内存基础知识简介

DIMMIntroduce第一页，共45页。知名DIMM的LOGOsmart忆宝_香港威刚天堂英飞凌现代宇瞻金士顿美光三星第二页，共45页。适用类型

台式机内存

笔记本内存

效劳器内存第三页，共45页。内存接口类型/内存插槽类型内存接口:

笔记本:采用144Pin、200Pin接口台式机使用168Pin和184Pin接口内存插槽类型

SIMM:SingleInlineMemoryModule

单内联内存模块(8/16bit用30pin;32bit用72pin)

DIMM:DualInlineMemory

双内联内存模块(SDRAM168pin/DDR184pin)

RIMM:RambusDRAM

第四页，共45页。内存容量内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数.内存容量以MB作为单位.内存的容量一般都是2的整次方倍.系统对内存的识别是以Byte〔字节〕为单位,1Byte=8bit.内存容量的上限一般由主板芯片组和内存插槽决定,比方Inlel的810和815系列芯片组最高支持512MB内存.目前多数芯片组可以支持到2GB以上的内存，主流的可以支持到4GB，更高的可以到16GB第五页，共45页。内存带宽的计算公式：内存总线宽度x数据传输速度=最大带宽内存带宽=内存等效工作频率*8〔MB/s〕每个DIMM模块的总线宽度為64bit=8bytes.比方:以DDR400来计算就是:8x400=3200MB/s，也就是第六页，共45页。工作频率和等效频率DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示.工作频率是内存颗粒实际的工作频率.DDR内存的传输数据的等效频率是工作频率的两倍DDR2内存的传输数据的等效频率是工作频率的四倍例如:DDR200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。第七页，共45页。主频内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能到达的最高工作频率。单位是MHz(兆赫).内存主频越高代表着内存所能到达的速度越快.

主流的内存频率DDR:333MHz,400MHzDDR2533MHz和667MHz的内存第八页，共45页。内存电压SDRAM内存一般工作电压都在伏左右，上下浮动额度不超过伏；DDRSDRAM内存一般工作电压都在伏左右，上下浮动额度不超过伏；DDR2SDRAM内存的工作电压一般在左右.DDR3SDRAM内存的工作电压一般在左右第九页，共45页。传输标准内存传输标准有:SDRAM的PC100、PC133；DDRSDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700；RDRAM的PC600、PC800和PC1066等第十页，共45页。ECC校验ECC内存即纠错内存.是ErrorCheckingandCorrecting〞的简写，中文名称是“错误检查和纠正〞．ECC是一种可以实现“错误检查和纠正〞的技术．一般多应用在效劳器及图形工作站上．第十一页，共45页。颗粒封装封装就是将内存芯片包裹起来,以防止芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害.有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等.DIP封装TSOP封装BGA封装CSP封装第十二页，共45页。DIP封装70年代,DIP〔Dualln-linePackage，双列直插式封装〕封装.其芯片面积和封装面积之比为1：1.86第十三页，共45页。TSOP封装80年代,内存第二代的封装技术TSOP.TSOP是“ThinSmallOutlinePackage〞的缩写，意思是薄型小尺寸封装.TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术〔外表安装技术〕直接附着在PCB板的外表.优点:TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动)减小，合适高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高,封装成品率高，价格廉价.第十四页，共45页。TSOP封装缺点:焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产生较大的信号干扰和电磁干扰.第十五页，共45页。BGA封装90年代,芯片集成度不断进步.对集成电路封装的要求也更加严格.BGA是英文BallGridArrayPackage的缩写，即球栅阵列封装.BGA与TSOP相比:1.内存在体积不变的情况下内存容量进步两到三倍.2.具有更小的体积，更好的散热性能和电性能.3.体积只有TSOP封装的三分之一芯片面积与封装面积之比不小于第十六页，共45页。BGA封装寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大进步；组装可用共面焊接，可靠性高.第十七页，共45页。CSP封装

CSP(ChipScalePackage),是芯片级封装.CSP封装最新一代的内存芯片封装技术.CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过，已经相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6.第十八页，共45页。CSP封装CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热途径仅有毫米，大大进步了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度进步.CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导间隔，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。第十九页，共45页。DDR内存芯片的编号HYXXXXXXXXXXXXXX-XX1234567891011

1：代表HY的厂标

2：为内存芯片类型—5D：DDRSDRAMS

3：工艺与工作电压—V：CMOS，；U:CMOS，2.5V

4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12:512MB，8kref

5:芯片构造(数据宽度)—4：X4(数据宽度4bit)；8:x8；16:x16；32:x32

6：BANK数量—1:2BANKs；2:4BANKs

7：I/O界面—1:SSTL_3；2:SSTL_2

8：芯片内核版本—空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代

9：能量等级—空白:普通；L:低能耗

10：封装形式—T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA

11：工作速度—33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；K:DDR266A；H:DDR266B；L:DDR200第二十页，共45页。传输类型传输类型指内存所采用的内存类型.不同类型的内存传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同.目前市场中主要的内存类型:

SDRAM、

RDRAM、

DDRDDR2DDR3EPP第二十一页，共45页。SDRAM

SDRAM，即SynchronousDRAM(同步动态随机存储器).SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格.数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度.SDRAM采用伏工作电压，168Pin的DIMM接口，宽度为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见.第二十二页，共45页。RDRAMRDRAM〔RambusDRAM〕是美国的RAMBUS公司开发的一种内存.它采用了串行的数据传输形式.RDRAM的数据存储位宽是16位;频率可以到达400MHz,内存带宽能到达第二十三页，共45页。DDRDDR应该叫DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM).SDRAM、DDRAM内存条的区别〔外观〕第二十四页，共45页。SDRAM、DDRAM内存条的区别外形体积上DDR与SDRAM相比差异并不大,DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号.DDR内存采用的是支持电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的电压的LVTTL标准。LowVoltageTTL(逻辑电平).第二十五页，共45页。DDR内存的频率

第二十六页，共45页。DDR2DDR2〔DoubleDataRate2〕SDRAMDDR2内存的频率

第二十七页，共45页。DDR2与DDR的区别

1、延迟问题:也就是说DDR2的延迟要高于DDR2、封装和发热量

:DDR2内存采用电压，相对于DDR标准的2.5V第二十八页，共45页。DDR2采用的新技术

DDR2还引入了三项新的技术分別是OCD,ODT和PostCAS.1.OCD〔Off-ChipDriver〕：也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过OCD可以进步信号的完好性.2.ODT：ODT是内建核心的终结电阻器.DIMM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻,这样大大增加了主板的制造本钱,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,因此在一定程度上影响信号品质.DDR2内建适宜的终结电阻保证了最正确的信号波形.3.PostCAS：它是为了进步DDRII内存的利用效率而设定的.CAS命令可以在附加延迟〔AdditiveLatency〕后面保持有效,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突.第二十九页，共45页。DDR3的產生1.提升带宽,為CPU提供足够的匹配指标.

第三十页，共45页。DDR3的產生进步预取设计位数.DDR2的预取设计位数是4Bit，也就是说DRAM内核的频率只有接口频率的1/4，所以DDR2-800内存的核心工作频率为200MHzDDR3内存的预取设计位数提升至8Bit，其DRAM内核的频率到达了接口频率的1/8，如此一来同样运行在200MHz核心工作频率的DRAM内存就可以到达1600MHz的等值频率第三十一页，共45页。DDR3的產生3.降低功耗

核心工作电压从DDR2的降至

.第三十二页，共45页。DDR3内存优势

第三十三页，共45页。DDR3内存拥有哪些规格

1.频率从1066MHz起跑

型号包括了DDR3800/1066MHz

/1333/1600/20002.1G容量成为主流

主板芯片组X38、P35、G33均支持DDR3内存.其他廠商:华硕、技嘉、微星.

4.DDR3价格注定从天价起步

DDR31066MHz1G内存的价格要1500元以上

第三十四页，共45页。第三十五页，共45页。DDR3内存与DDR2内存不同

(外观设计_缺口位置)

第三十六页，共45页。DDR3与DDR2的不同之处

第三十七页，共45页。DDR3与DDR2的不同之处

1、逻辑Bank数量(8Bank的设计)2.封装(Packages)78/96球FBGA封装.而DDR2那么有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装.3.突发长度(BL，BurstLength).由于DDR3的预取为8bit.4.寻址时序〔Timing〕5.新增功能——重置〔Reset〕6.新增功能——ZQ校准7.参考电压分成两个一个是为命令与地址信号效劳的VREFCA，另一个是为数据总线效劳的VREFDQ,8.根据温度自动自刷新〔SRT，Self-RefreshTemperature〕普通的的温度范围〔例如0℃至85℃),扩展温度范围:最高到95℃9.部分自刷新〔RASR，PartialArraySelf-Refresh〕10.点对点连接〔P2P，Point-to-Point〕第三十八页，共45页。EPP技术EPP(EnhancedPerformanceProfiles)技术,簡稱增强性能选项.它是nVIDIA推出的基于JEDECSPD标准上的扩展标准,可以允许内存消费商提供SPD(SerialPresenceDetect)定义之外的性能参数.EPP是一项开放式标准，将来将会有更多其它主板及内存供货商将采纳这项技术.作用:通过这项EPP技术,极大改变系统超频和系统稳定性的测试和定义，可让用户轻易测知建置于高性能DIMM内存模组中有关内存性能的各项全新进阶性能设定，让整体PC系统性能到达更高程度.第三十九页，共45页。EPP技术以技术面来说，EPP除写入频率(Clock)等级外,攸关内存效能的时序(Timing)参数也可同时定义，包含tCL、tRCD、tRP、tRAS及tRC等常见工程，以及合适的工作电压(vDIMM)与各种驱动内存控制器的细部参数第四十页，共45页。EPP扩展规格内存.目前已经有五家主要内存厂商推出自己的EPP内存产品，包括Geil、Corsair、OCZ等超频内存一线品牌．EPP内存型号大多为1GB版本，专为高端