机电类通用电子技术及元器件常识测试题附答案

机电类通用电子技术及元器件常识测试卷附答案1.在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。A.四只B.三只C.二只D.一只(正确答案)答案解析：无2.某单相桥式整流电路中，变压器次级电压为u2，当负载开路时，整流输出电压为()。A.0(正确答案)B.u2C.0.45u2D.0.9V答案解析：无4.在单相半波整流电路中，将二极管的管脚对调就能使输出直流电压()。A.大小和极性不变B.大小不变，极性变反(正确答案)C.大小变化，极性不变D.大小和极性均变答案解析：无6.用万用表的R×1kΩ\R×100Ω挡测量同一个二极管的正向电阻，两次测量的阻值分别为R1和R2，试比较它们的大小。()A.R1＜R2B.R1＞R2(正确答案)C.R1＝R2D.不能确定答案解析：无7.某一桥式全波整流电路，输出电压UL＝9V，输入变压器次级电压为()。A.10V(正确答案)B.4.5VC.12VD.14.14V答案解析：无8.某单相半波整流电路中，变压器次级电压为U2，若电路改为桥式整流电路，负载上仍要得到原有的直流电压，则改为桥式整流后，变压器的次级电压为()。A.U2B.2U2C.0.5U2(正确答案)D.2√2U2答案解析：无9.利用二极管反向电击穿时两端电压保持稳定的特性来稳定电路两点电压的二极管称为()。A.整流二极管B.稳压二极管(正确答案)C.光电二极管D.变容二极管答案解析：无10.欲测单相桥式整流电路的输入电压Ui及输出电压Uo，应采用的方法是()。A.用直流电压表分别测Ui及Uo(正确答案)B.用交流电压表分别测Ui及UoC.用直流电压表测Ui，用交流电压表测UoD.用交流电压表测Ui，用直流电压表测Uo答案解析：无11.当晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将()。A.随IB增加而增加B.与IB无关(正确答案)C.随IB增加而减小D.等于0答案解析：无12.2DP9晶体二极管两端加上0.4V正向电压时，二极管相当于一个()。A.断开的开关(正确答案)B.闭合的开关C.导线D.电源答案解析：无13.利用二极管的单向导电性，将交流电变成直流电的二极管称为()。A.整流二极管(正确答案)B.稳压二极管C.光电二极管D.变容二极管答案解析：无14.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为()。A.杂质半导体B.本征半导体(正确答案)C.P型半导体D.N型半导体答案解析：无15A.无波形输出(正确答案)B.半波输出C.全波输出D.烧坏变压器或者二极管答案解析：无16.半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IR和URM都将发生变化，试选择正确答案()。A.IR上升，URM下降(正确答案)B.IR上升，URM上升C.IR下降，URM下降D.IR下降，URM上升答案解析：无17.NPN型和PNP型晶体管的区别是()。A.由两种不同的材料硅和锗制成的B.掺入的杂质元素不同C.P区和N区的位置不同(正确答案)D.管脚排列方式不同答案解析：无18.如图，管子的导电类型和β值分别为()。A.NPN和61B.PNP和60C.PNP和61D.NPN和60(正确答案)答案解析：无19.某单相桥式整流电路中，变压器次级电压为u2，若电路改为半波整流后，保持负载两端电压不变时，变压器次级电压应为()。A.0.5u2B.u2C.1.5u2D.2u2(正确答案)答案解析：无20.桥式整流电路中，U2=20V，RL=100Ω。选择整流管时，其最大整流电流至少要达到()。A.20mAB.90mA(正确答案)C.180mAD.200mA答案解析：无21.可以直接将电能转变为光能的二极管为()。A.发光二极管(正确答案)B.稳压二极管C.光电二极管D.变容二极管答案解析：无.22.某三极管的极限参数ICM＝50mA，U(BR)CEO＝20V，PCM＝500mW，IC=15,UCE=25V时，电路会()。A.正常工作B.过热烧坏C.过压击穿(正确答案)D.电流太大，β减小答案解析：无23.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于()。A.0.98mA(正确答案)B.1.02mAC.0.8mAD.1.2mA答案解析：无24.滤波电路的主要目的是()。A.将直流变交流B.将脉动的直流电变成较平滑的直流电(正确答案)C.将直流变成交流D.将高频变低频答案解析：无25.用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管(2CW13)的电压，读数只有0.7V，这种情况表明该稳压管()。A.工作正常B.接反(正确答案)C.已经击穿D.误差偏大答案解析：无26.反映三极管的温度稳定性好差的是哪个参数()。A.ICEO(正确答案)B.UCEOC.ICBOD.PCM答案解析：无27.NPN型三极管处在放大状态时是()。A.UBE<0，UBC<0B.UBE>0，UBC>0C.UBE>0，UBC<0(正确答案)D.UBE<0，UBC>0答案解析：无28.三极管的主要参数U(BR)CEO其定义是()。A.集电极—发射极反向击穿电压(正确答案)B.集电极—发射极正向压降C.基极—发射极正向压降D.集电极—发射极反向饱和电流答案解析：无.29.在桥式整流电路中，整流端输出电压的平均值约为变压器副边电压有效值的()。A.0.45倍B.0.9倍(正确答案)C.1倍D.1.414倍答案解析：无30.在整流电路中将高压转变成低压的元器件是()。A.电容B.电感C.变压器(正确答案)D.二极管答案解析：无31.下列说法中正确的是()。A.体现晶体三极管电流放大特性的公式IE=IB+ICB.硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VC.锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1V(正确答案)D.晶体三极管具有能量放大作用答案解析：无32.反映二极管质量的参数是()。A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向饱和电流(正确答案)D.门槛电压答案解析：无.33.固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大状态，如果将RB增大，此时三极管仍为放大状态，则电流IB将()。A.显著减少(正确答案)B.不变C.显著增加D.无法确定答案解析：无.34.单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值)，则每个整流二极管所承受的最大反向电压为()。A.15VB.21.21V(正确答案)C.30VD.42.42V答案解析：无35.在桥式全波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。A.四只(正确答案)B.三只C.二只D.一只答案解析：无36.二极管正极电位为5.6V，负极电位为5V，则该管处于()。A.零偏B.反偏C.正偏(正确答案)D.击穿答案解析：无37.当晶体二极管的PN结导通后，参与导电的是()。A.少数载流子B.多数载流子C.既有少数载流子又要多数载流子(正确答案)D.不确定答案解析：无.38.从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施()。A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大(正确答案)C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小D.发射区掺杂浓度第低，集电结面积大答案解析：无39.NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是()。A.VE>VB>VCB.VC>VE>VBC.UBE>0,UCE<0D.UBE>0,UBC<0(正确答案)答案解析：无40.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于()。A.本征半导体B.温度C.杂质浓度(正确答案)D.掺杂工艺答案解析：无41.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是()。A.流过整流管的电流小于负载电流B.流过整流管的电流与负载电流相等(正确答案)C.整流管的端电压为零D.整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值答案解析：无42.普通二极管的应用范围很广，主要都是利用它的()。A.非线性B.双向导电性C.负阻特性D.单向导电性(正确答案)答案解析：无.43.用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是()。A.VB=0.7V,VE=0V,VC=0.3VB.VB=-6.7V,VE=-7.4V,VC=-4V(正确答案)C.VB=-3V,VE=0V,VC=6VD.VB=2.7V,VE=2V,VC=2V答案解析：无44.如果测得二极管的正反向电阻都很大，则该管()。A.正常B.已被击穿C.内部断路(正确答案)D.内部短路答案解析：无45..对于不加续流二极管的带电感性负载的单相半波可控整流电路，它的缺点是()。A.可控硅承受反向电压时将继续导通(正确答案)B.可控硅易损坏C.当可控硅承受反向电压时将关断D.可控硅损耗电能大答案解析：无46.NPN型三极管图形符号中发射极箭头的方向指()。A.发射区的电子发射方向B.发射区的空穴发射方向C.发射结加正向电压时电流方向(正确答案)D.发射结加反向电压时电流方向答案解析：无47.用模拟万用表进行测量时，将红、黑表笔分别接在二极管的两端进行第一次测量，再将二极管两个电极对调位置进行第二次测量，若二极管性能良好，则测得的结果是()。A.两次测得阻值接近B.两次测得阻值相差很大(正确答案)C.两次测得阻值都很小D.两次测得阻值都很大答案解析：无48二极管两端加反向偏置电压时，通过的电流很小；当电流突然增大时，此时的电压一定超过二极管的()。A.击穿电压(正确答案)B.最大电压C.反向电压D.工作电压答案解析：无49.如图测得工作在放大状态的某三极管其电流如图所示，那么第②个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。A.6mA，流进，EBCB.6mA，流出，BCEC.6mA，流进，BCE(正确答案)D.6mA，流出，BEC答案解析：无50.下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是()。A.电路的滤波，利用了电容器的“通交隔直”特性B.电路的滤波，电容器充电时，输出电压下降C.利用了电容器的“隔直通交”特性(正确答案)D.电容量C越大，滤波效果越差答案解析：无51.在直流稳压电源中加入滤波器的主要作用是()。A.提高整流效率B.将正弦交流电变为脉动直流电C.滤除脉动直流电中的脉动成分(正确答案)D.提高输出电压答案解析：无52.用模拟万用表欧姆挡测试二极管，若红表笔接正极、黑表笔接负极时，读数为30kΩ，表笔对调后测得电阻为10kΩ，则该二极管()。A.内部已断，不能使用B.内部已短路，不能使用C.没有坏，但性能不好(正确答案)D.性能良好答案解析：无53..二极管的正向电阻()反向电阻。A.小于(正确答案)B.大于C.等于D.不确定答案解析：无54.下面关于用万用表判断二极管的说法，正确的是()。A.一般小功率晶体二极管反向电阻约为几十千欧到几百千欧(正确答案)B.正向电阻一般约为几十欧到几百欧(正确答案)C.正、反向电阻相差越大，表明二极管的单向导电性越差D.若测得二极管的正、反向电阻值相近，表示二极管已坏(正确答案)答案解析：无55.用万用表欧姆挡测试二极管的好坏时，应把欧姆挡拨到()A.R×100Ω挡(正确答案)B.R×1Ω挡C.R×10kΩ挡D.R×1kΩ挡(正确答案)答案解析：无56..关于整流电路，输出电流与二极管上的电流之间的关系，下列说法正确的是()。A.半波整流电路中，Iv=0.5ILB.桥式全波整流电路中，Iv=ILC.桥式全波整流电路中，Iv=0.5IL(正确答案)D.半波整流电路中，Iv=IL(正确答案)答案解析：无57.在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有()。A.βB.ICM(正确答案)C.U(BR)CEO(正确答案)D.PCM(正确答案)答案解析：无58.下列关于滤波电路作用的叙述中，错误的有()。A.滤波电路是将交流电转变为直流电(正确答案)B.滤波电路是将直流电转变为交流电(正确答案)C.通过滤波，可以输出更平稳的直流电D.通过滤波，可以输出更大的直流电(正确答案)答案解析：无59.在本征半导体中，自由电子和空穴是独自产生的，互相无关联。对错(正确答案)60.电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化不大的场合。对(正确答案)错61.滤波是利用电容两端电压不能突变或电感中电流不能突变特性来实现的。对(正确答案)错62.在半波整流电路中，接上滤波电容后，二极管承受的反向电压会增大。对(正确答案)错63.在电容滤波电路中，负载与电容并联，所以通过电容的放电，可以使负载上获得足够大的输出电流。对错(正确答案)64.桥式整流电流中，有一只二极管接反，电路将变为半波整流。对错(正确答案)65.在桥式全波整流电路中，因为有4个二极管轮流负责导通，所以