十三章低能电子衍射课件

第二篇电子显微分析

第十三章低能电子衍射

◆二维点阵◆低能电子衍射LEEDLowEnergyElectronDiffraction

第二篇电子显微分析

第十三章低能电子衍射1

低能电子衍射是指以能量为10~500eV的电子束照射晶体样品表面产生的衍射现象。给出样品表面1~5个原子层的结构信息，是研究晶体表面结构的重要方法。低能电子衍射是指以能量为10~500eV的电子束照射晶2

§13.1单晶表面原子排列与二维点阵一.表面状态由于晶体结构的周期性在表面中断，单晶表面的原子排列有3种可能的状态单晶表面原子排列的可能状态体原子的暴露面

维持原体内周期性对应位置，表面原子面暴露。

(b)表面驰豫表面原子平面排列周期性不变，层间距变化。(c)表面重构表面原子发生重新排列。§13.1单晶表面原子排列与二维点阵由于晶体结构的周3十三章低能电子衍射课件4表达其周期性的点阵基本单元称为(单元)网格。网格由表示其形状及大小的两个矢量a与b描述，称为(二维)点阵基矢或单元网格矢量。与三维点阵的排列规则可用14种布拉菲点阵表达相似，二维点阵的排列可用5种二维布拉菲点阵表达正方、长方、菱形（面心长方）、六角、平行四边形。二.单晶表面原子排列规则可用二维点阵描述表达其周期性的点阵基本单元称为(单元)网格。二.单晶表面原子5三、二维点阵的倒易点阵1.定义：对于由点阵基矢a与b定义的二维点阵，若由点阵基矢a*与b*定义的二维点阵满足a*·

a=b*·

b=1

a*·

b=b*·a=0则称a*与b*定义的点阵是a与b定义的点阵的倒易点阵。2.性质：a*⊥b,b*⊥a

a*＝1/asinθ,b*＝1/asinθθ为正点阵基矢量a、b的夹角。三、二维点阵的倒易点阵1.定义：对于由点阵基矢a与b定义的二6二维布拉菲点阵与其倒易点阵十三章低能电子衍射课件73.二维倒易点阵特点■二维倒易点阵矢量垂直于原子列（hk)

■二维倒易点阵矢量ghk=1/dhk

■二维倒易点代表一原子列

■二维倒易点阵阵点延伸为倒易杆3.二维倒易点阵特点■二维倒易点阵矢量垂直于原子列（h8§13.2低能电子衍射仪

一.低能电子衍射仪主要由电子光学系统、记录系统、超高真空系统和控制电源组成。1-电子枪阴极2-聚焦杯3-样品4-接收器§13.2低能电子衍射仪

一.低能电子衍射仪9十三章低能电子衍射课件10说明：试样接地，阴极电位为-VP(-10---500V).半球形荧光屏及四个半球形网状栅极（栅丝直径25μm,栅丝间距0.25mm).G1极接地，与试样间无电场，电子可自由运动。G2G3为排斥极，接等于-VP电位，使非弹性散射电子不能穿过。G4接地对接收极屏蔽作用，减少G3与接收极间的电容。半球荧光屏接接5kv（0—7kv)，对穿过栅极的电子束起加速作用，增加电子的能量（亮度）。阴极-VP低能电子枪发射电子，经三级加速聚焦杯聚焦，打在试样上，发射电子干涉波，在荧光屏上的电子斑点排列表征表面原子二维排列规律。斑点间距反映原子间距。说明：试样接地，阴极电位为-VP(-10---500V).11低能电子衍射装置必须采用无油的超高真空系统，真空度要优于1.33×10-7Pa，以避免晶体表面吸收残余气体分子造成表面污染，使固有表面衍射图发生变化。此外在低能电子衍射装置中都装备有原位清洗表面或制备清洁表面的辅助装置，可实现原位的溅射剥蚀、在超高真空中沉积新鲜表面等。低能电子衍射装置必须采用无油的超高真空系统，真空度要优于1.12二.LEED的应用荧光屏衍射斑点的排列反映了试样表面原子的二维排列，由斑点间距、电子波长可知原子间距。不断改变入射电子的能量（波长），荧光屏上某斑点的强度随入射电子能量的变化曲线---”强度特性“、”亮度特性“、I—V或I—E曲线反映二、三层原子二维排列、层间距离、层间原子相对位置、吸收原子和基体原子间相对位置信息。二.LEED的应用荧光屏衍射斑点的排列反映了试样表面原子的二13§13.3低能电子衍射原理一.低能电子衍射原理1.二维电子衍射方向低能电子衍射线来自于样品表面(几个原子层)的相干散射。衍射方向(衍射必要条件)可近似由二维劳埃方程描述将二维点阵视为三维点阵特例，二维点阵衍射方向亦可由衍射矢量方程描述，可写为（S-S0）/=r*HK=Ha*+Kb*(+0c*)§13.3低能电子衍射原理一.低能电子衍射原理14十三章低能电子衍射课件15二.二维点阵与LEED衍射图像关系

1.LEED衍射图像为二维倒易点阵在荧光屏上的投影放大像。试样位于O点，以O为圆心、1/λ为半径作爱氏球，与入射线相交于O*,过O*作与试样表面平行的二维倒易点阵，过二维阵点作垂线垂直于二维点阵面，垂线能与爱氏球相交的倒易点所代表的点阵列满足衍射条件。衍射方向为O至交点方向。在爱氏球后方的半球荧光屏上的斑点，实为垂线与爱氏球交点的延伸放大，所以，LEED图像为二维点阵在荧光屏上的垂直投影。g=1/dhk=(1/λ）sinφ

二.二维点阵与LEED衍射图像关系1.LEED衍射16十三章低能电子衍射课件17十三章低能电子衍射课件182.LEED图像与表面二维点阵关系

g=1/dhk=(1/λ）sinφdh0=rsinφ（r荧光屏的半径）=ra*/(1/λ）=rλa*同理：d0k=rλb*说明：荧光屏（投影面）上斑点图像为二维倒易点阵的放大像，放大倍数为rλ。测出的斑点间距除以rλ，得到二维倒易点阵a*、b*，由此可求出a、b及表面点阵排列。2.LEED图像与表面二维点阵关系g=1/19成像原理与衍射花样特征

低能电子衍射的厄瓦尔德图解(a)电子束正入射(b)电子束斜入射成像原理与衍射花样特征20低能电子衍射以半球形荧光屏(接收极)接收信息。荧光屏上显示的衍射花样由若干衍射斑点(衍射线与荧光屏的交点)组成；每一个斑点对应于样品表面一个晶列的衍射，亦即相应于一个倒易点，因而低能电子衍射花样是样品表面二维倒易点阵的投影像。荧光屏上与倒易原点对应的衍射斑点(00)处于入射线的镜面反射方向上。3。低能电子衍射的花样特征低能电子衍射以半球形荧光屏(接收极)接收信息。3。低能电子衍21§13.4低能电子衍射分析与应用一、低能电子衍射图样的基本分析过程：由样品衍射花样确定a*与b*的方向，并按有关公式求得a*与b*，从而确定样品表面二维倒易点阵单元网格，进而按倒易基矢与正点阵基矢的对应关系确定样品表面点阵单元网格的形状与大小。

§13.4低能电子衍射分析与应用22十三章低能电子衍射课件23二、应用◆分析与研究晶体表面结构：◆晶体表面及吸附层二维点阵单元网格的形状与大小；◆表面原子位置(单元网格内原子位置、吸附原子相对于基底原子位置等)及沿表面深度方向(两三个原子层)原子三维排列情况(层间距、层间原子相对位置、吸附是否导致表面重构等)；◆分析表面结构缺陷(点缺陷、台阶表面、镶嵌结构、应变结构、规则和不规则的畴界和反畴界)等。◆不仅应用于半导体、金属及合金等材料表面结构与缺陷的分析及吸附、偏析和重构相的分析，也应用于气体吸附、脱附及化学反应、外延生长、沉积、催化等过程的研究；◆也可应用于表面动力学过程，如生长动力学和热振动的研究等。二、应用◆分析与研究晶体表面结构：24第二篇电子显微分析

第十三章低能电子衍射

◆二维点阵◆低能电子衍射LEEDLowEnergyElectronDiffraction

第二篇电子显微分析

第十三章低能电子衍射25

低能电子衍射是指以能量为10~500eV的电子束照射晶体样品表面产生的衍射现象。给出样品表面1~5个原子层的结构信息，是研究晶体表面结构的重要方法。低能电子衍射是指以能量为10~500eV的电子束照射晶26

§13.1单晶表面原子排列与二维点阵一.表面状态由于晶体结构的周期性在表面中断，单晶表面的原子排列有3种可能的状态单晶表面原子排列的可能状态体原子的暴露面

维持原体内周期性对应位置，表面原子面暴露。

(b)表面驰豫表面原子平面排列周期性不变，层间距变化。(c)表面重构表面原子发生重新排列。§13.1单晶表面原子排列与二维点阵由于晶体结构的周27十三章低能电子衍射课件28表达其周期性的点阵基本单元称为(单元)网格。网格由表示其形状及大小的两个矢量a与b描述，称为(二维)点阵基矢或单元网格矢量。与三维点阵的排列规则可用14种布拉菲点阵表达相似，二维点阵的排列可用5种二维布拉菲点阵表达正方、长方、菱形（面心长方）、六角、平行四边形。二.单晶表面原子排列规则可用二维点阵描述表达其周期性的点阵基本单元称为(单元)网格。二.单晶表面原子29三、二维点阵的倒易点阵1.定义：对于由点阵基矢a与b定义的二维点阵，若由点阵基矢a*与b*定义的二维点阵满足a*·

a=b*·

b=1

a*·

b=b*·a=0则称a*与b*定义的点阵是a与b定义的点阵的倒易点阵。2.性质：a*⊥b,b*⊥a

a*＝1/asinθ,b*＝1/asinθθ为正点阵基矢量a、b的夹角。三、二维点阵的倒易点阵1.定义：对于由点阵基矢a与b定义的二30二维布拉菲点阵与其倒易点阵十三章低能电子衍射课件313.二维倒易点阵特点■二维倒易点阵矢量垂直于原子列（hk)

■二维倒易点阵矢量ghk=1/dhk

■二维倒易点代表一原子列

■二维倒易点阵阵点延伸为倒易杆3.二维倒易点阵特点■二维倒易点阵矢量垂直于原子列（h32§13.2低能电子衍射仪

一.低能电子衍射仪主要由电子光学系统、记录系统、超高真空系统和控制电源组成。1-电子枪阴极2-聚焦杯3-样品4-接收器§13.2低能电子衍射仪

一.低能电子衍射仪33十三章低能电子衍射课件34说明：试样接地，阴极电位为-VP(-10---500V).半球形荧光屏及四个半球形网状栅极（栅丝直径25μm,栅丝间距0.25mm).G1极接地，与试样间无电场，电子可自由运动。G2G3为排斥极，接等于-VP电位，使非弹性散射电子不能穿过。G4接地对接收极屏蔽作用，减少G3与接收极间的电容。半球荧光屏接接5kv（0—7kv)，对穿过栅极的电子束起加速作用，增加电子的能量（亮度）。阴极-VP低能电子枪发射电子，经三级加速聚焦杯聚焦，打在试样上，发射电子干涉波，在荧光屏上的电子斑点排列表征表面原子二维排列规律。斑点间距反映原子间距。说明：试样接地，阴极电位为-VP(-10---500V).35低能电子衍射装置必须采用无油的超高真空系统，真空度要优于1.33×10-7Pa，以避免晶体表面吸收残余气体分子造成表面污染，使固有表面衍射图发生变化。此外在低能电子衍射装置中都装备有原位清洗表面或制备清洁表面的辅助装置，可实现原位的溅射剥蚀、在超高真空中沉积新鲜表面等。低能电子衍射装置必须采用无油的超高真空系统，真空度要优于1.36二.LEED的应用荧光屏衍射斑点的排列反映了试样表面原子的二维排列，由斑点间距、电子波长可知原子间距。不断改变入射电子的能量（波长），荧光屏上某斑点的强度随入射电子能量的变化曲线---”强度特性“、”亮度特性“、I—V或I—E曲线反映二、三层原子二维排列、层间距离、层间原子相对位置、吸收原子和基体原子间相对位置信息。二.LEED的应用荧光屏衍射斑点的排列反映了试样表面原子的二37§13.3低能电子衍射原理一.低能电子衍射原理1.二维电子衍射方向低能电子衍射线来自于样品表面(几个原子层)的相干散射。衍射方向(衍射必要条件)可近似由二维劳埃方程描述将二维点阵视为三维点阵特例，二维点阵衍射方向亦可由衍射矢量方程描述，可写为（S-S0）/=r*HK=Ha*+Kb*(+0c*)§13.3低能电子衍射原理一.低能电子衍射原理38十三章低能电子衍射课件39二.二维点阵与LEED衍射图像关系

1.LEED衍射图像为二维倒易点阵在荧光屏上的投影放大像。试样位于O点，以O为圆心、1/λ为半径作爱氏球，与入射线相交于O*,过O*作与试样表面平行的二维倒易点阵，过二维阵点作垂线垂直于二维点阵面，垂线能与爱氏球相交的倒易点所代表的点阵列满足衍射条件。衍射方向为O至交点方向。在爱氏球后方的半球荧光屏上的斑点，实为垂线与爱氏球交点的延伸放大，所以，LEED图像为二维点阵在荧光屏上的垂直投影。g=1/dhk=(1/λ）sinφ

二.二维点阵与LEED衍射图像关系1.LEED衍射40十三章低能电子衍射课件41十三章低能电子衍射课件422.LEED图像与表面二维点阵关系

g=1/dhk=(1/λ）sinφdh0=rsinφ（r荧光屏的半径）=ra*/(1/λ）=rλa*同理：d0k=rλb*说明：荧光屏（投影面）上斑点图像为二维倒易点阵的放大像，放大倍数为rλ。测出的斑点间距除以rλ，得到二维倒易点阵a*、b*，由此可求出a、b及表面点阵排列。2.LEED图像与表面二维点阵关系g=1/43成像原理与衍射花样特征

低能电子衍射的厄瓦尔德图解