电子行业2023年度国产化及产品创新并举

一、市场回顾：电子行业跑赢沪深300指数156pct回顾：2022年行情概述2年申万电子输沪深0指数.t2年A股电子数整呈现跌趋至2月2日申电子下跌.期上证指下跌.深指数跌.%，万电跑输深0指数.t。期美费城导体跌.%跑输斯达指数.t；中国台湾电子板下跌.，输台湾0指数.t可见球电板块势均跑于市水平。图表 2年申万电子跑沪深0指数.pt 图表 2年年初至今申电子板排名数第一， 图表 费城半导体数跑输斯达指数.t 图表 中国台湾电指数跑台湾0指数pt 电子板表现较，子块均呈不同程的下跌子板块均现不同度的：截至2月2，其电子电子学品元件光学电子半导、消电子幅分别为.%、.%.%.、.、.，板块呈现同程的下。截止到2月2日，申万电板块E（M）为0倍，处于过去5年中%左的分（最值为，最值为主要是市场风格切换，炭、能源更受市场。图表 SW电子子块行情势 图表 申万电子PE为0倍（过一年值8倍）沪深0在轴其余左轴） 电子行业业绩回顾及2023年投资概述3业绩回顾：游需疲软，收增速落下游需求软，营增速落着手、电等下游端需疲软电子业营增速落2第三度电行业营收达到7亿元同比增长.%分领域看费电半体显器件被动器件PB安防和E2第三季营收别为3亿3元9亿5亿9亿5亿和9元总比速分为.%、.%、.%、.%.、.和.。图表SW电子行板块营及增速单季） 图表SW电子行板块净及增速单季） 图表SW电子行板块营占比（季度） 图表SW电子行板块归净利占（单度） 毛利率和利率同波动费用端体比稳定在SW电子块中除极数企具有BC的商模式，绝部分企业的商模式对稳于制加工的中环C行中设公司外此售费率和理费率相稳定，行业整的销费用和管费用分别为%和%左右毛利和净率呈比较显的向波（4和4异动分别部分司减值失和示行的拖3电子块受消费电需求软，显面板格下跌影平均毛利率和净利回落至和左。利润端承2第三季电子业利达到1亿元同比下降%分子域来看消费子、导体显示件、被动元件PB安防和E2第季度润分别为9元、4亿元5亿3亿元5元、3亿元和3亿元，总比增速分别为.、.、.、%.%.和.%展望3年业，预计导体备维持增消费电和显行业增回：半体设受益国产圆厂产厂商营收有望持高态势手机存下叠加3手机货量速回有望动消电子块营增速升，示板伴随着面板价格回预计盈利所改。图表SW电子行板块归净利及速（季度） 图表SW电子行板块单度毛利和净率 3年投资策略国产化产品新并举展望3年我们认为一方面半导行业作信息术产业基石，于国安全和济发具有举轻重的义，国产成为我半导市场长的主律；另方面，能手进入存博弈段，折屏产及V//R等产品正在兴起，望给产链带新的发机遇因此，持电子业“于大市的评。制造强自主可控背景下，注设备和料替代机：）政策植力度码：中贸易摩后供应安全逐被重视，同时在家政和资扶持导下内企自主新能会进步提另制强国是国建设要半体制造值得期；国产心芯自给不足，造环是重短板国内导体求供严重平，高依赖口，国产核心片自率不足%相比内半体销售%的额占，生制造节晶圆工市场额占不到%）是制约国内成电产业发的最短板国产备、材等验及导全面提：长来看半体等心技术国产化需求凸，国产业企业意提国产率，国内导体企更多会，议关国产设备材料入带的机会。新品频，显升级）品频：）折屏手机发目前苹果其他牌已成折屏手布，预计5年全球折屏手出货达到0万台，注产链机）苹果MR有望动虚拟示产迈入高度随着术的不断发VAMR产品用户验将续进品将步走成苹果MR望带产业崛显示域）MiiED导入场：相传统D屏幕MiiED具高对度、亮度及超等诸明显势；）果带下有望逐步起：iPdPo及Mc搭载iiED背光MiiED在电/板/电车载市将成塑造阶产的标，国内厂商有望快速跟进迎来局良。图表电子行业203年投资框架资料来源：二、半导体：制造强自主可控，关注设备和材料国产化背景：国内半导体需求旺盛，国内供给能力不足以半导体代表的技产领域是美角关键焦8年4，遇美“禁令9年5月5日，美国商部表，将华为及0家关企业列“实清；0年0月4日晚中芯际在交所告，部分供应商收到美国出口管制定的一步制。目前国内导体需旺国内给能力足产造环是重短板国内给能不足国内导体业市规模快速增长，需求供严重平衡，度依进口，产核心片自率不足。在集电路域，进替代间广阔。相比国半导销售的份占生制造晶圆工占不到是制约内集电路业发的最短板。图表我国集成电进口及口金（亿美）图表大陆半导体售与晶代工有率对比 W政策：市场引导税收优基金资金支人才培养体系化我国半体产相对后的面受国家导层高度注近来国密集台一列政提振导体业发展但振兴之路道且。从0年开国务持续台扶政策支持件和成电产业展当年6月发布《鼓软件产业和集电路业发若干策（称国发8号。4年国家成电产业展推纲》提出到0集成电路全行销售入年增速超过%0年8月4日国院印《新期促进成电产业软件业高量发展的若干策国〔8号称国发8文旨在化产业展环境深化业国合作升产创新力和发展质量。图表集成电路产政策汇总 颁布时间颁布机构名称内容0国务院国务院电子计算机和大模集成电路领导小组确定了中国发展大中型算机小型系列的选依据。各个部委8工程8工程意为中国发展集电路第八五年划。各个部委9工程9工程是0世纪0年代九个年计之中。4国务院《关于鼓励集成电路产发的若干政策》将软件产业和集成电路业作信息业的心和民经信息的基础，通过政策引导，鼓资金人才资源向软产业集成路产业。9国务院《国家中长期科学和技发展规划纲要（-0年》确定了核心电子器件、端通芯片基础件，大规集成路制造技术及成套工艺等为6个重大专项。8国家发改委《关于印发进一步鼓励件产业和集成电路产业发展干政策的通知》对集成路线小于8微（）的成电生产业，一年第二年免企业得税第三至第年按照的法税率半征企业所得税。6国务院国家集成电路产业发展进纲要加速发展集成电路制造，提先进装测业发水平突破成电路关键装备和材料。8国务院《中国制造》（国8号）把集成电路及专用装备为重发展象，求着提升成电设计水平，不断丰富知识产（）核和设计工具，破关国家息与络安全及电子整机产业展的心通芯片提升产芯的应适配能力。7国家发改委《国民经济和社会发展十三个五年规划纲要》大力推先进导体新兴沿领创新产业化形成批新长。推广半导体照明等成熟用技。9国家发改委《关于软件和集成电路业业所得税优惠政策有关题通知》享受财税（）7号文件规定的税收优惠策的件、成电企业年汇清缴应按《家税总局于发布业所税优政策事项理办法公告规定税务关备同提《受企所得税优政策软件集成路企备案料明表规的备资。7国务院《国家信息化发展战略要》制定国家信息领域核心术设发展略纲，以系化维弥单点弱势，打造国际先进、全可的核技术系，动集电路基础软件、核心元器件等薄环节现根性突。5国务院《“十三五”国家信化规》信息产业生态体系初步成，点领核心术取突破集成路实现m工艺规模量产，设计水迈向。9国务院《“十三五”国家战性新产发展规划》明确指出做强信息技术心产，提核心础硬供给力。动电子器件变革性升级换代加强功耗性能原理基器、硅光子、混合光电子、微波电子领域沿技和器研发功率导分立器件产业将迎来新一轮速发期。4国家发改委《战略性新兴产业重点品服务指导目录（6版》进一步明确电力电子功器件地位范围包括属氧物半体效应管（F）、绝缘栅极晶管芯（）及模块快恢二极管（）、垂直双扩散金属-氧化物效应体管）、可控硅（）5英寸以大功晶闸（）、集成门换流闸管（）、中小功率智能模块。1财政部、务总局《关于集成电路生产企有企业所得税政策问题的知7年2月1日前设立但未获利的成电线宽于8微米（含）的集成电路生产业，获利度起一年第二免征业所得税三年第五按照的法税率半征收业所税享受至期满为止。7财政部、务总局《关于集成电路设计和件业企业所得税政策的公》依法成立且符合条件的成电设计业和件企，在8年月1日前自获年度计算惠第一至第年免企业得，第三年第五按照的法税率半征企业得税享受期满为止。8国务院《新时期促进集成电路业软件产业高质量发展的干策》国家鼓励的集成电路线小于8纳米（含），且经营期在5年以的集成电路生产企业或目，一年第十免征业所税。家鼓励的集成电路线宽小于5纳米（含），且经营期在5年以上的集电路生企业项目第一至第年免企业得税，第年至十年按照的法税率半征企业得税家鼓的集电路宽小于0纳（含经营在0年以上集成路生企业项目第年至二年征企所得第年至第年按照%的定税率减征收业所税国家鼓的线小于0纳（的成电路生产企业纳税年度生的损，向以年度转，结转限最长不得超过0年。8国务院成为国家一级学科国务院学位委员会会议票通集成路专将作一级科，从子科学与技术一级学科独立来的案。资料来源：政府网站整，减税是主律向先进程倾国发8文提，家鼓的集电路宽小于8米含，经营期在5以上的集成电生产业或目第年至十年征企所得税而在国发4文中对线小于.5米或资额超过亿元且营5以上集成路生企业采取盈利日起五免减半的政策这个策对国内端制企业来说，优的力明显大。比8年减税策明显励先进程并先进程倾。一面先制程芯片产化在国家战略地位意义非凡另一面，成电的先制程是国家新技的集体现。图表政策减税对（0年V8年）资料来源：政府网站整，）0年以，主通过立国院“子计机和规模成电领导组”政策初步立国内晶圆线）4年，国发8号文1专项2专和各税收惠政，这间主要发展业链套环、鼓研发创新并给税收惠至包国家成电产业发推进要出十五国战略兴产发展划集成电路和件所税优政，国大基、二等主要是市场税收优基资金持人才培体系（一级学科设立）面鼓励支持导体产的自可控党的二十大报告提，以国家战略求为导向，聚力量进行创性引领性科攻关，坚决赢关键核心技攻坚战。推进新型工业化，加建设制造强国质量强国天强国、交强国、网络强、数字中国半导体作为电信息行业的基石，预计来会有多的持政策台半导体之制造设：晶圆厂持续扩产，设备受益半导体销稳步增，国占比：3每个度全半导销售额在0亿美元右，中国的半导体售额在0亿美左，全占比在%%间其中联、车联理驱动持续新的子产品销量的长起了重的推作用智能居设备便携电子备基车联的车电子备等外随中国成为重要智能端销市国半导销售在全球占比在逐提4年第季度占比有%右到年3中国半导体销售额在全范围的占达到。图表全球半导体售额及速 图表全球不同地半导体售额场占比 图表中国半导体售额及（陆地区） 图表中国半导体售额全市场额占比 半导体行目前主商业式有两一集成件制模式M式。以特尔三星SK力士代表从设计到制造、测直至入市全部覆；另种是垂分工模，上的芯片计公司Fls负责芯的设，设计好的芯片膜版交由游的圆Fy进行制工完成晶圆由下的封测试司进切割封装测试，每一个节由门的司负责垂直工模的产源于导体业资密集和技密集的特点晶圆工属重资产行业，前m制程艺的厂投金额达百美元级，额的本投使得绝多数导体司无支撑此高昂的开支。大陆厂商场份额从业来1年积电以%的场占率处绝对先的位三星格罗德分第二、第三内厂中芯际暂第五从制工艺看先工（+m目前占据%右的场份主用于P、PU等超大规模逻辑集成路的造。图表全球主要代厂市场额） 资料来源：半导体行业察

图表全球主要代厂市场额） 资料来源：半导体行业察 相比国半导体销份额占比生制造环节（圆代工）是约国内集成电产业发展的大短板，国产导体振兴之路道阻且国内C设能力十年来了较进，华海思通信安防片领已经到全领先平C封测领域国产最为功诞了长科技富微等一领先封测厂位列球第梯队是材料设备制造节与国外领先企业仍然存在不的差。图表半导体产业结构及要工流程资料来源：先进制程本性支会显提以m点为，其资成高达+亿金是m的3倍是m的5倍。为了建设m产线2年积电划全资本性出高达0美元进制不仅要巨的建设本而也提高了设计企业的门槛，根据BS的预测m设计成本将会高达5亿美元。对比台积，国内圆厂资本开存在显差距1台积资本支分为0美元和0亿美，预计P0晶圆造企合计资开支望到0亿金，比增长%其中积电2资本支为0美金，中芯国际2年资本开支为6亿美元前次期为0亿美。图表不同制程下圆厂的备投额（百美元）资料来源：集邦咨询，

图表主要半导体的资开支百万美） 资料来源：集邦咨询， 制程的步使集成路上单个体管积更耗更位面的硅圆上够容更多体提了芯性能。目前半导体制程工艺的步已越来困难具体因有下三点：良品率的制每硅原直径大约.在m制程下每个隔之只有到0颗原子个原的缺陷就会严重影响到产品的率。短沟道效应晶体阈值压随晶体尺寸缩小降低导致道无法全关造成电，高了片功。光刻机技限制前m工用到极紫光刻需要计出杂的射光经过次镜反射，光强度大大衰减，造成光刻胶曝强度足。移动设备导的半体市，更加重功的降低动备受电池航所，PU功耗得尤重要。1年右，随着智手机透率迅速高消费子的心开始从PC端移动倾，传统PC芯片头英尔在动端举步不前也导了其程发在近5年慢了步积电三星益于能手芯片大出量制程艺方拼命赶从1年落后英特尔一代制程到5年赶，最在7年实反超。制程演进20112012201320142015201620172018201920202021台积电nmnmn制程演进20112012201320142015201620172018201920202021台积电nmnmnmnmnmnmn+英特尔nmnmnm三星nmnmnm*nmnm格罗方德nmnmnmnm联华电子nmnm中芯国际nmnmnmN1：英特尔m技术在晶管密方面台积、三星m工艺当，属一技术：格罗方德8年8宣布置mFiFT制的研，专注m产品：联华电子7年宣布暂跟进m和m制程研发资料来源：公司公告，台积电0年m量产2正在进m制工艺此代工场份第三第的格方德联华子均已宣布暂缓m以下程的发目芯片造的进制竞争只剩台积和三两家先厂通过前量获取订单分工厂旧进继续发下代工使后进商在进制工艺的投低于期回而放竞争此扩大市场份、形壁垒未来芯代工领马太应会愈明显国内厂有望在策和金的加下竞实力进步增。另外在芯片类和求量持增加的潮，全晶圆厂量也断扩EMI的据显0年间球投产的半导晶圆厂为2座其中有6座设中国陆占球总数的%并预计从0年到4至少增8个英寸晶厂。据中国际深圳产计，中深圳负责项的发和营，重生产8纳米以上集成路和提供技术务旨在现最每月约4万片2晶圆产项的新资额计为.5美北京区扩方中芯控股国集成路基二期亦庄投订立资合以共成立资企业总投额为6亿元一期目计于年完工成后达成每约0万片2英晶圆能华虹导体计划产无锡2寸晶厂同时虑在锡建设二期项。图表全球晶圆厂持续扩产统计 公司扩产地点投资金额扩产情况月增能）预估产能放时间士兰微厦门0亿元扩增至3万片2英寸5-杭州1亿元扩增至8万片8英寸-华润微重庆新建3万片2英寸闻泰科技上海0亿元新建-4万片2-博世德国0亿欧元新建2万2英寸德州仪器美国扩建2英寸-华虹集团无锡2亿元扩増至5万片2英寸5纳米-中芯国际天津未知扩增至5万片8-北京未知扩增1万片2英寸8纳米及上-深圳5亿美元新建4万2英寸8纳及以上-北京6亿美元新建0万2英寸8纳及以上-晶合集成合肥未知新増2厂4万片2英寸0纳米-合肥未知新建3厂6万片2英寸未知粤芯半导体广州5亿元二期扩増2万片2英寸-绍兴中芯绍兴扩增至9万片英寸-宁波中芯宁波新増3万片8英寸-海辰半导体无锡4亿美元释放约5万片8英寸无锡軽放约5万片8英寸台积电南京7亿美元新建2万片2英寸8纳米及上美国0亿美元新建2万片2英寸5纳米-中国台湾0亿美元扩増3纳米、5纳米和7纳米等进工艺联电台南5亿美元2英寸1万片8米及上-台南0亿美元2英寸3万片8纳米-厦门4亿美元2英寸0片8纳米-力积电铜锣0亿新台币2英寸0万片-世界先进新竹未知新建4万片8英寸-格芯美国未知扩建A8-新加坡、德国、美国4亿美元扩増2纳米至0纳米-三星美国0亿美元扩增3万片2英寸-5纳米-英特尔美国0亿美元扩建2英寸产，部代工芯思想， 设备厂商望受内晶厂扩产导设备主用于导体造和测环节分为圆加设备装设和检设备。晶圆制设备，光机、蚀机薄膜积设为核设备，别占圆制环节比例约%、%和%随着台积电等圆厂头开新一扩产期术升圆产向大转移及国政策大力持国半体设公司充分受益大陆晶圆厂扩。图表晶圆制造环节主要设备及材料使用统计 环节工艺设备所需材料扩散氧化氧化炉硅片、特气体PP设备特种气体激光退火激光退火备特种气体光刻涂胶涂胶显影设备光刻胶测量DM等光刻光刻机掩模版、种气体显影涂胶显影备显影液刻蚀干刻等离子体刻蚀机特种气体湿刻湿法刻蚀备刻蚀液去胶等离子去机特种气体清洗清洗设备清洗液离子注入离子注入离子注入机特种气体去胶等离子去机特种气体清洗清洗设备清洗液薄膜生长VDVD设备特种气体VDVD设备靶材PP设备特种气体ADAD设备特种气体清洗清洗设备清洗液、种气体抛光PP设备抛光液、特种气体刷片刷片机清洗清洗设备清洗液、特种气体测量测量设备金属化VDVD设备靶材VDVD设备特种气体电镀电镀设备电镀液清洗清洗设备清洗液芯思想， 预计3年全球半体设市场规下降4年增速回芯片景气背下全球圆厂启扩1全球半导体设销售额达1美同激增.tr预计2年球半体设市场模有达到5亿美其中光刻、刻蚀和沉积类备是心设。随资本支下3年全球导体备市规模降至6亿美元。半导体备技难度高研发期长资金高依高级术人和高平的发手段具备常高技术槛国内半导体备企虽然近年展现高速长的展趋但毕竟展时有与日国家比还存在定的差距据各分设市场有率计数在光机PV蚀化/散设领三家设商的市占都达以上。图表全球半导晶圆制环节备市场（万美元）

图表全球半导体圆制造节不类型设占比 、Gr， 、Gr 国产半导设备商极推进市进程设备国化率提可：创板来已多家半体设公司市，括中微司、芯碁微、盛上海华海科和荆科等。司预使用PO所资金强研发扩张能，动国产速。半导体国产潮下备赛业绩期建议注龙公司方华创中微司盛上海荆科技分领专业型公司华峰测控、精测电、芯微等零部企业创精等。图表半导体制造节及所设备国产化率 图表半导体设备要上市司 ， ， 半导体之材料：自主可控，国产半导体料可分为圆制需要材料封装要的料晶圆造所的材是核心大体以分硅片材MP抛光材（要是光垫抛光光胶湿电化学（要是纯试剂光刻配套剂子特气光（光掩膜）以及其他。国内大分材自给较低在半导材料域端产市场术壁较高国内业长研发入和累不足在国际分工中处于低端域高产品场主要美日欧韩等数国大公垄断内大分产品给率低基本不足%，主要依赖于进。图表半导体材料产化率 图表半导体制造料各领规模比 ， ， 作为晶制造原材硅质量直决定晶圆造环的稳性片产按照工工可分抛光退火外延片节隔片和缘体硅片大类品其中光片应用围最泛用最大基础产品其的硅产品是在抛光片的基础上二次工产的。随着提单晶术的高硅的尺随着间的展逐提升从2（m到4（m5（m6英m8英m到0年的2英（m2英寸片的一站是8（mm硅片，半导体片尺越大半导硅片生产技术设备料工的要越高由于备研难度较高目前造厂对于8寸的推动力不大，主流工以2英寸和8英寸硅为主。图表硅片的分类 图表半导体硅片寸与制的变化 ， ， 8英寸2英寸硅片占据了的市场份2英寸硅片市不断提合成优势使8寸和6英寸片仍有接近/3的场。8寸和6英寸圆制产线部分设时较早设备旧已完毕，片制成本低，然硅的利用率相对于2寸晶有一定距但综成本一些需要进制的产并不高于2英寸片如高度模电路、射频前端芯片、嵌入式储器S、高压S特殊品方。根据SMO布的全球2寸晶需求测数，1全球2英寸圆需将达到0万/月6年，由于G手机据中等的勃发展2硅片复合长率为%其需求比最的终应用智能机其次为数据中心P/平板电、汽，数中心汽车对2英寸晶的需增长为快。图表全球2英寸硅片厂能及求统计单位千 图表2英寸硅片下游同应用域情况 片/月） CO、， CO、， 硅晶圆应商从0多家逐渐并为在的5家，成寡市场硅晶企业兼并收购其必原因对于片厂商而言其对巨的资开支规优势得尤重要商只通过规模产才降低定成本升盈能力其次，通过兼并收购，厂可以高市集中，提产业的议价力，维持对稳的盈能力。我国硅产业步较产化续进目产硅供应主要集中供应8英及以硅片无法足主需求。国内大片牢掌控海外家手中这对内半体产国产而言终是大隐因推半导产业发上游材料端须与配套快国化进程目前导体片的空间大来国内商有充分益半体硅的国产化。图表半导体硅片场份） 图表国内主要硅企业一半 ， 、百度， 三、折叠屏手机频发，虚拟显示产品逐步兴起智能机出货趋缓集中度提升2年，能机向智能机变，智能机渗透率逐步升带动了手机体的销量；6年，智能机外及硬件级手机创新级引新一增6年至，智手机长乏，牌集中度持续升果、为、PP、VV、小等前5品牌厂市场额持提升，从8年的%提升至1年的%。华为市占滑明显荣耀离后市提升为在到美禁令面临芯的境内市市占从巅时（）的%降至2的左右荣耀华为离后整供链，内市份额步升至2的，出主要其中在大陆场，我预计来全球场份有望逐升至%纵观个消费子上下产业，包括片在的重要零部件厂商具有较强的议能力建议注渠完备面对C端用的品企业及G带来细分域成机会。图表全球智能手出货量况 DC、

图表全球智能手出货份占比 DC、 图表国内智能手出货量况 DC、

图表国内智能手出货份占比 DC、 各大厂商纷纷入局，折叠屏新品频发头部厂商折叠屏品的视上升全新度9年为星的继入正式启折叠年随各大商开始发力，快折屏手产品代和机上速度，而2年4月VVOXFD的发标志国内流厂均已成折叠屏产品的布。图表2020年之后折叠屏手机新机发布频率明显加快百度，折叠屏手“可玩”更：当前场上的要折屏手机户可分为两）技尝者，对格相不敏，更加注重技术创新带来的新感有真需求的费者核心用场包括屏观、文阅读及商办公。折叠屏手的大尺屏幕来更多用场更的屏尺寸观看视电玩戏较板机更好视觉果更大的内容显示空间使得户拥更好阅读验，屏交则可以足不场景的应操作求。图表折叠屏手机比直板机更具可操作空间百度，产品价格步回应场期让费者续观的另个核原因就产品格。期的叠屏品如为MteX和三星lyFld发价分定在9元和9元随头部商的继入场规模应带成本降折屏新价格开始下探近期款新价格下探万元内价段，量表现好的型如PPOFidN和三星ZFlip3起售均低于0元。图表初代折叠屏机起售均远超Pone DCr、

图表1年代表性折屏手价格分情况DC、r、 全球折叠手机市规模现快速长趋势产品质化来越重的景下性屏关技的愈成熟给叠屏手机面市定了件基1年全折叠手机出货量约0万预计5年全折叠手机货量达到0万台。三星全球市场领先：从场份方面看1年星在全折叠市场额高达%。国内市场产品牌据主1年国折叠手机货量为0万，较0年增加%，2年内折屏手机出货量望增至0万台预计5年出货将达0万台国内场份方面，为作国内商中期布者市场份额优势明显，达到%紧随后的是P、星和耀等。图表全球折叠屏机出货及增速 DCr、

图表全球折叠屏机出货场份占比） DC、r、 图表国内折叠屏机出货增速 DCr、

图表国内折叠屏机市场额） DC、r、 目前主流折叠屏机主分为横和竖其横折又为外折内折内折构是目手机商主采取折叠态，合屏时常规板机似开时尺寸屏提了更秀的觉体两块幕的置在量度和航等面存在更大挑战折结由于采用一块屏相于内折重量更加盈但幕处外侧对用提出高要求）竖折则牺牲了折叠屏的屏形，在携性面更有优。图表头部厂商代性折叠手机要参数比 DCr、

图表三种折叠形态 DC、r、 屏幕盖板可折叠幕的键核心性用材关键叠屏机屏盖板材质求较高要具可折性的时能够保证透光率及耐用性（透明聚亚胺和（超薄柔玻璃是当屏幕板材的较选择。G多项指标优势显，有成盖未来选用G拥有更薄厚度折痕制更出色伴随着G生产工艺和的进步，未来G制造成本和规模量等问有望到改，预计3年G的市场份额将超P。图表TG较PI存在方面势 DC、群智GK

图表TG市场份额将在3年反超PI DC、群智GK VR产业进入快车道，R行业整体仍处于B端市场虚拟（增）现实体可分为虚拟实Vitllt，V是指过计算生成现实境仿，让户获得身临其的沉式体）强现实AmtdiyA，是在现世界基上合计算生成图形从而以数字方增强们所的内容混现MixdltMAR和VR的融合是将实世和虚世界合在一起，来产生新的可视化境。图表AR/VMR产品定义百度，VR设备有替代机成为一代移终端常生活用场中，前智手机和脑均于性过剩段，片先进制程的进在关消领域不再有突性价。展未来R设作为术密集产品集成光学传感通信、人体工学多种术，不是在提沉浸和优化品完度环节亦或者新技开发应方面都存在显算力洞，是新一代消费算力平台。VR设备要分为动式分体式一体三种形移动式VR备（R手盒子）为VR备早形态设备身只配置有由片组的光系统显示统以计算统需依靠能手为产过渡产品其使体验及应场景都十分局。分体式R设则主连接脑和戏主等外设，在接设硬件能有够保障，用沉感将明显优于动式VR设备但是体式R设也存便捷方面问题除了用时需同时动外设备外，设备间的连接缆也影响用体。一式VR设备过内独立理器解决线缆缚的题使用由度高，管存在机身过重等方面的问题从综体验面来，一式VR备仍是C端用体验宇宙标准答。图表VR设备三分类态 移动式移动式VR 分体式VR设备 一体式VR设备PU 无无有售价区间(美元） ~0~0~0便宜需外接PC设备内嵌PU处理器特点 需搭配手机使用享受PC平台内容红利交互自由发展瓶颈 内容少，体验差对外接设备性能要求高厚重入门过渡性产品交互受连接线束缚综合性能仍有差距典型产品 oogleadboad、三星

Civ、onyPR taust、Pio4资料来源：百度，VR新品尝鲜常态化：）-5行业鲜期，2推出的MtaRft志着R设备正步民用；）-0年VR产业来了段性潮，R硬设备断推，吸了大的用户资本场，由于品完度低以及缺少质内等问题行业展进了瓶期直至0全球情爆发VR备需快速长内也逐丰富）1至今新布常化首字节动以0亿购国头部R设厂商PI式入局VR业其次Mtast2的市场成功，成为第一款象级VR产，助全球VR设备货量破0万部。2年PIO发布品PIO，后有Mta发布tP，作为VR业风标，家头厂商为R硬的发及演进奠定了调，是轻化。款新均搭配了Pke光学组方，相于菲尔透方案减重%，幅度高了用户佩戴适感有望为未来VR设备流光方案另一面，3年果将发第一代MR设，作苹果元宇宙交付的第一份答卷，重定义VR设备为VR硬件货注增长力。图表当前头部品主力消级VR体机数情况品牌e大朋爱奇艺玩出梦想io产品名eaest2大朋1UlaK奇遇DeamoR2CO4 设备形态一体式一体式一体式一体式一体式上市日期2020年9月2021年8月2022年5月2022年7月2022年9月价格299美元3899元2499元2999元2499CU高通骁龙高通骁龙845高通骁龙高通骁龙高通骁龙光 光学方案菲尼尔透镜菲涅尔透镜双非球面镜片acaeacae学 V101°100°93°95°105°屏幕材质显CDat-CDat-CDat-CDat-CD示 分辨率3664*19203840*21603664*19203200*16004320*2160刷新率120Hz90Hz90Hz90Hz90Hz交 追踪方案6DF3Df6DF6DF6DF互 空间定位Ie-tIe-tIe-tIe-t重量503g410g348g350g295（单头显）电池 3640h 4000h 5500h 5300h 5300VR陀螺，司官，产业利好策不，行空间愈清晰自6年十三”规提出力建虚拟实产之后相关持政持续推出，2年1，工部、育部、旅部五部联合布了虚拟实与业应融合展行计划—年，计划出6年国虚拟实产总体模（括软件以应用领域将超过0元，拟现终端设备销量过0万台并培出0家具较强新能和行业响力骨干，造0个具区域响力引领虚拟现实生态发展的集聚，建成0产业公服务台。图表虚拟现实产发展进程资料来源：亿欧，应用场景断丰，不局限一游戏。于0年球疫爆，居时长的长导了对戏等家活需求的提升叠加Mtat2的高价比达到费级平从而使VR行业步得到根据Mdritllge数据，0年游戏在球VR用户用场景比达%以同时VR设备应用景也不断富不在限于乐游属性，未来有望在办公设计、育培等方继续挥虚现实仿真技优势。图表2020年VR用应用景占比况 图表Pico推出峰VR唱会 游视零教健rdrge Po VR产业进快车道R行业整体仍处于B端市场据C统计数据1年全球VR设出货量达5台同比增加主得益于Mtat2在海市场成2年在球经下行消费求疲的背下球VR设备出货量旧实逆势长有望比增加%至0万台着VR硬件协发展及生建设断完善计未来VR设备货量保持稳增长势5年增长至0万台6年复合长率达%是前低消费电子的细分增量市，VR行有望入规化放阶段AR行整体处于B市场。图表VR设备出货及增速 DC、群智GK

图表R设备出货量及增速 DC、群智GK 在竞争格局面，ta以断式领先据全市场份第一据IC数统计1年Mta场份高达，大鹏和Pio均以%的市场份位列后。于Ma的VR品并在中大陆售，此国市场要以产品，其中1年朋以.%市场额位国内场份首位其次为Pi以.位居二随着字跳动购Pi，在产品力打造以及品牌进资源斜，Po的市占有望到进步攀。图表2021年全球牌市场额 图表2021年国内牌市场额 aDRcoy其他

DRco其他DC、群智GK DC、群智GK 以补贴换流量流量反生态建部牌如Mta和Pco要以贴作主要广手段其中st2在较st1有明显性提升前提售价低于一代品0美而icoo3则推了打卡0返现的促活动。宛如早智能机的态建过程现有VR牌的要目是不成本将硬设备行铺只当用数量累到一定规才吸引多的开者来造爆软从再次引新批用不断试和优中形生态统的性循环建设。产业链面VR设备上游要为备零件以及MM代工其上零部又可分为显核零部件他零部件和配外设中游置为各VR终端牌，包括MtPi、朋等下游用场又分为B端和C端涉及乐、健身、影视、社交等领域其中戏为前VR备最要的用下。图表VR硬件产链资料来源：头显核心部在R硬成本比接近。体而，R显核零部主要分芯片显示组、学模、传感器、信模和声器件根据Wlsn拆解io4告芯片消费级R设的关成，占比约，其为显示模组和光学模组，占比别为和。图表Pico4BM成本比（种类） 图表Pico4BM成本比（品类） FsCD芯片光学模组摄像头模组RMRM其他

芯片屏幕传感DM其他Wsn Wsn 性能与重失衡，品仍持续优：尽管VR行业展逐有所色，是当前VR件端存在少痛。首是性能和重量不平，尤是一式R备更明显随着R设朝着自由以及高浸度续演，不算力统被集成进了R设备中追踪案也渐由来的sd-in发展成Isd-t续航能和重也存这鱼熊掌可兼得的情形另一面，晕感一直是VR设备受诟的痛之一由于示屏能限制虚拟现实感知迟等因，用户在长时间佩戴VR设时，产生晕、心等良反。Pke方案当前R设实现轻化的主途2年年初来以MtatPo和Pio4代的VR新品，以及预明年布的果R设，均配了Pke学方。Pe光学案又为折光路案，为R短焦光学方之一Pke缩短了VR学总（）基础，大幅缩减了VR备的度和量，前常的非球面透镜菲涅透镜的L约在-m而Pke方可以现L缩减厚度减到-是前VR设备实轻便的最解未Pke多透设计望叠眼动踪和变焦示技术将有缓解觉辐调节冲突带来的眩晕问题。非球面透镜 菲涅尔透镜 ce图表非球面透镜 菲涅尔透镜 ce光学原理常规FV°-°°-°°-°常规-m-m15-20mm成像质量边缘成像好容易产生伪影和畸变边缘成像质量好但容易产生伪影优点成本便宜较轻薄、便宜轻薄、成像质量好量产价格-0元-0元-0元发展阶段淡出市场主流选择即将大规模应用代表产品R盒子、PSR等taust、PioNo3等Pio、ustPo、苹果R等Wsn从产业分布看，我国VR产相对衡发，机设、光、显和声等。整制造节，尔股国内先，代工Pco系列和st系光学域上公司括欧光晶光三谱D显环节投资0亿元在北京建设采用P（低温多晶化物技术第6代新型示器；摄头领韦尔份国领先。图表主要VRRMR产业链公司布局统计环节厂商简介进展OEM/O歌尔股份成立于01年于28上市公司营业包括密零组件业务、智能声学机业和智硬件务，为全球代工龙头具备括D学设/学原件子电路结构/散声线射频软自化等DJM服务能力目前司是eacooy等部品牌的核心供应商光学欧菲光成立于01年于20上市为国光学电行龙头企业公司营业产品括光影像模光镜、微电子及智能汽车相关品公司拥有VRAR学器、光模组摄像模组和系统模块业务，具备VAR整机产能和能水晶光电成立于02年于28上市公司国内业从精密薄膜学产研发生和销的知光电器件造的企业浙江省新技企业国家炬计重点新技术企业公司从2010开始局R技，目已经备了反射光波导、衍射光波、折式、镜式等种方案技术三利谱成立于07年于27上市公司要从偏光产品的研、产和售，要产包括T系和黑系列偏光片两类Po学膜应商R品公研究发已一年多时间，产品认证工作基本近尾，同已购相应的生产设备，目正在装调，预下年可以实现小批量供货显示成立于93年于21上市全球导体示领龙头公司拟投资290元在京建采用LO晶氧化物）技术的第6新型导体示器生产线项目主要产元宙核器的R显示等端显示产品。瑞丰光电成立于00年于21上市公司专业事LD封装及提相关决方的国级高技术业也是内封装领域领军企业公司MiD关产已经用到R域前正在配合国际知名品牌客进行案送隆利科技成立于07年于28上市公司一家注于光显示模组的研发、生产销售家级新技企业目前公司搭载MnLD背技术的R产品向芬兰高端头显制造商ao和北知名VR业交摄像头韦尔股份成立于07年于7年市公构建图像感、触控与显示和模拟解决案三业务系协发展导体设计业务体系目前公司可以适用于/R领的产包括CSIgnrmabhpLSirI、电源IC、分立件等多品的产声学国光电器成立于95年于25上市公司全球名的声制造厂商已成为全球头部VAR台企和国头部VAR平台企业的声学模组供商i， 四、智能化纵深跃进niLED兴起MicoED技术模块特性屏幕寸更灵活，方用户据居或摆空间大小行定化选。考虑到McoED的商用需时对难较小的MiiED上日一面是了应对ED带的冲提显示品的比度；另一方面，下游品牌厂希望对比和产分辨的升作为重卖点并提产品加值。相比McoEMiiED更像McoED未成之前过渡段的术两者别主要现MicoED用的芯片尺寸小在0米以MiiED的芯尺寸在0微MicoED后以发光成像而现段MiiED主是作背光用。现有ED程设极限察，固机最尺寸达到m芯，精度差mSMT打件的小尺极限为mmil芯。黄显影间距至少，点最小寸约m芯片。芯片寸小于m的时候，许多的问题将会生。此，用MiED作为MioED未成熟前的渡阶的技。图表微型显示的同技术展路径 Dise

图表MiniLD与MioLD技术比 资料来源：半导体行业察MicoED术将前的ED缩至度仅0微左右是原本ED的，通巨量移技，微米级的B三色的McoED移至板上可以形任意寸的icoED显屏。相比McoE，MiiED更像McoED未成熟之前的渡阶的技，两差别要体在MicoED用的芯尺寸小，在0米左，MiiED芯片尺寸在0微米）MicoED最后以自发成像而现段MiED既可以背光用，作为接显。LED小间距持续发力ni有望在P11及以下逐步渗透ED显屏由D灯拼成ED示屏间距指枚ED灯珠心点间的离，ED显屏行普遍用根据这个距的大，定产品格。间距ED示屏是指ED点间在P.5及以的室内ED显示，主包括P.、P.、P.P.P、.、.0等D显示屏品。从6年小间距ED显屏市开始入快增长以来各大业不加大间距的术研和市布局ED显示屏的点距不实现破，素密增大分辨也随得到大提升小距ED速向屏显领域透。地区分布来看，中国市场遥遥先，据%市场额，次是美和洲等场。图表LD小间距显示同地出货占（）资料来源：Dise

图表LD小间距显示用领出货占）资料来源：半导体行业察 市场规模面据Eiie数显9全球ED间距示屏场规约为6亿美比8增长%。预计3年复合速将达%，续保高速长出货面积面9全球ED间距示屏场出货面积约为1万平方米，同比8年增长。计3年年复合速将达，继保持速增长。MiiLD显示屏望在P.0逐步渗透出货积结来9全球间距示屏货量大的是P.P.其次为P..随小间显示在显领域续渗以及本的一步降来P.P.0和P..6将逐步为主另外随着费者于高化需增加预计P.1以下显示将逐进入场MiiED显示芯片寸也对较小所对应产品的尺寸规格也在.1以下场。图表小间距市场模（百美） 图表小间距市场模（千方米） Dise 资料来源：半导体行业察LD小间距显示屏的片主有两种装形式SD和。）SMD全（正封：游灯厂商灯杯支架晶元引线环氧脂等材封装不同格的珠。游显示屏厂商高速片以温回焊将珠焊电路上成不间距显示元B全（倒封BipnB一种装技，即路板封装B片，要通硅树将晶、引直接装在路板，省了MD封装的灯珠封装、贴片回流等工，大提升小间距D产品的定性观看适性。图表LD小间距显示屏发趋势 Dise

图表不同封装技路线显屏 正装倒装资料来源：半导体行业察B装灯是由氧树固在PB上，氧树和PB板的和力强，具硬度、抗力强抗冲强等特性，以不静、怕磕、怕冲、弯曲、耐、清，耐性，望成为ED小间距示屏P.1及以下市场的主流封装方式。苹果引领背光新升级，ni背光逐步在V显示器兴起苹果在1年4月发新款载MiiED背光的PdP：PdPo1上所载的iiED背屏幕将一块.9英寸:3的屏分为6个区域每个域有4颗灯用于光，控制0个像素的明，使这块D屏拥有十分出色对比、亮、和彩表。展未来预计苹果Mck4与6寸产品将搭配MiiED背光显技术，MiiED在平板与笔电市场将为塑高阶品杆，内厂有望速跟。苹果MiiED产业厂商前主集中中国台包含MiiED片厂晶电测分厂商特特元打件厂商台表科、元丰新B背厂商鼎、鼎；动C厂商有谱、联及聚；光模组商瑞及业成S。图表新iPadPo搭载mniLD背光 Dise

图表苹果Mii背光业链司 资料来源：半导体行业察MiiED在赖度亮度节能耐用等方胜过E，特是在品寿方面高于E。本方，ED在面板尺放大产良会大下导大尺寸ED价居高不而MiiED透过接的式将寸任放大，无良率题。此iiED在大尺（>）示如板、电、视等品的本相较ED更有争力且未来进入大量生产阶段的成下降力。Mii背逐步在V显示兴起iiED近来在术产品产能方面有了质性进步0年以前MiiED背光电主要集中天星案1年B封装式的iiED背电视始兴。括三、、小、康佳、维、虹海、飞浦、视等牌相推出iiED背电，终产品断丰，相传统D屏，MiiED具备高对比度、高亮度及超等诸明显。图表TV领域主要MiniLED背光产品统计 品牌机型电视尺寸寸）封装类型芯片数量（）分区售价三星A系列5B0以上9AA系列-B1以上9起9-B0左右0左右L2B925B9海信GB9长虹M康佳A6668创维09小米大师至尊纪念版9i， 相比传的侧式或直下的背模组搭载Mii光的V或者示器结构异主体现背光组部分品的成本差异主要来自于背光组的异。V以5寸D产品为例比传的直式背模搭载0区的Mii背光组成将增加5美左搭载0分区的Mii背光组成将增加5美左右。T类以.3寸品为：相传统直下背光组，载分区的Mii背光模组成本增加0美左右。图表5寸TV背光模成本分析 Dise

图表.3寸B背光模组成本析 Dise，安证研究Mii背光模一由D芯PB、动C和他材组成成。物料本结来看ED片大占比%，PB占比%驱动C占比%着更的品厂商搭载Mii光的品规化量后Mii光模的成本有望下降%，有利于Mii光渗率提升。MiiED的寸为~m的ED芯一般ED寸的%以因此ED生的一致均匀要求ED灯板即PBMiiED下式用一片灯，材为类板设，须拥高度的用、耐度、整ED巨量转移、复/试及装为iiED核心技，MiiED采高达,0上的ED粒，每个ED的间距Ptch精准度要求高同时须拥坏点的复能力，此在打/转移速度、率、准确、修复极高的难，这一域的技术突破有带来ED晶机场的速增中量产MiiED芯的厂主要括三和华光电背光面要以三安光电主；示屏面，安和灿均相关品。Mii背光装方，主厂商鸿利汇、星、丰和飞光。图表主要MiniLD产业链公司布局统计 环节厂商简介Mini布局进展LD芯三安光电主要从事全色系超高亮度LD外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路、光通讯元器件等的