因素a）烯烃的取代基

烯烃上取代基具有更多的拉电子作用则使平衡移向烷基----金属-烯烃配合物变得不稳定（差的s-给电子烯烃）b）存在或缺少一个顺式的空配位点

为使反应移向烷基，即发生插入反应，必须填占与烷基处于顺式的空配位点；可通过加入另一个配体

46编辑课件c）金属的性质前过渡金属倾向于平衡的插入端，金属上的电子云密度太少而不能形成稳定的金属-烯烃配合物；后过渡金属倾向于b-H消除，因为它们能形成稳定的金属-烯烃配合物；因此前过渡金属能被用来研究烯烃的聚合以及重排、异构化；Schwartz试剂47编辑课件

不对称烯烃RCH2CH=CH2插入M-H键有两种途径：马氏规则反马规则48编辑课件

烯烃插入M-R键和b-H消除反应

49编辑课件烯烃的插入时顺式的，因此烯烃两个碳上的立体化学因素均得以保留；烯烃插入M-H比插入M-C键要容易；50编辑课件b-H消除反应

b-H消除反应是金属烷基化合物的主要分解方式：促使b-H消除反应发生的因素：

必须具有b-H原子，没有b-H原子的烷基比较稳定：CH2CMe3,-CH2PhM-C-C-H的位置，烷基必须能与金属中心共平面；必须有空的、顺式的配位点；金属有电子能与C-H形成p-反馈键来断裂C-H键；p-反馈键51编辑课件

有机分子与过渡金属配位后，化学性质与配位前往往有较大差别。5.4过渡金属有机配合物配体上的反应配位在过渡金属有机配合物上的芳烃芳香族化合物配位在缺电子的过渡金属有机配合物上后，芳环上的电子云密度降低，如苯甲酸、苯乙酸与Cr(CO)6配位后酸性都增强了，其酸性与对位有一个硝基差不多。52编辑课件

表5-8配位后芳酸的酸性芳酸PhCO2H(6-PhCO2H)Cr(CO)3p-NO2-C6