工业大学半导体物理期末考试试卷_第1页
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工业大学试卷用纸，共3页，第3页学学院：专业：班级学号：姓名：装订线工业大学考试试卷(B)课程名称:半导体物理试卷满分100分考试时间:2015年1月22日(第二十周星期四)题号一二三四五六七八九十总分评卷得分评卷签名复核得分复核签名1、名词解释（共30分，每题5分）施主杂质；有效质量；非平衡载流子；散射概率；费米能级；俄歇复合；（10分）简述Si的晶体结构。（10分）简述半导体中深能级杂质。（10分）下图表达了杂质半导体电阻率随温度的变化关系，请解释其各段的物理意义。（10分）当E-EF为2k0T和6k0T时，分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据该能级的概率。（题意有异议）（10分）计算施主浓度为2.0*1017cm-3的硅在300K时的空穴浓度和电子浓度以及费米能级位置。（10分）计算本征Ge在室温时的电阻率和掺杂1016cm-3磷后的电阻率（假设室温时杂质全部电离）。（迁移率应说明近似取室温）（10分）光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，而且光照停止后非平衡载流子浓度随时间衰减。假设一块本征半导体材料在光照下产生非平衡载流子，经过30μs后非平衡载流子浓度降到原来的5%。求半导体材料中非平衡载流子的寿命。计算中可能用到的常数本征载流子浓度：Si：ni＝1.5×1010/cm3（300K）；Ge：ni＝2.33×1013/cm3（300K）;ni＝2×1017/cm3（600K）迁移率（300K）：Si：n=1450cm2/V.s，p=500cm2/V.s；Ge：n=3800cm2/V.s，p=1800cm2/V.sSi有效状态密度（300K）：Nc=2.8×1019/cm3，Nv＝1.1×1019/cm3Ge有效状态密度（300K）：Nc=1.1×1019/cm3，Nv＝5.7×1018/cm3电子电量为1.6×1

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