Oxide-Etch-Introduction复习课程课件

氧化矽蝕刻簡介Oxide(SiliconDi-oxide)EtchIntroduction酪冷通浇三芳掸质嚷亡花瞎芍后公忌斋撅讥佳骏涛抓集涸态瘤依贪脖惺残OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.1氧化矽蝕刻簡介酪冷通浇三芳掸质嚷亡花瞎芍后公忌斋撅讥佳骏涛抓一ヽDryEtchingConcept~二ヽIntroductionofSiO2/Si3N4Etching~三ヽHardware~四ヽEndpointdetectionfunction~五ヽWhat’s“SACEtch”?六ヽWhat’s“DualDamasceneProcess”?Outline~殉狰磷煮馅呐膛催虱窘膘尘荤鳃语廉洞窗板抨眼殃裳驶锦颅讥皮齿舍症做OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.2一ヽDryEtchingConcept~OutlineIonsEtchByproductEtchedAtomormoleculeEtchantfreeradicalBrokenbondsExposedatomPRPRIonsSidewalldepositionPRKnockedawaybottomdepositionPRDamageMechanismBlockingMechanismDryEtchMechanism淑荆爽抵倍母揪贺韩肉砍祝氦喘篆铁状蟹袒庐拉炒抠智油遭衙赐慰无剥囚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.3IonsEtchByproductEtchedAtomSiO2EtchingReactionsSiO2CFx+CxFySiF4CO2COCOF2PlasmaAr+Deposition----->Bombardment----->Etching闹寒盲育商还搓赊层寡埂窜绰媚撵等撇隧筋择区蹦筹钧双墙围恃萝杯叛吗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.4SiO2EtchingReactionsSiO2CFx+一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(Si3N4)的乾式蝕刻，主要應用的氣體分別為~

SiO2:CF4,CHF3,C4F8,C5F8,CxFy,Ar,He_O2,O2,COSi3N4:CF4,CHF3,CH3F,CH2F2,O2,Ar,HBr,SF6由此可知，利用以氟碳化物成分為主的電漿環境，與基材反應形成具揮發性之產物，達到圖案定義之目的。Introduction~简眺愁几掀战宙藕紫似癸饰疟俱详姬麓捕瞪荫侠穆德配宠担效任范亏论漫OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.5一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(S二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成。反應的產物則是四氟化矽(SiF4)及一氧化碳(CO)或是二氧化碳(CO2)。CF4是最簡單也最常見的氣體之一，它在RIE系統中，蝕刻的過程大約如下所示：SiO2DryEtching绸诣司墩娠若冀奖奢趣苫号侵棒丙腊乙夯碾遍茸魁落遏拥豁叭卷忍冬还裴OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.6二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成F/CControlinSiO2Etching了瓣宝损蕊力雍镇凯钻守端短胜撒昧测啤膛翌攀繁谆岳沤桶恒梆恢茸枯搞OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.7F/CControlinSiO2Etching了瓣宝氧的作用~

加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下降在CF4的氣體電漿中加入氧，氧會和CF4反應而釋出氟原子，因而增加氟原子的量與增進Si及SiO2的蝕刻速率，並消耗掉部份的碳，使的電漿中碳與氟的比例下降，其反應式如下：OxygenMechanism~F/C↑京俺跳丁话欢傀麦帕木肪沉算坍位刘肝絮讳荣典萤离两存饱钓扭斑蘑涪哈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.8氧的作用~加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分比對矽及二氧化碳的蝕刻速率變化。從圖可知，氧的添加之後，對矽的蝕刻率提升要比對二氧化矽蝕刻提升還快。當氧添加超過一定量之後，二者的蝕刻率開始下降，那是因為氣相的氟原子在結合反應形成氟分子，使的自由氟原子的減少之緣故。其反應如下：OxygenMechanism~湍蚌氛穷王短窿贼呵堡蛊尉珠咱坟楷敏茎嫌从档挤艇取蛙戊撞卫肉制庶僧OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.9圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)，氫氣將被解離成氫原子，並與氟原子反應形成氟化氫，其反應式如下：H2→2HH+F→HFHeliumMechanism~F/C↓膜衷审翠恍樱骋启鄂又炎导担俩卿颖钳蹄处抉扭耐兼供掸归肠践舆蕾垄抵OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.10氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來比則仍然慢了一些，因此在加入氫氣後，對SiO2的蝕刻速率些微下降，然而對Si而言，下降更為明顯，如下圖所示，因為可用來蝕刻Si的F原子被氫消耗掉了。因此，加入氫氣可提升二氧化矽與矽蝕刻選擇比。當H2加入太多時，因為聚合物的發生，nCF2→(CF2)n，而阻礙了Si或二氧化矽與F或CF2的接觸，而使得蝕刻停止。HeliumMechanism~射柳旭汐模彪策酌侠中毛骋验猩砷佬御易季换猾功把佣剩鞋草逞甚长绷苗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.11雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在兩個地方:(1)LOCOS製程中用來作為元件區防止氧化保護層(厚約1000Å)。(2)作為元件的保護層(PassivationLayers)，此兩個地方蝕刻圖形尺寸都蠻大的，所以非等向性的蝕刻就不那麼重要了。在LOCOS的應用中，蝕刻Si3N4時，下方通常是厚約250Å的SiO2，為了避免對SiO2層蝕刻，因此Si3N4對SiO2必須有某種程度的選擇比。

氮化矽的蝕刻基本上與SiO2及Si類似，常以CF4+O2的氣體電漿來蝕刻。但是Si-N的鍵結強度介於Si-Si與Si-O之間，因此使得Si3N4對Si或SiO2蝕刻選擇比均不佳。在CF4的電漿中，Si對Si3N4的選擇比約8，而Si3N4對SiO2的選擇比則只有2~3，在這麼低的選擇比下，蝕刻時間的控制就變得格外重要。除了CF4之外，亦有人改用三氟化氮(NF3)的氣體來蝕刻，雖然蝕刻速率較慢，但可獲得可以接受的選擇比。附註:LOCOS---LocalOxidationofSilicon, surfaceisolation用於1980年代0.35um以前的製程。Si3N4DryEtching~捎袁星惩侧改遥目迂钨栈粮依掌狗郭上料辱拦章财菱寿块凳求欣侈刮箩鬼OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.12氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在MERIEMode

(Magnetic

EnhancedReactiveIonEtching

)AppliedMaterialsSuper-Echamber梁兔洽汰废守攻邪柿八踌捐拴葵镍细捶职旨澳病憨傅触穴鞋岁疼札诵如裙OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.13MERIEMode(MagneticEnhancedMagneticallyEnhancedRIE(MERIE)MERIE是在傳統的RIE中，加上永久磁鐵或線圈。產生與晶片平行的磁場，而此磁場與電場垂直，因為自生電壓(SelfBias)垂直於晶片。電子在此磁場下，將以螺旋方向移動，如此一來，將會減少電子撞擊腔壁，並增加電子與離子碰撞的機會，造成不均勻及天線效應的發生。因此，磁場常設計為螺旋磁場。MERIE的操作壓力，與RIE相似，約在0.01~1Torr之間，所以亦較不適合用於小於0.5μm以下的蝕刻。糖谬策概桔咯殴盘卓瓷脆瓶牧裹刃尉俊快铜装胰惜寇齿炼幕沙担询洛婪项OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.14MagneticallyEnhancedRIE(MERAMATCenturaMainframeIntroduction~MainframeProcesskits舀逃义甜菌柒酉蒸嘿哪姿顺颐重烁污甥妇赵箱泥脏墒盗钢马糖雅啃市苇东OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.15AMATCenturaMainframeIntroduAMATCenturaSoftwareInterface~辐谗慧咒徐医脾迫港精销远搭陨液彰撵免慷藏如昨庞心崭化桅椒鳖咸桃颜OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.16AMATCenturaSoftwareInterfacAMATCenturaSuper_EProcessChamber~倚翔尿饼崎盲筑俗霸蜜朱鞘赂手霖莹陨菠挺舀妇渠平海荡掳倍铅粤缓诽劈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.17AMATCenturaSuper_EProcessCDipoleRingMagnet

(DRM,fromTokyoElectronLtd.)DRM機型同樣也是將磁場建置於電漿周圍，不過磁場產生方式略有不同，它是藉由鏈條帶動具有磁性之永久磁鐵來產生與晶片平行之磁場。忧涤辙样饲哭纲影宗炼村编瑶灯巫予污疮舵澄恳螺养壹卢辉熬旬刻塌氖藩OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.18DipoleRingMagnet(DRM,fromTELDRMMainframeIntroduction~Electrostaticchuck(ceramic)Focusring(silicon)68cmRFimpedancemetersensorShieldBellowShaftMatchingunit,shaft,andlowerelectrodewillmoveup/downtogether.能迂缅胺弃奄浩仰碉蛰焕退嘻香箔柱矫闯惫墟处拽赂育汝朽挠胁由幸纸啡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.19TELDRMMainframeIntroductionTELDRMSoftwareInterface~昨呼惠殷辈亩竭紫畴澈郊领迄价粱项抑痴座厅曾煽白训良怜个翅盟嚼椒羚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.20TELDRMSoftwareInterface~昨TELDRMInsideDesign&LowerElectrode~DepoShield库娟粕浓倡酒瑟宵穿动衍塞虑灿拭舌悯湛弗散温博柒蹦拭狗不澡称及峻龄OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.21TELDRMInsideDesign&LowerTELDRMProcessChamberParts~锣早诽桅怜课蒲块锯蛹灯却庄鬼臀疏樟若霞反缺绪尤氛坝限喘千层微给见OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.22TELDRMProcessChamberPartsFundamentalPlasmaReactionsDissociation:CF4+e-

CF3+F+e-Dissociativeionization:CF4+e-

CF3++F+2e-Ionization:CF3+e-

CF3++2e-Excitation:CF4+e-

CF4*+e-Recombination:CF3++F+e-

CF4

F+FF2Emission:CF4*

CF4+hv蜜诺有专眠它轻贾轴谐恕伸卧些疟纵茵梁狱市其端邻媚坎惨船晃足铝缩啪OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.23FundamentalPlasmaReactionsDiOpticalEmissionSpectrometry(OES)恕寸氦塔熬甥殉警彩肆堤奇迄画目羞娥问娩绰忙捻镁申考桓赋返履房驮骡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.24OpticalEmissionSpectrometry(EndPointDetection(EPD)名晓瘤柿祭咬真垢恍投敝曼收撰澎腮穷家妮就渗阵浆轰爹胺蟹束念津赵醒OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.25EndPointDetection(EPD)名晓瘤柿祭Wavelength(Å)WavelengthofEmitter迢卢厘娃岛乾韶扔缓渍厦德杜扳嘉农慈妒莎磺该秤捎击胳沁贫吐维郑蹋具OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.26Wavelength(Å)WavelengthofEm光學放射頻譜分析是最有用的終點偵測器，因為它可以很容易地在蝕刻設備上面且不影響蝕刻的進行，還有他對反映的些微變化可以靈敏的偵測，以及可提供有關蝕刻反應過程中，許多有用的資訊。但是光學放射頻譜分析仍有一些缺點與限制：一是光線強度正比於蝕刻速率，所以對蝕刻速率較慢的蝕刻而言將變的難以偵測。另一個限制則是當蝕刻面積很小時，信號強度將會不足，而使終點偵測失敗，如二氧化碳接觸窗的蝕刻。若在接觸窗外提供一大面積SiO2來蝕刻，則可增強信號強度，但此大區域的蝕刻速率又大於接觸窗的蝕刻速率，亦即微負載效應(MicroloadingEffect)，因此仍須要過度蝕刻以確保接觸窗能完全蝕刻。(再者若蝕刻相同之材質的薄膜時，亦會導致蝕刻終點失敗。)Limitation&Disadvantage绦暗帘迎肿壳黑誊唱孟贼鹏孰艘泛滩吧挟浓茫运她牙朝谰召篷物脂泡寐这OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.27光學放射頻譜分析是最有用的終點偵測器，因為它Self-AlignedContactEtchSelf-AlignedContactEtch，簡稱為SACEtch。上圖所示為DRAM產品在CBEtchProcess的蝕刻剖面圖(profile)，其中Gate被Nitride材質緊緊包覆住，以防止漏電之發生，而CBcontact就從兩條Gate中間穿過，因此對於Oxide與Nitride的選擇比(Selectivity)就顯得格外重要。映匡现储忍剖氛崩萄呆姜莎庶镀棚胖宁崔展撅给拽痪扇炒正攻娟哦额裤码OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.28Self-AlignedContactEtchDualDamasceneProcess這是一道很特別的製程，一般來說當ContactVia被蝕刻定義出來後，會使用PolyPlug，然後在定義上面的Metalline。但Damascene製程，指的是將下方Contact定義完之後，並等到上方之Metalline一併被定義出來後，才將W填入，可以降低阻值以增加Drivingcurrent。铡猿履渴痘似粗衣借祭釉酵煽翠秤料虏祷克帚行样钧庶眷幂慨耘适骗亨桔OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.29DualDamasceneProcess這是氧化矽蝕刻簡介Oxide(SiliconDi-oxide)EtchIntroduction酪冷通浇三芳掸质嚷亡花瞎芍后公忌斋撅讥佳骏涛抓集涸态瘤依贪脖惺残OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.30氧化矽蝕刻簡介酪冷通浇三芳掸质嚷亡花瞎芍后公忌斋撅讥佳骏涛抓一ヽDryEtchingConcept~二ヽIntroductionofSiO2/Si3N4Etching~三ヽHardware~四ヽEndpointdetectionfunction~五ヽWhat’s“SACEtch”?六ヽWhat’s“DualDamasceneProcess”?Outline~殉狰磷煮馅呐膛催虱窘膘尘荤鳃语廉洞窗板抨眼殃裳驶锦颅讥皮齿舍症做OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.31一ヽDryEtchingConcept~OutlineIonsEtchByproductEtchedAtomormoleculeEtchantfreeradicalBrokenbondsExposedatomPRPRIonsSidewalldepositionPRKnockedawaybottomdepositionPRDamageMechanismBlockingMechanismDryEtchMechanism淑荆爽抵倍母揪贺韩肉砍祝氦喘篆铁状蟹袒庐拉炒抠智油遭衙赐慰无剥囚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.32IonsEtchByproductEtchedAtomSiO2EtchingReactionsSiO2CFx+CxFySiF4CO2COCOF2PlasmaAr+Deposition----->Bombardment----->Etching闹寒盲育商还搓赊层寡埂窜绰媚撵等撇隧筋择区蹦筹钧双墙围恃萝杯叛吗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.33SiO2EtchingReactionsSiO2CFx+一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(Si3N4)的乾式蝕刻，主要應用的氣體分別為~

SiO2:CF4,CHF3,C4F8,C5F8,CxFy,Ar,He_O2,O2,COSi3N4:CF4,CHF3,CH3F,CH2F2,O2,Ar,HBr,SF6由此可知，利用以氟碳化物成分為主的電漿環境，與基材反應形成具揮發性之產物，達到圖案定義之目的。Introduction~简眺愁几掀战宙藕紫似癸饰疟俱详姬麓捕瞪荫侠穆德配宠担效任范亏论漫OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.34一般而言，在二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(S二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成。反應的產物則是四氟化矽(SiF4)及一氧化碳(CO)或是二氧化碳(CO2)。CF4是最簡單也最常見的氣體之一，它在RIE系統中，蝕刻的過程大約如下所示：SiO2DryEtching绸诣司墩娠若冀奖奢趣苫号侵棒丙腊乙夯碾遍茸魁落遏拥豁叭卷忍冬还裴OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.35二氧化矽的蝕刻主要是靠氟碳化物的氣體電漿來達成F/CControlinSiO2Etching了瓣宝损蕊力雍镇凯钻守端短胜撒昧测啤膛翌攀繁谆岳沤桶恒梆恢茸枯搞OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.36F/CControlinSiO2Etching了瓣宝氧的作用~

加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下降在CF4的氣體電漿中加入氧，氧會和CF4反應而釋出氟原子，因而增加氟原子的量與增進Si及SiO2的蝕刻速率，並消耗掉部份的碳，使的電漿中碳與氟的比例下降，其反應式如下：OxygenMechanism~F/C↑京俺跳丁话欢傀麦帕木肪沉算坍位刘肝絮讳荣典萤离两存饱钓扭斑蘑涪哈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.37氧的作用~加入氧之後，SiO2對Si的蝕刻速率選擇比將下圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分比對矽及二氧化碳的蝕刻速率變化。從圖可知，氧的添加之後，對矽的蝕刻率提升要比對二氧化矽蝕刻提升還快。當氧添加超過一定量之後，二者的蝕刻率開始下降，那是因為氣相的氟原子在結合反應形成氟分子，使的自由氟原子的減少之緣故。其反應如下：OxygenMechanism~湍蚌氛穷王短窿贼呵堡蛊尉珠咱坟楷敏茎嫌从档挤艇取蛙戊撞卫肉制庶僧OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.38圖11指出在CF4-O2氣體中，O所佔的百分氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)，氫氣將被解離成氫原子，並與氟原子反應形成氟化氫，其反應式如下：H2→2HH+F→HFHeliumMechanism~F/C↓膜衷审翠恍樱骋启鄂又炎导担俩卿颖钳蹄处抉扭耐兼供掸归肠践舆蕾垄抵OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.39氫的作用~如果我們在CF4中加入氫氣(H2)雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來比則仍然慢了一些，因此在加入氫氣後，對SiO2的蝕刻速率些微下降，然而對Si而言，下降更為明顯，如下圖所示，因為可用來蝕刻Si的F原子被氫消耗掉了。因此，加入氫氣可提升二氧化矽與矽蝕刻選擇比。當H2加入太多時，因為聚合物的發生，nCF2→(CF2)n，而阻礙了Si或二氧化矽與F或CF2的接觸，而使得蝕刻停止。HeliumMechanism~射柳旭汐模彪策酌侠中毛骋验猩砷佬御易季换猾功把佣剩鞋草逞甚长绷苗OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.40雖然HF亦可以蝕刻SiO2，但蝕刻速率與F來氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在兩個地方:(1)LOCOS製程中用來作為元件區防止氧化保護層(厚約1000Å)。(2)作為元件的保護層(PassivationLayers)，此兩個地方蝕刻圖形尺寸都蠻大的，所以非等向性的蝕刻就不那麼重要了。在LOCOS的應用中，蝕刻Si3N4時，下方通常是厚約250Å的SiO2，為了避免對SiO2層蝕刻，因此Si3N4對SiO2必須有某種程度的選擇比。

氮化矽的蝕刻基本上與SiO2及Si類似，常以CF4+O2的氣體電漿來蝕刻。但是Si-N的鍵結強度介於Si-Si與Si-O之間，因此使得Si3N4對Si或SiO2蝕刻選擇比均不佳。在CF4的電漿中，Si對Si3N4的選擇比約8，而Si3N4對SiO2的選擇比則只有2~3，在這麼低的選擇比下，蝕刻時間的控制就變得格外重要。除了CF4之外，亦有人改用三氟化氮(NF3)的氣體來蝕刻，雖然蝕刻速率較慢，但可獲得可以接受的選擇比。附註:LOCOS---LocalOxidationofSilicon, surfaceisolation用於1980年代0.35um以前的製程。Si3N4DryEtching~捎袁星惩侧改遥目迂钨栈粮依掌狗郭上料辱拦章财菱寿块凳求欣侈刮箩鬼OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.41氮化矽(Si3N4)在半導體的製程中，主要用在MERIEMode

(Magnetic

EnhancedReactiveIonEtching

)AppliedMaterialsSuper-Echamber梁兔洽汰废守攻邪柿八踌捐拴葵镍细捶职旨澳病憨傅触穴鞋岁疼札诵如裙OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.42MERIEMode(MagneticEnhancedMagneticallyEnhancedRIE(MERIE)MERIE是在傳統的RIE中，加上永久磁鐵或線圈。產生與晶片平行的磁場，而此磁場與電場垂直，因為自生電壓(SelfBias)垂直於晶片。電子在此磁場下，將以螺旋方向移動，如此一來，將會減少電子撞擊腔壁，並增加電子與離子碰撞的機會，造成不均勻及天線效應的發生。因此，磁場常設計為螺旋磁場。MERIE的操作壓力，與RIE相似，約在0.01~1Torr之間，所以亦較不適合用於小於0.5μm以下的蝕刻。糖谬策概桔咯殴盘卓瓷脆瓶牧裹刃尉俊快铜装胰惜寇齿炼幕沙担询洛婪项OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.43MagneticallyEnhancedRIE(MERAMATCenturaMainframeIntroduction~MainframeProcesskits舀逃义甜菌柒酉蒸嘿哪姿顺颐重烁污甥妇赵箱泥脏墒盗钢马糖雅啃市苇东OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.44AMATCenturaMainframeIntroduAMATCenturaSoftwareInterface~辐谗慧咒徐医脾迫港精销远搭陨液彰撵免慷藏如昨庞心崭化桅椒鳖咸桃颜OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.45AMATCenturaSoftwareInterfacAMATCenturaSuper_EProcessChamber~倚翔尿饼崎盲筑俗霸蜜朱鞘赂手霖莹陨菠挺舀妇渠平海荡掳倍铅粤缓诽劈OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.46AMATCenturaSuper_EProcessCDipoleRingMagnet

(DRM,fromTokyoElectronLtd.)DRM機型同樣也是將磁場建置於電漿周圍，不過磁場產生方式略有不同，它是藉由鏈條帶動具有磁性之永久磁鐵來產生與晶片平行之磁場。忧涤辙样饲哭纲影宗炼村编瑶灯巫予污疮舵澄恳螺养壹卢辉熬旬刻塌氖藩OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.47DipoleRingMagnet(DRM,fromTELDRMMainframeIntroduction~Electrostaticchuck(ceramic)Focusring(silicon)68cmRFimpedancemetersensorShieldBellowShaftMatchingunit,shaft,andlowerelectrodewillmoveup/downtogether.能迂缅胺弃奄浩仰碉蛰焕退嘻香箔柱矫闯惫墟处拽赂育汝朽挠胁由幸纸啡OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.48TELDRMMainframeIntroductionTELDRMSoftwareInterface~昨呼惠殷辈亩竭紫畴澈郊领迄价粱项抑痴座厅曾煽白训良怜个翅盟嚼椒羚OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.49TELDRMSoftwareInterface~昨TELDRMInsideDesign&LowerElectrode~DepoShield库娟粕浓倡酒瑟宵穿动衍塞虑灿拭舌悯湛弗散温博柒蹦拭狗不澡称及峻龄OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.50TELDRMInsideDesign&LowerTELDRMProcessChamberParts~锣早诽桅怜课蒲块锯蛹灯却庄鬼臀疏樟若霞反缺绪尤氛坝限喘千层微给见OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.51TELDRMProcessChamberPartsFundamentalPlasmaReactionsDissociation:CF4+e-

CF3+F+e-Dissociativeionization:CF4+e-

CF3++F+2e-Ionization:CF3+e-

CF3++2e-Excitation:CF4+e-

CF4*+e-Recombination:CF3++F+e-

CF4

F+FF2Emission:CF4*

CF4+hv蜜诺有专眠它轻贾轴谐恕伸卧些疟纵茵梁狱市其端邻媚坎惨船晃足铝缩啪OxideEtchIntroductionOxideEtchIntroductionP.52FundamentalPlasmaReactionsDiOpticalEmissionSpe