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文档简介
12/31/20221:11:25AM本章基本要求了解半导体的基本知识原理、掌握二极管的特点、伏安特性、应用电路及其分析方法。12/31/20221:11:25AM1、半导体及其特性
一般金属电阻率为10-9~10-6Ω·cm,绝缘体的电阻率为1010~1020Ω·cm,半导体的电阻率为10-3~109Ω·cm。由于半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,故称为半导体。半导体具有以下特性:(1)热敏特性(2)光敏特性(3)杂敏特性一、半导体基础与PN结12/31/20221:11:25AM2、二极管的结构、类型及符号将一个PN结封装起来,引出两个电极,就构成半导体二极管,也称晶体二极管。其电路中的表示符号如图2-11a所示。二极管的外形如图2-1b所示。12/31/20221:11:25AM
二极管的伏安特性就是二极管流过的电流i和两端电压u之间的关系,如图2-13。
1.正向特性
当正向电压足够大,超过开启电压后,内电场的作用被大大削弱,电流很快增加,二极管正向导通,如图2-13(1)段。此时硅二极管的正向导通压降在0.6~0.8V,典型值取0.7V;锗二极管的正向导通压降在0.1~0.3V,典型值取0.2V。
二、二极管的伏安特性12/31/20221:11:25AM二极管的反向特性对应图2-13曲线的(2)段,此时二极管加反向电压,阳极电位低于阴极电位。在二极管两端加反向电压时,其外加电场和内电场的方向一致,当反向电压小于反向击穿电压时,由图中可以看出,反向电流基本恒定,而且电流几乎为零,这是由少数载流子漂移运动所形成的反向饱和电流。硅管的反向电流要比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流一般小于0.1μA,锗管约为几个微安。2.反向特性12/31/20221:11:25AM3.击穿特性
当二极管反向电压过高超过反向击穿电压时,二极管的反向电流急剧增加,对应图2-13图中的(3)段。由于这一段电流大、电压高,所以PN结消耗的功率很大,容易使PN结过热烧坏,一般二极管的反向电压在几十伏以上。温度对二极管伏安特性的影响如图2-14所示。温度升高时,正向特性左移,UBE下降;反向特性下移,反向饱和电流增大。12/31/20221:11:25AM解:若要判断二极管是导通还是截止,则可先假设二极管移开,计算二极管的阳极和阴极之间的电位差。若该电位差大于零,则表明二极管可能导通;若该电位差小于或等于零,则二极管截止。12/31/20221:11:25AM对于例2-1图a所示电路,移开二极管后的电路如图例2-1图b所示,两个二极管的阳极和阴极之间的电位差分别为12/31/20221:11:25AM故二极管D1导通,D2截止。由于二极管为理想二极管,所以D1做短路处理,D2做开路处理,其等效电路如例2-1图c所示。则输出电压为:12/31/20221:11:25AM例2-2
例2-2图所示电路中的二极管是硅管,①若二极管为理想二极管,则流过二极管中的电流是多少?②如果二极管正向导通压降为0.7V,则流过二极管中的电流又是多少?③若U=20V,且二极管正向导通压降为0.7V,则流过二极管中的电流又是多少?12/31/20221:11:25AM解:由例2-2图a所示电路(2)如果二极管正向导通压降为0.7V先判断二极管是导通还是截止。假设将二极管移开,则R2两端的电压为12/31/20221:11:25AM12/31/20221:11:25AM二极管的应用范围很广泛,主要是由于二极管具有单向导电性,所以利用二极管可以进行整流、限幅、保护、检波、钳位及开关电路等。
12/31/20221:11:25AM在负载变化不大的场合,稳压管常用来做稳压电源,由于负载和稳压管并联,又称为并联稳压电源。稳压管在实际工作时要和电阻相配合使用,其电路如图2-18所示。三、稳压管稳压电路12/31/20221:11:25AM可得电阻R的取值范围为
12/31/20221:11:25AM12/31/20221:11:25AM
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12/31/20221:11:25AM12/31/20221:11:25AM1、发光二极管
发光二极管也叫LED,它是由砷化镓GaAs)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)等半导体制成的,因此不仅具有一般PN结的单向导电性,而且在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。故发光二极管工作时要加正向电压。四、半导体光电器件12/31/20221:11:25AM(a)外形图2-19发光二极管的外形和符号(c)应用电路(b)电路符号12/31/20221:11:25AM2、光电二极管VD(也叫光敏二极管)是将光信号变成电信号的半导体器件,与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优点。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,在光电二极管的管壳上有一个能射入光线的窗口,窗口上镶着玻璃透镜,光线可通过透镜照射到管芯,而且PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,PN结的结深很浅,一般小于1微米,这主要是为了提高光的转换效率。其外形和符号分别如图2-20a,b所示。12/31/20221:11:25AM12/31/20221:11:25AM3、变容二极管VCD(Variable-CapacitanceDiode)是利用外加反向电压改变二极管结电容容量的特殊二极管,与普通二极管相比,其结电容变化范围较大。
12/31/20221:11:25AM五、半导体二极管的应用实例12/31/20221:11:25AM2.开关电路12/31/20221:11:25AM[例2-4]电路如例2-4图所示。设输入V,设二极管是理想的,试画出输出电压
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