灵敏度因子灵敏度因子教程文件

灵敏度因子灵敏度因子实用XPS定量方法可以概括为标样法，第一性原理模型和元素灵敏度因子法。标样法需制备一定数量的标准样品作为参考，且标样的表面结构和组成难于长期稳定和重复使用，故一般实验研究均不采用。目前XPS定量分析多采用元素灵敏度因子法。该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量。6.1.1、第一性原理模型(FirstPrincipleModel)从光电子发射的“三步模型”出发，将所观测到的谱线强度和激发源，待测样品的性质以及谱仪的检测条件等统一起来考虑，形成一定的物理模型。由于模型涉及较多的因素，目前还缺乏必要精度的实验数据，因此一级原理模型计算还未得到真正应用。其中:Iij为i元素j峰的面积，K为仪器常数，T(E)为分析器的传输函数，Lij()是i元素j轨道的角不对称因子，ij为表面i元素j轨道的的光电离截面，ni(z)为表面i元素在表面下距离z处的原子浓度，(E)为光电子的非弹性平均自由程，θ是测量的光电子相对于表面法线的夹角。

6.1.2、元素灵敏度因子法原子灵敏度因子--由标样得出的经验校准常数。该方法利用特定元素谱线强度作参考标准，测得其它元素相对谱线强度，求得各元素的相对含量。元素灵敏度因子法是一种半经验性的相对定量方法。对于单相均匀无限厚固体表面:因此，

式中Sij=KT(E)Lij()ij(E)cos

T(E)ij(E)定义为原子灵敏度因子，它可用适当的方法加以计算，一般通过实验测定。可取SF1s=1作为标准来确定其它元素的相对灵敏度因子。ni

∝Iij

/Sij=Ni(1)、原子百分数的计算归一化面积(NA)由谱峰面积(IA)来计算NA=

IA/Si因而样品中任一元素的相对原子浓度由下式算出:113(2)、灵敏度因子灵敏度因子(归一化因子)包括下面几项:X射线电离截面项

(特定跃迁将产生多少光电子)分析深度项

(并入l值中)传输函数项

(谱仪对特定动能电子检测的能力)不同仪器得出的灵敏度因子之间的归一化

(比如CMA和HAS之间)113元素的相对灵敏度因子1s2p3d4d4f(3)、原子浓度的计算方法由两不同的数据库计算的归一化面积为:Scofield

NA=PeakArea/SF(Scofield)xE0.6xTFWagner

NA=PeakArea/SF(Wagner)xExTF因而给出原子浓度:136.1.3、定量精确度和误差来源113使用原子灵敏度因子法进行定量分析：在优化条件下，对每个主峰从ＸＰＳ主峰计算的原子百分数值的定量精确度为90-95%。若使用高水平质量控制规程，精确度能进一步改善。在常规工作条件下，材料表面混合有污染物，报告的原子百分数值定量精确度为80%~90%。以XPS弱峰（其峰强度为最强峰的10-20%）的定量精确度是其真值的60-80%，并依赖于改善信噪比的努力程度。对于任一元素选择具有最大原子灵敏度因子的最强峰定量以最大化检测灵敏度和精确度。定量精密度（重复测量并得到相同结果的能力）是正确报告定量结果的基本考量。95%的置信度是可认为有效的。XPS在一般情形下定量精密度优于98%。定量的不确定性来源定量计算结果中存在的不确定性来源定量精确度取决于几个参数，如信噪比、峰强度测定、相对灵敏度因子的精确度、传输函数修正、表面的体均匀性、电子ＩＭＦＰ的能量相关修正、样品在分析过程中的退化度，样品表面污染层的存在等。峰强度的测定?

如何测量峰面积,从什么位置到什么位置,包括什么,什么形状背底等灵敏度因子数据库的精确度?

不同的数据库给出不同的结果

–

哪个更好?传输函数的精确度?

对特定仪器传输函数定义的准确程度如何此外元素化学态不同6.1.4、一个定量分析例子一材料的全谱扫描检测到只有碳和氧存在，高分辨C1s和O1s扫描表明分别存在4个和3个子峰。用下面提供的数据计算C/O原子比和每一组分在样品中存在的百分比。同时提出一个关于此样品的化学结构，并给出对应每个子峰的自恰指认。激发源使用AlKX射线。结合能值已对样品荷电进行过校正。C1s和O1s的原子灵敏度因子分别为0.296和0.711。

谱峰EB(eV)面积C1s285.02000C1s286.6700C1s289.0700C1s291.6100O1s532.11600O1s533.71685O1s538.785**定量分析例子解：

C:C:C:O:O=3:1:1:1:1可能的分子结构：

C5mHnO2m

或C10HnO46.2深度剖析方法某些情况下我们不仅需要知道表面的性质，而且想要得知样品内部（体相）分布的信息。对非均相覆盖层，需要进行深度分布分析来了解元素随深度分布的情况。ESCALAB250对XPS深度剖析的优化几何设计使其具有极好的深度分辨。低能离子溅射和样品转动进一步改善了数据的品质。有两种方法来测定这些信息。6.2.1、深度分布信息角分辨XPS电子逃逸深度是有限的掠射角方向的电子来自于近表面以一系列的角度采集数据计算膜厚可达5-10nm非结构破坏技术ThetaProbe不必倾斜样品即可达成离子溅射深度剖析（d<

1mm)离子束在样品表面扫描样品表面物质被逐渐刻蚀掉在刻蚀周期间采集XPS谱建立起样品成分随深度变化的剖析图结构破坏技术角分辨XPS(ARXPS)用于膜厚<10nm的深度分析离子刻蚀深度剖析用于深达1mm的分析Silicon(Si)Silicon(Si)TitaniumSilicide(TiSi)

TungstenTitaniumAlloy(W/Ti)10nm300nm6.2.2、角分辨XPS深度剖析(d~)对膜厚

10nm的超薄膜，采用角分辨XPS。通过改变发射角（检测角）来实现。改变h以改变有效的i。若可能，尽量用EB相差大的峰不同的i。改变接收角，以改变icos。6.2.2.1、角分辨XPSARXPS电子逃逸深度是有限的掠射角方向的电子来自于近表面以一系列的角度采集数据计算膜厚可达5-10nm非结构破坏技术ThetaProbe不必倾斜(tilting)样品即可达成10nm6.2.2.2、厚度测量-ARXPSAR-XPS–检测相对于表面不同角度的电子来自于样品中不同深度。角分辨XPS(ARXPS)用于小于XPS分析深度的分析

可用数学方法计算出各层的成分、厚度和分布。Apparentdepth

ofanalysisApparentdepth

ofanalysis表观分析深度表观分析深度电子来自于A和B电子仅来自于AAB假设在衬底B表面有一厚度为dA的薄覆盖层A。来自B的信号强度为来自覆盖层A的信号强度为因此可用来确定覆盖层的厚度dA。如果A(EA)A(EB)，即如果两峰的结合能位置相近，这一方程就转化为以对作图，其直线斜率等于6.2.3、离子溅射深度剖析（d>>）

XPS是一种表面灵敏的技术，若和离子溅射蚀刻技术结合起来便可得到元素的深度分布。由离子束溅射形成了一个直径大于初级束斑的陷口(Crater)，在溅射过程中陷口不断加深，XPS则不断地将陷口底部的元素组份测量出来，从而得到一个元素组成按深度分布。【例】XPSdepthprofileofSiO2onSi6.2.3.1、离子束溅射深度分析Ar离子剥离深度分析方法是一种使用最广泛的深度剖析的方法，是一种破坏性分析方法。其优点是可以分析表面层较厚的体系，深度分析的速度较快。其分析原理是先把表面一定厚度的元素溅射掉，然后再用XPS分析剥离后的表面元素含量，这样就可以获得元素沿样品深度方向的分布。缺点是离子束的溅射会引起样品表面晶格的损伤，择优溅射和表面原子混合等现象。应注意择优溅射问题、还原效应问题和表面粗糙度问题。深度剖析实验由交替地分析跟着周期性刻蚀然后再分析构成。可观测到浓度或化学态随深度的变化。MetallicAlAlOxide离子蚀刻深度剖析离子蚀刻深度剖析6.2.3.2、离子刻蚀速率当离子束

(如Ar+)轰击样品表面时，将从表面除去一些原子。离子刻蚀速率依赖于:所用气体的类型

-重离子(如Ar+)比轻离子刻蚀更快离子的能量

-5kV离子(fast)比1kV离子

(slow)刻蚀更快离子数

(或电流)-1mA电流的离子将是0.1mA电流的离子刻蚀速率的10x刻蚀速率也依赖于样品组成，如硅(Si)比钽(Ta)刻蚀更快.离子刻蚀速率氩离子刻蚀速率可由文献报道的溅射产额数据近似计算得出。刻蚀速率S=(I.Y.M)/(100r)

[nm/sec]其中：I=离子电流密度［µA.mm-2］； Y=溅射产额； M=溅射材料的原子质量；

r=基体材料密度[g.cm-3]6.2.3.3、深度剖析的影响因素仪器因素残余气体吸附溅射物的再沉淀离子束中的杂质不均匀离子束强度时间相关的离子束强度样品特性深度信息(IMFP)原始表面粗糙度晶体结构和缺陷(Channelling)合金、化合物、第二相(择优溅射和诱导粗糙度)辐射诱导效应初级离子注入原子混合溅射诱导粗糙度择优溅射与化合物的分解增强的扩散和偏析电子诱导脱附绝缘体荷电(分析失真；电迁移)6.2.4、在薄膜材料研究中的应用如LB膜、光学膜、磁性膜、超导膜、钝化膜、太阳能电池薄膜等表面的化学成分和价态是否如我们所预期的,层间物质扩散情况，膜的厚度,是否含有其他杂质，膜的均匀性如何等。XPS和AES的深度剖析方法在此领域有重要的应用。ARXPS成功应用于超薄层薄膜研究中。在半导体微电子技术中的应用XPS可对半导体材料和工艺过程进行有效的质量控制和分析，注入和扩散分析，因为表面和界面的性质对器件性能有很大影响。XPS可用于分析研究半导体器件，欧姆接触和肖特基势垒二级管中金属/半导体结的组分、结构和界面化学等，进行质量控制，工艺分析和器件失效分析。

深度剖析实例深度剖析

一多层半导体材料(Ti,W合金/钛硅化物/硅)用XPS溅射剖析进行分析。溅射过程中应用了样品转动技术来优化深度分辨。使用ThermoVG的高级NLLFS产生剖析图。【例】XPSdepthprofileofmultilayerNi/Cr/CrO/Ni/Cr/Si在半导体微电子器件中需要