第8章常用半导体器件及应用课件

第8章常用半导体器件及应用8.1半导体二极管8.2稳压二极管8.3发光二极管8.4二极管的应用举例(半波整流)8.5晶体三极管8.6三极管的应用举例第8章常用半导体器件及应用8.1半导体二极管18.1半导体二极管8.1.1半导体基础知识1.本征半导体自然界的物质按其导电性能分为导体、绝缘体和半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体的主要性质有对光、电、热的敏感性和掺杂性。纯净晶体结构的半导体称之为本征半导体。常用的半导体材料有硅和锗。2.杂质半导体在本征半导体中有控制的掺人特定的杂质可以改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。在本征半导体中，掺人五价兀索(如磷元素)使晶体中某些原子被杂质原子所代替，形成N型半导体。下一页返回8.1半导体二极管8.1.1半导体基础知识下一页返回28.1半导体二极管3.PN结通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，这两种半导体的交界处就形成了PN结。PN结具有单向导电特性。当PN结外加正向电压(外加正向电压的正极接P区一侧，负极接N区一侧)，形成较大的正向电流时，PN结呈现很小的正向电阻，PN结导通;当PN结外加反向电压(外加反向电压的正极接N区一侧，负极接P区一侧)，反向电流很小时，PN结呈现很大的反向电阻，PN结截止。上一页下一页返回8.1半导体二极管3.PN结上一页下一页返回38.1半导体二极管8.1.2半导体二极管的结构与符号将PN结的两端加上相应的电极引线和管壳，就制成了半导体二极管，它的电路符号如图8-1(c)所示。其中三角形表示P区，为阳极;粗短线表示N区，为阴极。半导体二极管按其结构的不同，可以分为点接触型和面接触型两类，如图8-1(a)和(b)所示。8.1.3半导体二极管的单向导电性当外加正向电压时，二极管导通。导通时，二极管的正向压降几乎为零，二极管相当于短路。当外加反向电压时，二极管截止。截止时，二极管的反向电流几乎为零，二极管相当于开路。上一页下一页返回8.1半导体二极管8.1.2半导体二极管的结构与符号上48.1半导体二极管8.1.4半导体二极管的伏安特性二极管中通过的电流随管子两端施加的电压变化的关系曲线称为伏安特性曲线，如图8-2所示。二极管的伏安特性由三部分组成。(1)正向特性。在正向特性的起始部分，当外加正向电压很低时，外电场不能克服PN结的内电场，这个时候正向电流很小，几乎为零当正向电压超过一定的数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。上一页下一页返回8.1半导体二极管8.1.4半导体二极管的伏安特性上一58.1半导体二极管这个一定数值的正向电压称为门坎电压Uth(又称死区电压).其大小与材料及环境温度有关。通常硅管的门坎电压约为0.5V.锗管的约为0.2V。当正向电压超过死区电压值时.正向电流随外加电压的增加而明显增大.二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后.正向压降基本维持不变一般硅管的约为0.6-0.8V,锗管的约为0.2-0.3V。(2)反向特性。在二极管加上反向电压时.由于少数载流子漂移运动.形成很小的反向电流。反向电流的大小与反向电压的高低无关.故通常称它为反向饱和电流。如果温度升高.由于少数载流子增加.反向电流将随之急剧增加一般硅管的反向电流要比锗管的小得多。上一页下一页返回8.1半导体二极管这个一定数值的正向电压称为门坎电压Uth68.1半导体二极管（3）反向击穿特性。当反向电压增加到一定的数值时，强电场将PN结击穿，反向电流突然急剧增加，二极管失去单向导电性，这种现象称为二极管反向击穿，这个数值的反向电压称为反向击穿电压UBR。普通二极管被击穿后，往往因电流过大管子过热而损坏，不能再恢复原来的工作性能。8.1.5半导体二极管的主要参数半导体二极管的参数规定了二极管的性能指标和适用范围.是使用时的主要依据。下面介绍二极管的几个主要参数。上一页下一页返回8.1半导体二极管（3）反向击穿特性。当反向电压增加到一定78.1半导体二极管①最大整流电流IFM。它是指二极管长期运行时，允许通过的最大正向电流，它由PN结的面积和散热条件决定。②最高反向工作电压URM。它是指保证二极管不被击穿的反向电压，为了安全运行一般手册中规定为反向击穿电压的一半。③最大反向电流IRM。它是指在二极管上加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流越小，说明管子的单向导电性能越好。上一页返回8.1半导体二极管①最大整流电流IFM。它是指二极管长期运88.2稳压二极管8.2.1稳压二极管的伏安特性稳压二极管是用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，因为它具有稳定电压的功能，故称为稳压管。稳压管的电路符号及伏安特性曲线如图8-4所示。由图可见，稳压管的正向特性曲线与普通二极管的相似，而反向击穿特性曲线比较陡，稳压管正是工作于特性曲线的反向击穿区域。当反向电压大到某一个数值时反向电流急剧增大，稳压管被反向击穿，但这种击穿不是破坏性的，只要在电路中串联一个适当的限流电阻，就能保证稳压管不因过热而烧坏。在击穿状态下，流过管子的电流在很大范围内变化时，管子两端的电压几乎不变，利用这一特点可以达到稳压的目的。下一页返回8.2稳压二极管8.2.1稳压二极管的伏安特性下一98.2稳压二极管8.2.2稳压二极管的主要参数1.稳定电流IZ稳定电流是稳压管正常工作时的额定电流。工作电流小于IZ时，稳压效果较差;工作电流大于IZ时.在不超过稳压管额定功耗的条件下，工作电流越大，稳压效果越好，只是管子的功耗增加。2.稳定电压UZ稳定电压是稳压管工作电流为规定值时稳压管两端的电压，也就是反向击穿电压。因制造工艺不易控制，同型号管子的稳定电压也有少许差别。上一页下一页返回8.2稳压二极管8.2.2稳压二极管的主要参数上一页108.2稳压二极管3.动态电阻rZ动态电阻是稳压管上电压变化量与电流变化量之比，即。动态电阻越小，反向击穿特性曲线越陡.稳压效果越好。rZ的数值通常在几欧至几十欧之间，随工作电流不同而变化.电流越大，rZ越小。4.额定功耗Pz在管子不致于过热损坏前提下的最大功率损耗值5.稳定电压温度系数αT描述稳定电压对于温度的敏感程度。αT越小.稳定电压受温度影响越小.管子的性能也越好上一页返回8.2稳压二极管3.动态电阻rZ上一页返回118.3发光二极管发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管，它在二极管的正向特性区工作。当发光二极管通过一定的正向电流时，由于电子与空穴直接复合放出能量，发出一定波长的可见光。根据制作材料不同.如砷化镓、磷砷化镓、磷化镓等.能分别发出红、黄、绿等颜色的光。发光二极管的正向工作电压约为2V工作电流一般为几个毫安到几十毫安之间。发光二极管的工作电压低，功耗小，体积小，响应速度快。它主要用作指不灯，除单个使用外，也常做成七段式和矩阵式，作为数字、文字和图形显不器件。它的电气符号如图8-5所示，外形除圆形外，还有矩形、三角形等。返回8.3发光二极管发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极128.4二极管的应用举例(半波整流)单向半波整流电路如图8-6所示。其中u1、u2分别表不变压器的一次侧和二次侧交流电压，RL为负载电阻。设变压器二次绕组的交流电压。，其中u2为变压器二次侧电压有效值。在0~π时间内，即在u2的正半周内.变压器二次侧电压是上端为正，下端为负，二极管VD承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等.即iL=iD。忽略二极管上的压降，负载上输出电压uo=u2输出波形与u2相同。在π~2π时间内，即在u2负半周内，变压器二次绕组的上端为负，下端为正，二极管VD承受反向电压，此时二极管截止，负载上无电流流过，输出电压uo=0，此时u2电压全部加在二极管VD上，电路波形如图8-7所示。返回8.4二极管的应用举例(半波整流)单向半波整流电路如图8-138.5晶体三极管8.5.1晶体管的基本结构根据结构不同，半导体三极管分为PNP型管和NPN型管，其结构示意图和电路符号如图8-8(a)和(b)所示。管子有三个电极:发射极e、基极b和集电极c。从内部结构看，两种类型的晶体管都有三个导电区域.分别称为发射区、基区和集电区。形成了两个PN结，在发射区和基区之间形成的PN结称为发射结;而集电区与基区之间形成的PN结称为集电结。下一页返回8.5晶体三极管8.5.1晶体管的基本结构下一页返回148.5晶体三极管在PNP型晶体管中，发射区是P型半导体。它的多数载流子是空穴，从发射区向基区扩散的是空穴流，所以电流方向由发射极流向基极。在NPN型晶体管中，发射区是N型半导体，它的多数载流子是自由电子，从发射区向基区扩散的是电子流.所以电流的方向由基极指向发射极。不同类型的晶体管在电路中用不同的图形符号表不。如图8-8(c)所示，三极管在制造工艺有如下特点:发射区的掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度低于发射区的，且面积大，基区很薄一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。上一页下一页返回8.5晶体三极管在PNP型晶体管中，发射区是P型半导体。它158.5晶体三极管8.5.2晶体管的电流放大作用用较小的电流去控制较大的电流，称为电流放大。现以NPN型晶体管为例说明晶体管的电流放大作用，工作原理如图8-9所示。电源EB和EC的极性应按图连接，且使EB<EC，这时晶体管的发射结上加的是正向电压，集电结上加的是反向电压。产生放大作用的外部条件是:发射结为正向电压偏置，集电结为反向电压偏置。由晶体管的发射极、基极和电源EB、电阻RB构成基一射极回路;由晶体管的发射极、集电极和电源EC、电阻RC构成集一射极回路。发射极为两个回路的公共端，故把此种形式的电路称为共射极放大电路。上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.2晶体管的电流放大作用上一页下168.5晶体三极管1.晶体管中的电流晶体管中的电流是由内部载流子的运动形成的。①电子从发射区向基区扩散。由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子—电子就要不断地扩散到基区，并且不断地从电源向发射区补充电子,形成发射极电流IE。②电子在基区的扩散和复合过程。从发射区扩散到基区的自由电子，由于浓度分布上的差别，还要向集电区继续扩散。在扩散过程中一小部分自由电子与基区的空穴相遇而复合，形成基极电流IB。上一页下一页返回8.5晶体三极管1.晶体管中的电流上一页下一页返回178.5晶体三极管③集电区收集扩散过来的电子。由于集电结处于反向偏置，使集电结内电场增强，阻挡从集电区的自由电子向基区扩散，但使发射区扩散到基区集电结边缘的自由电子很快地越过集电结到达集电区，形成集电极电流IC。2.晶体管的电流分配关系及电流放大作用根据上面的分析，晶体管各极的电流分配关系可以表示为称为共发射极直流电流放大系数，通常，故有IE≈IC利用小电流IB实现了对大电流IC的控制，这就是晶体管的电流放大作用。上一页下一页返回8.5晶体三极管③集电区收集扩散过来的电子。由于集电结处于188.5晶体三极管8.5.3晶体管的特性曲线晶体管的特性曲线用于表不晶体管各极电压和电流之间的相互关系，它反映晶体管的外部特性，是分析放大电路的重要依据。其中最常用的是输人特性曲线和输出特性曲线。1.输入特性曲线输人特性曲线是指当集一射极电压uCE为常数时，输人电路中基极电流iB与基一射极电压uBE之间的关系曲线其函数表达式为上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.3晶体管的特性曲线上一页下一页返198.5晶体三极管某NPN型硅管的输人特性曲线如图8-10所示。它的形状与二极管的伏安特性相似.晶体管输人特性也有一段死区。只有发射结电压大于死区电压时.晶体管才会导通。硅管的死区电压约为0.5V.在正常工作时NPN型硅管的发射结电压uBE约为0.6-0.7V.通常取0.7V.称之为导通电压uBE（on）。对于PNP型锗管的输人特性曲线，uBE和uCE二都是负值。锗管的死区电压约为0.2V.在正常工作时，PNP型锗管的uBE约为-0.2~-0.3V.通常取-0.2V。上一页下一页返回8.5晶体三极管某NPN型硅管的输人特性曲线如图8-10所208.5晶体三极管2.输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流iB为常数时.输出回路中集电极电流iC与集一射极电压uCE之间的关系曲线。其函数表达式为在不同的iB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性是一组曲线。某NPN型硅管的输出特性曲线如图8-11所示。上一页下一页返回8.5晶体三极管2.输出特性曲线上一页下一页返回218.5晶体三极管当iB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致是一定的。当uCE超过一定的数值(约1V)以后，这些电子的绝大部分被集电区收集，即使uCE继续增高，iC也不再明显地增加，曲线变得平坦，具有恒流特性。当iB增大时，iC也随之增大，曲线上移，而且iC比iB增加要大，这就是晶体管的电流放大作用。通常将输出特性曲线分为三个工作区(1)放大区特性曲线近似水平的部分是放大区。在这个区域内晶体工作在放大状态，发射结处于正偏，集电结处于反偏，iC与iB基本上成正比关系。(2)截止区通常将iB=0曲线的以下区域称为截止区。iB=0时iC=(=ICEO)很小。晶体管工作在截止状态，发射结和集电结都处于反向偏置，晶体管相当于一个断开的开关。上一页下一页返回8.5晶体三极管当iB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大228.5晶体三极管(3)饱和区直线上升和弯曲的部分(虚线左部)称为饱和区。在这个区域内，集电极电位低于基极电位.集电结和发射结都处于正向偏置。晶体管工作在饱和状态下，iB的变化对iC的影响较小，晶体管相当于一个闭合的开关。由上面分析可知，晶体管可以工作在三种状态。在模拟电子线路中通常使其工作在放大区;而在脉冲数字电路中恰好相反，要使晶体管工作在截止区或饱和区，成为一个可控制的无触点开关。上一页下一页返回8.5晶体三极管(3)饱和区上一页下一页返回238.5晶体三极管8.5.4晶体管的主要参数1.电流放大系数当晶体管接成共发射电路时.在静态(无输人信号时)集电极电流IC(输出电流)与基极电流IB(输人电流)的比值称为共发射极静态电流(直流)放大系数.即在动态(有输人信号)工作时.晶体管集电极电流的变化量△IC与基极电流的变化量△IB的比值称为动态电流(交流)放大系数.即上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.4晶体管的主要参数上一页下一页248.5晶体三极管2.集一基极反向饱和电流ICBO它是指发射极开路时.集电极和基极之间的反向饱和电流.其值受温度影响，所以ICBO越小，管子的温度稳定性越好。在常温下，小功率锗管的ICBO约为10μA，所以硅管的温度稳定性比锗管的好。3.穿透电流ICEO它是指基极开路(IB=0)时.从集电极流向发射极的电流。由于这个电流从集电区穿过基区流至发射极.所以又称穿透电流。常温下，小功率锗管的ICEO约为几十微安至几百微安，硅管在几微安以下，ICEO是随温度的增加而增加，而且ICEO比ICBO变化大。所以，常将ICEO作为判断管子质量的重要依据。上一页下一页返回8.5晶体三极管2.集一基极反向饱和电流ICBO上一页下一258.5晶体三极管4.集电极最大允许电流ICM它是指晶体管参数变化不超过允许值时.集电极允许的最大电流。当电流超过ICM时.晶体管的β值显著下降·甚至可能损坏。5.集电极最大允许耗散功率PCM它是指集电结上允许功率损耗的最大值。集电极电流流经集电结时将产生热量.使结温升高.引起晶体管参数变化。晶体管PC的函数式为工作时的PC必须小于PCM。上一页下一页返回8.5晶体三极管4.集电极最大允许电流ICM上一页下一页返268.5晶体三极管晶体管的PCM主要受集电结的限制.锗管允许的结温约为70℃.硅管允许的结温约为150℃。对于大功率管.为了提高PCM.常采用加散热装置的方法。6.集一射极反向击穿电压UBR(CEO)集一射极反向击穿电压是指基极开路时.加在集电极和发射极之间的最大允许电压。使用时.如果uCE>UBR(CEO)，将导致iC剧增.可能使管子因击穿而损坏。以上所介绍的参数中和ICEO为晶体管的性能参数;ICM、PCM和UBR(CEO)是极限参数.用来说明晶体管的使用限制范围。上一页返回8.5晶体三极管晶体管的PCM主要受集电结的限制.锗管允许278.6三极管的应用举例8.6.1放大电路的组成及各元器件的作用如图8-12所示是一个简单的共发射极放大电路.它由三极管、电阻、电容等元件组成。图中VT是NPN型的三极管.它是整个电路的核心.起放大作用。直流电源VCC为三极管集电极提供反向偏置电压.保证集电结反偏。RC是集电极负载电阻.其作用是将三极管集电极电流的变化转变成电压的变化.送到输出端。若没有RC.则输出端的电压始终等于电源电压VCC.就不会随输人信号变化了。直流电源VCC通过基极电阻RB为三极管发射结提供正向偏置电压.并为基极提供所需的电流IB(常称为偏置电流)。电容C1和C2称为耦合电容.它们的作用是“隔直流，通交流”.即对直流信号来说.电容的容抗为无穷大.相当于开路;但对交流信号而言.电容呈现的容抗很小.可近似认为短路。ui为待放大的微弱的电信号。下一页返回8.6三极管的应用举例8.6.1放大电路的组成及各元器件288.6三极管的应用举例8.6.2静态分析在没有加人信号(ui=0)时.放大电路中各处的电压、电流都是直流量.称为直流工作状态.简称为静态。静态时，三极管各电极的直流电流及各电极间的直流电压分别用IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ表示，这些电流、电压的数值可用三极管特性曲线上的一个确定的点表示.习惯上称它们为静态工作点.用Q表示。静态工作点可以通过放大电路的直流通路(直流电流流通的途径)用近似计算法求得。具体步骤如下:①画放大电路的直流通路.标出各支路电流。由于电容有隔离直流的作用.对直流相当于开路.根据这一点可画出放大电路的直流通路如图8-13所示。上一页下一页返回8.6三极管的应用举例8.6.2静态分析上一页下一页返298.6三极管的应用举例②由基极回路依KVL求IBQ由图可知式中UBE可近似为常数，硅管的约为0.7V，锗管的约为0.2V。当VBB>>UBE时得VBB和RB选定后，IBQ即为固定值，故此放大电路又称为固定偏流电路。③根据三极管的电流分配关系.由IBQ求得。上一页下一页返回8.6三极管的应用举例②由基极回路依KVL求IBQ上一页下308.6三极管的应用举例8.6.3动态分析输人端加上输人信号(ui≠0)后.电路中既有直流电量.也有交流电量.各电极的电流和各极间的电压都在静态值的基础上随输人信号作用相应变化。一般用放大电路的交流通路(交流电流流通的途径)来研究交流量及放大电路的动态性能。由放大电路画其交流通路的原则是:(1)原理图中的耦合电容C1、C2都视为短路。(2)电源VCC的内阻很小.对交流信号也可视为短路。根据这些原则.可画出如图8-13(c)所示的交流通路。在共射极放大电路中.要求信号既能被放大.又要不失真.则必须设置合适的静态工作点。否则.静态工作点过高.进人饱和区.引起饱和失真;静态工作点过低.进人截止区.引起截止失真。上一页返回8.6三极管的应用举例8.6.3动态分析上一页返回31图8-1半导体二极管的结构与符号返回图8-1半导体二极管的结构与符号返回32图8-22CZ52A的伏安特性返回图8-22CZ52A的伏安特性返回33图8-4稳压管的伏安特性曲线和电路符号返回图8-4稳压管的伏安特性曲线和电路符号返回34图8-5发光二极管的电路符号返回图8-5发光二极管的电路符号返回35图8-6单相半波整流电路返回图8-6单相半波整流电路返回36图8-7半波整流电路波形图返回图8-7半波整流电路波形图返回37图8-8半导体三极管的结构和符号返回图8-8半导体三极管的结构和符号返回38图8-9晶体管的工作原理返回图8-9晶体管的工作原理返回39图8-10输入特性曲线返回图8-10输入特性曲线返回40图8-11共发射极输出特性曲线返回图8-11共发射极输出特性曲线返回41图8-12单管共发射极放大电路返回图8-12单管共发射极放大电路返回42图8-13放大电路的直流通路和交流通路返回图8-13放大电路的直流通路和交流通路返回43第8章常用半导体器件及应用8.1半导体二极管8.2稳压二极管8.3发光二极管8.4二极管的应用举例(半波整流)8.5晶体三极管8.6三极管的应用举例第8章常用半导体器件及应用8.1半导体二极管448.1半导体二极管8.1.1半导体基础知识1.本征半导体自然界的物质按其导电性能分为导体、绝缘体和半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体的主要性质有对光、电、热的敏感性和掺杂性。纯净晶体结构的半导体称之为本征半导体。常用的半导体材料有硅和锗。2.杂质半导体在本征半导体中有控制的掺人特定的杂质可以改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。在本征半导体中，掺人五价兀索(如磷元素)使晶体中某些原子被杂质原子所代替，形成N型半导体。下一页返回8.1半导体二极管8.1.1半导体基础知识下一页返回458.1半导体二极管3.PN结通过现代工艺，把一块本征半导体的一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，这两种半导体的交界处就形成了PN结。PN结具有单向导电特性。当PN结外加正向电压(外加正向电压的正极接P区一侧，负极接N区一侧)，形成较大的正向电流时，PN结呈现很小的正向电阻，PN结导通;当PN结外加反向电压(外加反向电压的正极接N区一侧，负极接P区一侧)，反向电流很小时，PN结呈现很大的反向电阻，PN结截止。上一页下一页返回8.1半导体二极管3.PN结上一页下一页返回468.1半导体二极管8.1.2半导体二极管的结构与符号将PN结的两端加上相应的电极引线和管壳，就制成了半导体二极管，它的电路符号如图8-1(c)所示。其中三角形表示P区，为阳极;粗短线表示N区，为阴极。半导体二极管按其结构的不同，可以分为点接触型和面接触型两类，如图8-1(a)和(b)所示。8.1.3半导体二极管的单向导电性当外加正向电压时，二极管导通。导通时，二极管的正向压降几乎为零，二极管相当于短路。当外加反向电压时，二极管截止。截止时，二极管的反向电流几乎为零，二极管相当于开路。上一页下一页返回8.1半导体二极管8.1.2半导体二极管的结构与符号上478.1半导体二极管8.1.4半导体二极管的伏安特性二极管中通过的电流随管子两端施加的电压变化的关系曲线称为伏安特性曲线，如图8-2所示。二极管的伏安特性由三部分组成。(1)正向特性。在正向特性的起始部分，当外加正向电压很低时，外电场不能克服PN结的内电场，这个时候正向电流很小，几乎为零当正向电压超过一定的数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。上一页下一页返回8.1半导体二极管8.1.4半导体二极管的伏安特性上一488.1半导体二极管这个一定数值的正向电压称为门坎电压Uth(又称死区电压).其大小与材料及环境温度有关。通常硅管的门坎电压约为0.5V.锗管的约为0.2V。当正向电压超过死区电压值时.正向电流随外加电压的增加而明显增大.二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后.正向压降基本维持不变一般硅管的约为0.6-0.8V,锗管的约为0.2-0.3V。(2)反向特性。在二极管加上反向电压时.由于少数载流子漂移运动.形成很小的反向电流。反向电流的大小与反向电压的高低无关.故通常称它为反向饱和电流。如果温度升高.由于少数载流子增加.反向电流将随之急剧增加一般硅管的反向电流要比锗管的小得多。上一页下一页返回8.1半导体二极管这个一定数值的正向电压称为门坎电压Uth498.1半导体二极管（3）反向击穿特性。当反向电压增加到一定的数值时，强电场将PN结击穿，反向电流突然急剧增加，二极管失去单向导电性，这种现象称为二极管反向击穿，这个数值的反向电压称为反向击穿电压UBR。普通二极管被击穿后，往往因电流过大管子过热而损坏，不能再恢复原来的工作性能。8.1.5半导体二极管的主要参数半导体二极管的参数规定了二极管的性能指标和适用范围.是使用时的主要依据。下面介绍二极管的几个主要参数。上一页下一页返回8.1半导体二极管（3）反向击穿特性。当反向电压增加到一定508.1半导体二极管①最大整流电流IFM。它是指二极管长期运行时，允许通过的最大正向电流，它由PN结的面积和散热条件决定。②最高反向工作电压URM。它是指保证二极管不被击穿的反向电压，为了安全运行一般手册中规定为反向击穿电压的一半。③最大反向电流IRM。它是指在二极管上加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流越小，说明管子的单向导电性能越好。上一页返回8.1半导体二极管①最大整流电流IFM。它是指二极管长期运518.2稳压二极管8.2.1稳压二极管的伏安特性稳压二极管是用特殊工艺制造的面接触型硅二极管，因为它具有稳定电压的功能，故称为稳压管。稳压管的电路符号及伏安特性曲线如图8-4所示。由图可见，稳压管的正向特性曲线与普通二极管的相似，而反向击穿特性曲线比较陡，稳压管正是工作于特性曲线的反向击穿区域。当反向电压大到某一个数值时反向电流急剧增大，稳压管被反向击穿，但这种击穿不是破坏性的，只要在电路中串联一个适当的限流电阻，就能保证稳压管不因过热而烧坏。在击穿状态下，流过管子的电流在很大范围内变化时，管子两端的电压几乎不变，利用这一特点可以达到稳压的目的。下一页返回8.2稳压二极管8.2.1稳压二极管的伏安特性下一528.2稳压二极管8.2.2稳压二极管的主要参数1.稳定电流IZ稳定电流是稳压管正常工作时的额定电流。工作电流小于IZ时，稳压效果较差;工作电流大于IZ时.在不超过稳压管额定功耗的条件下，工作电流越大，稳压效果越好，只是管子的功耗增加。2.稳定电压UZ稳定电压是稳压管工作电流为规定值时稳压管两端的电压，也就是反向击穿电压。因制造工艺不易控制，同型号管子的稳定电压也有少许差别。上一页下一页返回8.2稳压二极管8.2.2稳压二极管的主要参数上一页538.2稳压二极管3.动态电阻rZ动态电阻是稳压管上电压变化量与电流变化量之比，即。动态电阻越小，反向击穿特性曲线越陡.稳压效果越好。rZ的数值通常在几欧至几十欧之间，随工作电流不同而变化.电流越大，rZ越小。4.额定功耗Pz在管子不致于过热损坏前提下的最大功率损耗值5.稳定电压温度系数αT描述稳定电压对于温度的敏感程度。αT越小.稳定电压受温度影响越小.管子的性能也越好上一页返回8.2稳压二极管3.动态电阻rZ上一页返回548.3发光二极管发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管，它在二极管的正向特性区工作。当发光二极管通过一定的正向电流时，由于电子与空穴直接复合放出能量，发出一定波长的可见光。根据制作材料不同.如砷化镓、磷砷化镓、磷化镓等.能分别发出红、黄、绿等颜色的光。发光二极管的正向工作电压约为2V工作电流一般为几个毫安到几十毫安之间。发光二极管的工作电压低，功耗小，体积小，响应速度快。它主要用作指不灯，除单个使用外，也常做成七段式和矩阵式，作为数字、文字和图形显不器件。它的电气符号如图8-5所示，外形除圆形外，还有矩形、三角形等。返回8.3发光二极管发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极558.4二极管的应用举例(半波整流)单向半波整流电路如图8-6所示。其中u1、u2分别表不变压器的一次侧和二次侧交流电压，RL为负载电阻。设变压器二次绕组的交流电压。，其中u2为变压器二次侧电压有效值。在0~π时间内，即在u2的正半周内.变压器二次侧电压是上端为正，下端为负，二极管VD承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等.即iL=iD。忽略二极管上的压降，负载上输出电压uo=u2输出波形与u2相同。在π~2π时间内，即在u2负半周内，变压器二次绕组的上端为负，下端为正，二极管VD承受反向电压，此时二极管截止，负载上无电流流过，输出电压uo=0，此时u2电压全部加在二极管VD上，电路波形如图8-7所示。返回8.4二极管的应用举例(半波整流)单向半波整流电路如图8-568.5晶体三极管8.5.1晶体管的基本结构根据结构不同，半导体三极管分为PNP型管和NPN型管，其结构示意图和电路符号如图8-8(a)和(b)所示。管子有三个电极:发射极e、基极b和集电极c。从内部结构看，两种类型的晶体管都有三个导电区域.分别称为发射区、基区和集电区。形成了两个PN结，在发射区和基区之间形成的PN结称为发射结;而集电区与基区之间形成的PN结称为集电结。下一页返回8.5晶体三极管8.5.1晶体管的基本结构下一页返回578.5晶体三极管在PNP型晶体管中，发射区是P型半导体。它的多数载流子是空穴，从发射区向基区扩散的是空穴流，所以电流方向由发射极流向基极。在NPN型晶体管中，发射区是N型半导体，它的多数载流子是自由电子，从发射区向基区扩散的是电子流.所以电流的方向由基极指向发射极。不同类型的晶体管在电路中用不同的图形符号表不。如图8-8(c)所示，三极管在制造工艺有如下特点:发射区的掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度低于发射区的，且面积大，基区很薄一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。上一页下一页返回8.5晶体三极管在PNP型晶体管中，发射区是P型半导体。它588.5晶体三极管8.5.2晶体管的电流放大作用用较小的电流去控制较大的电流，称为电流放大。现以NPN型晶体管为例说明晶体管的电流放大作用，工作原理如图8-9所示。电源EB和EC的极性应按图连接，且使EB<EC，这时晶体管的发射结上加的是正向电压，集电结上加的是反向电压。产生放大作用的外部条件是:发射结为正向电压偏置，集电结为反向电压偏置。由晶体管的发射极、基极和电源EB、电阻RB构成基一射极回路;由晶体管的发射极、集电极和电源EC、电阻RC构成集一射极回路。发射极为两个回路的公共端，故把此种形式的电路称为共射极放大电路。上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.2晶体管的电流放大作用上一页下598.5晶体三极管1.晶体管中的电流晶体管中的电流是由内部载流子的运动形成的。①电子从发射区向基区扩散。由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子—电子就要不断地扩散到基区，并且不断地从电源向发射区补充电子,形成发射极电流IE。②电子在基区的扩散和复合过程。从发射区扩散到基区的自由电子，由于浓度分布上的差别，还要向集电区继续扩散。在扩散过程中一小部分自由电子与基区的空穴相遇而复合，形成基极电流IB。上一页下一页返回8.5晶体三极管1.晶体管中的电流上一页下一页返回608.5晶体三极管③集电区收集扩散过来的电子。由于集电结处于反向偏置，使集电结内电场增强，阻挡从集电区的自由电子向基区扩散，但使发射区扩散到基区集电结边缘的自由电子很快地越过集电结到达集电区，形成集电极电流IC。2.晶体管的电流分配关系及电流放大作用根据上面的分析，晶体管各极的电流分配关系可以表示为称为共发射极直流电流放大系数，通常，故有IE≈IC利用小电流IB实现了对大电流IC的控制，这就是晶体管的电流放大作用。上一页下一页返回8.5晶体三极管③集电区收集扩散过来的电子。由于集电结处于618.5晶体三极管8.5.3晶体管的特性曲线晶体管的特性曲线用于表不晶体管各极电压和电流之间的相互关系，它反映晶体管的外部特性，是分析放大电路的重要依据。其中最常用的是输人特性曲线和输出特性曲线。1.输入特性曲线输人特性曲线是指当集一射极电压uCE为常数时，输人电路中基极电流iB与基一射极电压uBE之间的关系曲线其函数表达式为上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.3晶体管的特性曲线上一页下一页返628.5晶体三极管某NPN型硅管的输人特性曲线如图8-10所示。它的形状与二极管的伏安特性相似.晶体管输人特性也有一段死区。只有发射结电压大于死区电压时.晶体管才会导通。硅管的死区电压约为0.5V.在正常工作时NPN型硅管的发射结电压uBE约为0.6-0.7V.通常取0.7V.称之为导通电压uBE（on）。对于PNP型锗管的输人特性曲线，uBE和uCE二都是负值。锗管的死区电压约为0.2V.在正常工作时，PNP型锗管的uBE约为-0.2~-0.3V.通常取-0.2V。上一页下一页返回8.5晶体三极管某NPN型硅管的输人特性曲线如图8-10所638.5晶体三极管2.输出特性曲线输出特性曲线是指当基极电流iB为常数时.输出回路中集电极电流iC与集一射极电压uCE之间的关系曲线。其函数表达式为在不同的iB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性是一组曲线。某NPN型硅管的输出特性曲线如图8-11所示。上一页下一页返回8.5晶体三极管2.输出特性曲线上一页下一页返回648.5晶体三极管当iB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致是一定的。当uCE超过一定的数值(约1V)以后，这些电子的绝大部分被集电区收集，即使uCE继续增高，iC也不再明显地增加，曲线变得平坦，具有恒流特性。当iB增大时，iC也随之增大，曲线上移，而且iC比iB增加要大，这就是晶体管的电流放大作用。通常将输出特性曲线分为三个工作区(1)放大区特性曲线近似水平的部分是放大区。在这个区域内晶体工作在放大状态，发射结处于正偏，集电结处于反偏，iC与iB基本上成正比关系。(2)截止区通常将iB=0曲线的以下区域称为截止区。iB=0时iC=(=ICEO)很小。晶体管工作在截止状态，发射结和集电结都处于反向偏置，晶体管相当于一个断开的开关。上一页下一页返回8.5晶体三极管当iB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大658.5晶体三极管(3)饱和区直线上升和弯曲的部分(虚线左部)称为饱和区。在这个区域内，集电极电位低于基极电位.集电结和发射结都处于正向偏置。晶体管工作在饱和状态下，iB的变化对iC的影响较小，晶体管相当于一个闭合的开关。由上面分析可知，晶体管可以工作在三种状态。在模拟电子线路中通常使其工作在放大区;而在脉冲数字电路中恰好相反，要使晶体管工作在截止区或饱和区，成为一个可控制的无触点开关。上一页下一页返回8.5晶体三极管(3)饱和区上一页下一页返回668.5晶体三极管8.5.4晶体管的主要参数1.电流放大系数当晶体管接成共发射电路时.在静态(无输人信号时)集电极电流IC(输出电流)与基极电流IB(输人电流)的比值称为共发射极静态电流(直流)放大系数.即在动态(有输人信号)工作时.晶体管集电极电流的变化量△IC与基极电流的变化量△IB的比值称为动态电流(交流)放大系数.即上一页下一页返回8.5晶体三极管8.5.4晶体管的主要参数上一页下一页678.5晶体三极管2.集一基极反向饱和电流ICBO它是指发射极开路时.集电极和基极之间的反向饱和电流.其值受温度影响，所以ICBO越小，管子的温度稳定性越好。在常温下，小功率锗管的ICBO约为10μA，所以硅管的温度稳定性比锗管的好。3.穿透电流ICEO它是指基极开路(IB=0)时.从集电极流向发射极的电流。由于这个电流从集电区穿过基区流至发射极.所以又称穿透电流。常温下，小功率锗管的ICEO约为几十微安至几百微安，硅管在几微安以下，ICEO是随温度的增加而增加，而且ICEO比ICBO变化大。所以，常将ICEO作为判断管子质量的重要依据。上一页下一页返回8.5晶体三极管2.集一基极反向饱和电流ICBO上一页下一688.5晶体三极管4.集电极最大允许电流ICM它是指晶体管参数变化不超过允许值时.集电极允许的最大电流。当电流超过ICM时.晶体管的β值显著下降·甚至可能损坏。5.集电极最大允许耗散功率PCM它是指集电结上允许功率损耗的最大值。集电极电流流经集电结时将产生热量.使结温升高.引起晶体管参数变化。晶体管PC的函数式为工作时的PC必须小于PCM。上一页下一页返回8.5晶体三极管4.集电极最大允许电流ICM上一页下一页返698.5晶体三极管晶体管的PCM主要受集电结的限制.锗管允许的结温约为70℃.硅管允许的结温约为150℃。对于大功率管.为了提高PCM.常采用加散热装置的方法。6.集一射极反向击穿电压UBR(CEO)集一射极反向击穿电压是指基极开路时.加在集电极和发射极之间的最大允许电压。使用时.如果uCE>UBR(CEO)，将导致iC剧增.可能使管子因击穿而损坏。以上所介绍的参数中和ICEO为晶体管的性能参数;ICM、PCM和UBR(CEO)是极限参数.用来说明晶体管的使用限制范围。上一页返回8.5晶