量子点发光材料综述

[23]，计算公式为D=KλBcosθ。式中，λ是X射线的波长；K是形状因子，取值范围是0.85-0.9，一般取0.89；B是相应衍射线的半宽度；θ是相应衍射线的布拉格角。实际测试表明，这种方法得到的结果与TEM的观测结果是一致的。4.3吸收光谱与发射光谱根据量子点的特性估算吸收光谱及发射光谱波长概值，而选用合适的光谱仪进行测量。4.4辐射度量与光度量辐射亮度是指量子点LED在某一方向上、单位立体角内的辐射通量，其单位为瓦特每球面度平方米，即W·sr-1·m-2。波长在380至780nm之间的是可见光，可见光辐射也是能量传播形式的一种。用字符Qe表示辐射能(radiantenergy)，单位为焦耳(J)；用字符Φe表示辐射通量；用字符Qe表示辐射功率；用Le表示辐射亮度。假设LED发光总面积为dA，当与表面法线N成θ角，在dΩ立体角内发出的辐射通量为dΦe时，辐亮度Le表示如下公式：L光度量是按人眼视觉响应特性建立的表征可见光的量，所以，人的视觉特性决定着光度量和辐射量关系。用Lv表示光亮度。若LED发光面积为dA，在元立体角dΩ内，在和表面法线N成θ角方向发射的光通量为dΦv，则光亮度表示为：L4.5色度量CIE-RGB系统分别用波长7×10-7m表示红色、5.461×10-7m表示绿色、4.358×10-7m表示蓝色，分别用R、G、B表示，亦称为三原色。用此三原色匹配等能光谱色。与待测光达到颜色匹配所需的三种原色刺激的量，分别用X(红原色刺激量)、Y(绿原色刺激量)和Z(蓝原色刺激量)表示。用如下公式表示：X=k∑S(λ)Y=k∑S(λ)Z=k∑S(λ)CIE为了统一尺度，规定光源的Y刺激值为100。另外规定x=XX+图4.1色坐标图色温是LED光显色的重要参数，表示当LED光与黑体在某一特定温度下辐射光的颜色相同时，此时黑体的温度称为该LED的相关色温。显色指数(CRI)是描述LED光源颜色特性的重要指标，是被测光源照射物体后显示的心理颜色与标准参照光源照射同一物体后显示颜色的差异，完全相同表示显色指数为100，差异越大，显色指数越低。通常，被测LED光源发射光谱与标准光源光谱成分不同时，尤其是缺少某种光谱时，显色指数都不会很高。4.6量子产额量子产额又称量子效率，光源的辐射效率是指在给定波长范围内，量子点LED光源发射的辐射功率PE与产生这些辐射通量所需电功率Pe之比，即：η这是一个无量纲的百分数。与之类似的是量子点LED光源发射的光通量PV与产生这些光通量所需电功率Pe之比，称为该光源的发光效率ηV，其单位是流明每瓦(lm/W)：η此外，LED的发光性质通常用内、外量子效率表示。量子点LED的内量子效率IQE(internalquantumefficiency)，定义为单位时间内有源层载流子复合发出的光子数与注入LED的电子数的比值，用ηint表示，公式为：η量子点LED的外量子效率EQE定义为：单位时间LED发出的光子数与注入LED的电子数的比值，用ηext表示，公式为：η参考文献谢德辉.CuInS2核壳结构量子点制备与性能研究[D].广东：广东工业大学轻工化工学院,2016：1-71.吴涛.Ⅱ–Ⅵ族半导体CdTe低维量子结构的光电性质研究[D].南京：电子科学与工程学院,2016：1-62.DanielL.Feldheim,ChristineD.Keating.Self-assemblyofsingleelectrontransistorsandrelateddevices[J].Chem.Soc.Rev.,1998(27)：1-12.潘佳奇.半导体ZnSe量子点和碳量子点的制备及其应用[D].兰州：兰州大学,2015:1-140.PhilipBall,LauraGarwin.Scienceattheatomicscale[J].Nature,1992(355)：761-766.张立德,牟季美.纳米材料和纳米结构[M].第一版.科技出版社,ZQ01,1-523.中国科学院化学学部,国家自然科学基金委化学科学部.展望21世纪的化学[M].化京:化学工业出版社,2001：99-101.Keldysh,LV.Coulomb.InteractioninThinSemiconductorandSemimetalFilms[J].JETPLett.,1979(29)：658-661.L.Qian,D.Bera,T.K.Tseng,P.H.Holloway.HighEfficiencyPhotoluminescencefromSilica-CoatedCdSeQuantumDots[J].Appl.Phys.Lett.,2009(4)：073112-073114.I.L.Medintzi,H.T.Uyeda,E.R.Goldman,H.Mattoussi.QuantumDotBioconjugatesforImagingLabellingandSensing[J].NatureMaterials.2005(4)：435-446.林以军.量子点荧光粉发光机理、LED制备及用于可见光通信的带宽特性研究[D].吉林：吉林大学电子科学与工程学院,2016:1-140.J.Y.Jung,Z.Guo,S.W.Jee,H.D.Um,K.T.Park,M.S.Hyun,J.M.Yang,J.H.Lee.AwaferscaleSiwiresolarcellusingradialandbulkp–njunctions[J].Nanotechnology,2010(21)：445303.Y.Shirasaki,G.J.Supran,M.G.Bawendi,etal.Emergenceofcolloidalquantum-dotlight-emittingtechnologies[J].Nat.Photon.,2013(7)：13-23.C.C.Chang,Y.D.Sharma,Y.S.Kim,J.A.Bur,R.V.Shenoi,S.Krishna,D.Huang,S.Y.Lin,ASurfacePlasmonEnhancedInfraredPhotodetectorBasedonInAsQuantumDots[J].NanoLettere,2010(10)：1704-1709.W.C.W.Chan,S.Nie,Quantumdotbioconjugatesforultrasensitivenonisotopicdetection[J].Science,1998(281)：2016-2018.R.Zhang,X.W.He,W.Y.Li,Y.K.Zhang,One-potaqueoussynthesisofcomposition-tunablenear-infraredemittingCu-dopedCdSquantumdotsasfluorescenceimagingprobesinlivingcells[J].Mater.Chem.,2012(22)：22250-22257.Y.Zheng,S.Gao,J.Y.Ying,SynthesisandCell-ImagingApplicationsofGlutathinone-CappedCdTeQuantumDots[J].Adv.Mater.,2007(19)：376-380.夏建白.量子线、量子点和它们的激光器[M].物理,1998(27)：141-145.张瑞鹏.胶体化学法制备半导体纳米晶方法研究进展[J].职业教育,2012(1)：118.C.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,etal.SynthesisandcharacterizationofnearlymonodisperseCdE(E=sulfur,selenium,tellurium)semieonduetornanocrystallites[J].J.Am.Chem.Soc.,1993(115)：8706-8715.杨芳淼,金哲明,孙可心,谭明月.量子点的合成方法与展望[J].科技创新与应用,2016(12)：1-2.A.L.Rogach,D.Nattatri,J.W.Ostrander,etal.Raisinbun-typecompositeofsilicaandsemiconductornanocrystals[J].ChemistryofMaterials,2000(9)：2676-2685.T.I.Milenov,P.M.Ra