用三极管小信号放大电路分析与制作课件

模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作

模块2分压偏置式放大电路分析与制作

模块3其它组态放大电路分析与制作

模块4多级放大电路分析与制作

模块5带有反馈的放大电路分析与制作模块6放大电路的频率响应模块7场效应管基本放大电路分析与制作

模块8集成运算放大电路分析与制作

模块9功率放大电路的分析与制作

模块10综合放大电路（扩音机）的分析与制作

项目二小信号放大电路的分析与制作

模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作项目二小信号1

1.1半导体二极管及其应用

1.2半导体三极管及其应用

模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.1半导体二极管及其应用模块1常用三极管小信号放21.1半导体二极管及其应用

重点：PN结的导电特性；半导体二极管的伏安特性；单相整流滤波电路的结构及参数计算；

难点：半导体二极管的伏安特性；单相整流滤波电路的结构及参数计算；模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.1半导体二极管及其应用重点：PN结3目录半导体基础知识半导体二极管

半导体二极管的应用

小节返回主目录目录半导体基础知识返回主目录4半导体基础知识PN结的导电特性：PN结正偏导通，反偏截止，叫做PN结的单向导电性。PN结的单向导电性

返回本章目录半导体基础知识PN结的导电特性：PN结的单向导电性返5半导体二极管一、半导体二极管的符号及特点符号特点：单向导电性，加正向电压导通（阳极接高电位，阴极接低电位），加反向电压截止（阴极接高电位，阳极接低电位）。半导体二极管一、半导体二极管的符号及特点6二、二极管的伏安特性

硅和锗二极管的伏安特性曲线

二、二极管的伏安特性硅和锗二极管的伏安特性曲线7总结：二极管的伏安特性是非线性的，二极管是一种非线性元件。在外加电压取不同值时，就可以使二极管工作在不同的区域，从而充分发挥二极管的作用。

总结：二极管的伏安特性是非线性的，二极管是一种8三、半导体器件型号命名法

三、半导体器件型号命名法9四、硅稳压二极管

硅稳压二极管（简称稳压管）工作在反向击穿区，其电流变化很大而电压基本不变，利用这一特性可实现直流电压的稳定。稳压二极管的伏安特性和符号四、硅稳压二极管硅稳压二极管（简称稳10在实际中使用稳压二极管要满足两个条件：

1、反向运用，保证管子工作在反向击穿状态；2、要有限流电阻配合使用，保证流过管子的电流在允许范围内。稳压管常用的稳压电路返回本章目录在实际中使用稳压二极管要满足两个条件：1、反11半导体二极管的应用

----单相整流滤波电路一、半波整流电路

电路波形负载两端的直流电压：UO=0.45U2

负载中的电流：IO=0.45U2/RL

半导体二极管的应用

----单12二、

单相桥式整流电路

电路二、单相桥式整流电路电路13

单相桥式整流波形图负载两端的直流电压：UO=0.9U2

负载中的电流：IO=0.9U2/RL

单相桥式整流波形图负载两端的直流电压：UO=0.9U214三、滤波电路

单相桥式整流电容滤波电路

三、滤波电路单相桥式整流电容滤波电路15全波整流电路的电压、电流波形全波整流电路的电压、电流波形16负载两端的直流电压：UO=1.2U2

负载中的电流：IO=1.2U2/RL

单相桥式整流电容滤波电路：半波整流电容滤波电路：负载两端的直流电压：UO=U2

负载中的电流：IO=U2/RL

滤波电容器的选择：

C>=2T/RL(T为交流电压周期)电容器的额定耐压值：UC>2U2返回本章目录负载两端的直流电压：UO=1.2U2单相桥式整流电容滤17小节1.PN结是半导体器件的基础，PN结正偏导通、反偏截止，具有单向导电性、反向击穿性和非线性的特点。2.二极管是一种非线性器件，单向导电是它的特点，其全面的性质用伏安特性来描述。

3.

整流电路有单相半波、全波和桥式等方式，滤波电路有电容滤波、电感滤波和π型滤波等类型，要将两者结合起来估算输出电压才有意义。

硅稳压二极管是并联型稳压电路常用的器件，只要选择合适的限流电阻可使稳压管工作在安全稳压区内。返回本章目录小节1.PN结是半导体器件的基础，P181.2半导体三极管及其应用重点：三极管的伏安特性；共发射极放大器的识别；共集电极放大器的识别；难点：三极管的伏安特性；其它组态放大电路的识别；模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.2半导体三极管及其应用重点：三极管19目录半导体三极管固定偏置式共发射极放大器

分压偏置式共发射极放大器

共集电极放大器共基极放大器多级放大器场效应晶体管小节返回主目录目录半导体三极管返回主目录20半导体三极管一、1.三极管的结构和符号

PNP型三极管的结构和符号NＰN型三极管的结构和符号

半导体三极管一、1.三极管的结构和符号PNP型三极管的212.电流方向和各极极性：

NPNPNP2.电流方向和各极极性：NPN22二、三极管的输出伏安特性二、三极管的输出伏安特性23三个工作区：

1、放大区：输出特性曲线近似于水平的部分是放大区。IC和IB成正比，，表示三极管的电流放大能力。三极管工作于放大区的电压条件是：发射结上有正偏电压，集电结上有反偏电压。

2、截止区：在基极电流IB=0所对应的曲线下方的区域是截止区。，IB=0，IC=ICEO（穿透电流）。三极管工作于截止区的电压条件是：发射结上有反偏电压，集电结上也有反偏电压。3、饱和区：饱和区是对应于UCE较小（此时UCE<UBE）的区域。在这个区域里，IC与IB已不成比例关系。三极管工作于饱和区的电压条件是：发射结上是正偏电压，集电结上也是正偏电压。

返回本章目录三个工作区：

1、放大区：输出特性曲24固定偏置式共发射极放大器一、电路固定偏置式共发射极放大器一、电路25二、放大器的基本工作原理

电路图电流电压波形图二、放大器的基本工作原理电路图26分压偏置式共发射极放大器一、电路结构：分压偏置式共发射极放大器一、电路结构：27共集电极放大器直流通路交流通路微变等效电路共集电极放大器直流通路28共基极放大器

直流通路交流通路微变等效电路共基极放大器

直流通路交流通路微变等效电路29三种组态放大器的比较

共发射极放大器的电压、电流、功率增益都比较大，因而应用广泛。但它的输入电阻较小，对前级信号源索取的电流较大；它的输出电阻比较大，不适合带动变化大的负载。共集电极放大器虽然没有电压增益，但有电流增益，所以仍有功率增益。其最主要的优点是它的输入电阻高、输出电阻小，对前级信号源索取的电流小，带负载的能力强。所以共集电极放大器既可作为多级放大器的输入级，又可作为多级放大器的输出级。有时，也将其作为多级放大器的中间级，用于分配信号。共基极放大器没有电流增益，但电压增益不小，仍有功率增益。因为它的频率响应好，多用于放大高频信号。

返回本章目录三种组态放大器的比较共发射极放大器的电压、电流、功30多级放大器

一、组成方式:

输入级主要完成与信号源的衔接并对信号进行放大，一般都采用输入电阻高的放大器，如射极跟随器；中间级主要用于对信号进行电压放大，将微弱的信号电压放大到设计规定的幅度，一般都采取几级共发射极放大器来完成这个任务；输出级主要用于对信号进行功率放大，输出负载所需要的功率并完成和负载的匹配。多级放大器

一、组成方式:输入级主要完成与信号源31二、多级放大器的级间耦合方式

1.阻容耦合

二、多级放大器的级间耦合方式1.阻容耦合322.变压器耦合

2.变压器耦合333.直接耦合

3.直接耦合34二、多级放大器的分析1、多级放大器电压放大倍数的计算

AU=AU1×AU2ו•••×AUN

多级放大器的电压放大倍数等于各级放大器电压放大倍数的乘积。

增益的分贝表示法，其定义为：

二、多级放大器的分析1、多级放大器电压放大倍数的计算AU=35场效应晶体管一、场效应管的特点和类型

场效应管是一种电压控制型器件，它利用改变电场的强弱来控制半导体材料的导电能力。场效应管的输入电阻极高（最高可达1015Ω），几乎不吸取信号源电流。它还具有热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点，因此在电子电路中得到了广泛的应用。根据结构的不同，场效应管分为结型和绝缘栅型两类，其中绝缘栅型应用更广泛。场效应晶体管一、场效应管的特点和类型场效应管36二、各种场效应管的符号和特性曲线1.N沟道结型转移特性输出特性符号和极性二、各种场效应管的符号和特性曲线1.N沟道结型转移特性输出特372.p沟道结型转移特性输出特性符号和极性2.p沟道结型转移特性输出特性符号和极性383.增强型NMOS转移特性输出特性符号和极性3.增强型NMOS转移特性输出特性符号和极性394.增强型PMOS转移特性输出特性符号和极性4.增强型PMOS转移特性输出特性符号和极性405.耗尽型NMOS转移特性输出特性符号和极性5.耗尽型NMOS转移特性输出特性符号和极性416.耗尽型PMOS符号和极性转移特性输出特性返回本章目录6.耗尽型PMOS符号和极性转移特性输出特性返回本章目录42本章小节1.半导体三极管又称双极型晶体管,是一种电流控制型器件，它有三个工作区域：放大区、截止区和饱和区。三极管工作在放大区必须满足：发射结有正偏电压，集电结有反偏电压。

2.三极管放大器有三种组态。共发射极放大器的电压和电流放大倍数都较大，应用广泛；共集电极放大器的输入电阻高、输出电阻小，电压放大倍数接近1，适用于信号的跟随；共基极放大器适用于高频信号的放大。本章小节1.半导体三极管又称双极型晶体管,43

3.多级放大器有三种耦合方式：阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。多级放大器的电压放大倍数是各级放大器电压放大倍数的连乘积。

4.场效应管又称单极型晶体管，是电压控制型器件，有绝缘栅型和结型两类。输入电阻高是场效应管的突出特点。

5.场效应管有三个工作区：可变电阻区、恒流区和击穿区。用于放大时，工作在恒流区。返回本章目录返回本章目录44模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作

模块2分压偏置式放大电路分析与制作

模块3其它组态放大电路分析与制作

模块4多级放大电路分析与制作

模块5带有反馈的放大电路分析与制作模块6放大电路的频率响应模块7场效应管基本放大电路分析与制作

模块8集成运算放大电路分析与制作

模块9功率放大电路的分析与制作

模块10综合放大电路（扩音机）的分析与制作

项目二小信号放大电路的分析与制作

模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作项目二小信号45

1.1半导体二极管及其应用

1.2半导体三极管及其应用

模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.1半导体二极管及其应用模块1常用三极管小信号放461.1半导体二极管及其应用

重点：PN结的导电特性；半导体二极管的伏安特性；单相整流滤波电路的结构及参数计算；

难点：半导体二极管的伏安特性；单相整流滤波电路的结构及参数计算；模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.1半导体二极管及其应用重点：PN结47目录半导体基础知识半导体二极管

半导体二极管的应用

小节返回主目录目录半导体基础知识返回主目录48半导体基础知识PN结的导电特性：PN结正偏导通，反偏截止，叫做PN结的单向导电性。PN结的单向导电性

返回本章目录半导体基础知识PN结的导电特性：PN结的单向导电性返49半导体二极管一、半导体二极管的符号及特点符号特点：单向导电性，加正向电压导通（阳极接高电位，阴极接低电位），加反向电压截止（阴极接高电位，阳极接低电位）。半导体二极管一、半导体二极管的符号及特点50二、二极管的伏安特性

硅和锗二极管的伏安特性曲线

二、二极管的伏安特性硅和锗二极管的伏安特性曲线51总结：二极管的伏安特性是非线性的，二极管是一种非线性元件。在外加电压取不同值时，就可以使二极管工作在不同的区域，从而充分发挥二极管的作用。

总结：二极管的伏安特性是非线性的，二极管是一种52三、半导体器件型号命名法

三、半导体器件型号命名法53四、硅稳压二极管

硅稳压二极管（简称稳压管）工作在反向击穿区，其电流变化很大而电压基本不变，利用这一特性可实现直流电压的稳定。稳压二极管的伏安特性和符号四、硅稳压二极管硅稳压二极管（简称稳54在实际中使用稳压二极管要满足两个条件：

1、反向运用，保证管子工作在反向击穿状态；2、要有限流电阻配合使用，保证流过管子的电流在允许范围内。稳压管常用的稳压电路返回本章目录在实际中使用稳压二极管要满足两个条件：1、反55半导体二极管的应用

----单相整流滤波电路一、半波整流电路

电路波形负载两端的直流电压：UO=0.45U2

负载中的电流：IO=0.45U2/RL

半导体二极管的应用

----单56二、

单相桥式整流电路

电路二、单相桥式整流电路电路57

单相桥式整流波形图负载两端的直流电压：UO=0.9U2

负载中的电流：IO=0.9U2/RL

单相桥式整流波形图负载两端的直流电压：UO=0.9U258三、滤波电路

单相桥式整流电容滤波电路

三、滤波电路单相桥式整流电容滤波电路59全波整流电路的电压、电流波形全波整流电路的电压、电流波形60负载两端的直流电压：UO=1.2U2

负载中的电流：IO=1.2U2/RL

单相桥式整流电容滤波电路：半波整流电容滤波电路：负载两端的直流电压：UO=U2

负载中的电流：IO=U2/RL

滤波电容器的选择：

C>=2T/RL(T为交流电压周期)电容器的额定耐压值：UC>2U2返回本章目录负载两端的直流电压：UO=1.2U2单相桥式整流电容滤61小节1.PN结是半导体器件的基础，PN结正偏导通、反偏截止，具有单向导电性、反向击穿性和非线性的特点。2.二极管是一种非线性器件，单向导电是它的特点，其全面的性质用伏安特性来描述。

3.

整流电路有单相半波、全波和桥式等方式，滤波电路有电容滤波、电感滤波和π型滤波等类型，要将两者结合起来估算输出电压才有意义。

硅稳压二极管是并联型稳压电路常用的器件，只要选择合适的限流电阻可使稳压管工作在安全稳压区内。返回本章目录小节1.PN结是半导体器件的基础，P621.2半导体三极管及其应用重点：三极管的伏安特性；共发射极放大器的识别；共集电极放大器的识别；难点：三极管的伏安特性；其它组态放大电路的识别；模块1常用三极管小信号放大电路分析与制作1.2半导体三极管及其应用重点：三极管63目录半导体三极管固定偏置式共发射极放大器

分压偏置式共发射极放大器

共集电极放大器共基极放大器多级放大器场效应晶体管小节返回主目录目录半导体三极管返回主目录64半导体三极管一、1.三极管的结构和符号

PNP型三极管的结构和符号NＰN型三极管的结构和符号

半导体三极管一、1.三极管的结构和符号PNP型三极管的652.电流方向和各极极性：

NPNPNP2.电流方向和各极极性：NPN66二、三极管的输出伏安特性二、三极管的输出伏安特性67三个工作区：

1、放大区：输出特性曲线近似于水平的部分是放大区。IC和IB成正比，，表示三极管的电流放大能力。三极管工作于放大区的电压条件是：发射结上有正偏电压，集电结上有反偏电压。

2、截止区：在基极电流IB=0所对应的曲线下方的区域是截止区。，IB=0，IC=ICEO（穿透电流）。三极管工作于截止区的电压条件是：发射结上有反偏电压，集电结上也有反偏电压。3、饱和区：饱和区是对应于UCE较小（此时UCE<UBE）的区域。在这个区域里，IC与IB已不成比例关系。三极管工作于饱和区的电压条件是：发射结上是正偏电压，集电结上也是正偏电压。

返回本章目录三个工作区：

1、放大区：输出特性曲68固定偏置式共发射极放大器一、电路固定偏置式共发射极放大器一、电路69二、放大器的基本工作原理

电路图电流电压波形图二、放大器的基本工作原理电路图70分压偏置式共发射极放大器一、电路结构：分压偏置式共发射极放大器一、电路结构：71共集电极放大器直流通路交流通路微变等效电路共集电极放大器直流通路72共基极放大器

直流通路交流通路微变等效电路共基极放大器

直流通路交流通路微变等效电路73三种组态放大器的比较

共发射极放大器的电压、电流、功率增益都比较大，因而应用广泛。但它的输入电阻较小，对前级信号源索取的电流较大；它的输出电阻比较大，不适合带动变化大的负载。共集电极放大器虽然没有电压增益，但有电流增益，所以仍有功率增益。其最主要的优点是它的输入电阻高、输出电阻小，对前级信号源索取的电流小，带负载的能力强。所以共集电极放大器既可作为多级放大器的输入级，又可作为多级放大器的输出级。有时，也将其作为多级放大器的中间级，用于分配信号。共基极放大器没有电流增益，但电压增益不小，仍有功率增益。因为它的频率响应好，多用于放大高频信号。

返回本章目录三种组态放大器的比较共发射极放大器的电压、电流、功74多级放大器

一、组成方式:

输入级主要完成与信号源的衔接并对信号进行放大，一般都采用输入电阻高的放大器，如射极跟随器；中间级主要用于对信号进行电压放大，将微弱的信号电压放大到设计规定的幅度，一般都采取几级共发射极放大器来完成这个任务；输出级主要用于对信号进行功率放大，输出负载所需要的功率并完成和负载的匹配。多级放大器

一、组成方式:输入级主要完成与信号源75二、多级放大器的级间耦合方式

1.阻容耦合

二、多级放大器的级间耦合方式1.阻容耦合762.变压器耦合

2.变压器耦合773.直接耦合

3.直接耦合78二、多级放大器的分析1、多级放大器电压放大倍数的计算

AU=AU1×AU2ו•••×AUN

多级放大器的电压放大倍数等于各级放大器电压放大倍数的