内存的性能指标

CAS(ColumnAddressStrobe)Latency:列地址选通脉冲延迟时间，即DDR—RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。Row-activedelay(tRAS):内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1〜15,数值越大越慢。RAS-to-CASdelay(tRCD):从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR—RAM行地址选通脉冲(RAS,RowAddressStrobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1〜15可调节，越大越慢。Row—prechargedelay(tRP):内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR-RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1〜7可调，越大越慢。(5)物理Bank:内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥芯片进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank(PhysicalBank,简称P-Bank)的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条物理Bank。(6)逻辑Bank:在芯片的内部，内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL,只要指定一个行(Row),再指定一个列(Column),就可以准确地定位到某个CELL,这就是内存芯片寻址的基本原理。这个阵列我们就称为内存芯片的BANK,也称之为逻辑BANK(LogicalBANK)。由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK,随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计,（7）位宽和带宽：内存的位宽是指内存在一个时钟周期内所能传送数据的位数，以bit为单位，位数越大则瞬间所能传输的数据量越大，这是内存的重要参数之一。内存的带宽是指内存在单位时间内的数据传输速率。（8）内存频率：是指在默认情况下，内存正常工作时的额定运行频率，以MHz（兆赫兹）为单位。显存频率与显存时钟周期是相关的，二者成倒数关系，也就是显存频率=1/显存时钟周期。因为DDR-RAM在时钟上升期和下降期都进行数据传输，其一个周期传输两次数据，相当于SDRAM频率的二倍，所以习惯上称呼的DDR频率是其等效频率，在其实际工作频率上乘以2,就得到了等效频率。因此所谓的PC3200内存，是指工作频率为200MHz,等效频率为400MHz的DDR内存，也就是常说的DDR400。（9）内存封装：是指内存颗粒所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。显存封装形式主要有TSOP、TSOP-II、MBGA、FBGA等。（10）SPD（SerialPresenceDetect,串行存在检测）：SPD是一颗8针的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableROM,电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1）,采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。给大家送上内存常见性能指标的解释之后，就进入到文章的压轴部分，来谈一谈我对内存选购的一些看法。说实在的，本人对于内存条这玩意还算不上是行家，跟硬盘相比，我对内存技术的了解就稍逊一筹了。不过在跟电脑摸爬滚打的这十年里，我也先后使用过EDO-RAM、PC100SDRAM、PC2100DDR—RAM、PC3200DDR-RAM这四种内存条，在使用过程中也真切地感受到内存颗粒技术的发展真可谓是“日新月异”啊，不仅在运行频率方面提升很快，而且在内存颗粒的位宽、工作时序、工作电压、封装技术等方面也有了很大的发展。记得以前在许多人（包括鄙人在内）还只能用得起杂牌LG-7JSDRAM的年代里，能够得到一条金士顿的PC133SDRAM就已经算得上是极品了，每当看到一些“有米”的朋友拿着惹人眼馋的金士顿内存条在自己的机器上超频超得不亦乐乎的时候，我们这些穷人就只有羡慕得直流口水的份了（钱啊……）。现在就不同了，市面上的品牌内存条除了金士顿之外，还有三星金条、威刚、Kingmax、超胜、宇瞻、海盗船、芝奇等好几个品牌，不仅种类繁多、做工精细，而且价钱也越来越平易近人，大大满足了众多电脑玩家（尤其是超频玩家）的胃口，杂牌内存条称雄DIY市场的时代已经是一去不复返了。在选购内存条的过程中，除了要看内存颗粒的运行频率、带宽、工作时序等指标是否能满足自己的需要，以及内存颗粒本身有没有经过打磨、涂漆等Remark手段的处理之外，还要看PCB的色泽和质量、电路板的走线是否清晰、焊点是否饱满牢固、金手指镀层是否均匀、内存颗粒和电容的排列是否整齐、贴片电容的数目是否足够等等。至于该如何挑选合适的内存条这个问题，本人觉得很重要的一条原则就是“什么样的马就配什么样的鞍”，要根据自己的CPU的性能档次和外频情况来选购相应档次的内存条，“好马配劣鞍”或者“劣马配好鞍”都不是明智的选购方法，前者容易使选购回来的内存条成为系统的瓶颈，令CPU的性能优势无法充分发挥出来，后者大材小用，浪费Money。对于大多数使用CeleronD或者Sempron级别的CPU,而且并不打算超频的普通电脑用户来说，选购DDR400的内存条就绰绰有余了，没必要上DDR2内存条，免得大材小用，适得其反。至于内存条的牌子嘛，可以选择三星金条、Hynix、宇瞻等品牌，无论在性能方面还是在兼容性方面都是有保证的，其中Hynix的内存条由于假货较多，所以选购时要注意一下。至于使用PentiumD级别的CPU,并且又比较喜欢超频的玩家来说，可以考虑上海盗船、芝奇等“极品"DD即存条，无论其性能还是价钱上都是够“发烧”的，一般选用到这些内存条的都是一些“骨灰级”玩家，他们对于内存条这玩意可能比我还在行，所以在这里就不细说了。至于许多人都很关心的关于内存工作时序对内存性能的影响问题，个人感觉理论上会有一些影响，但实际上并不明显，要知道那些工作时序都是一些ns级的性能指标，凭着我们这些“肉眼凡胎”是很难直接看出它们之间的细微差别的。要不大家来做一个实验，在同一台机器上分别插上一条容量相同，运行频率和带宽相等，但工作时序分别为5—3—3—15和3—3—3—10DDR2内存条，如果有哪一位仁兄在不使用一些测试软件手段的情况下，单凭操作电脑时的肉眼感觉能够把这两条内存的性能差距辨别出来的话，我就叫他一声老大！对于内存的工作时序问题，如果你既不是内存芯片工程师出身的专业人士，又不是极度“发烧”的超频玩家的话，那就根本不需要在这些“微观”的性能指标上花太多的精力！一家之言，纯属抛砖引玉，如有不同意见的话，欢迎前来灌水讨论！谢谢！tCKtCK.代表SDRAM所能运行的最大频率，数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100的SDRAM内左条来说，其芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10ns,即可在100MHz的外频下正常工作。大多数内存标号的尾数表示的就是tCK周期，像PC-133标准要求tCK的数值不大于7.5nsoCL(CASLatency)CL（CASlatency）为CAS（ColumnAddressStrobe,列地址控制器）的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能在CL=2或CL=3的模式下运行，就是说，它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期也可以是3个时钟周期。在SDRAM的制造过程中，可以将这个特性写入SDRAM的EEPROM（就是SPB）中，在开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并以CL=2这一默认的模式运行。对于PC—100内存来说,要求当CL的值为3时，tCK的数值要小于10ns、tAC:要小于6ns。至于为什么要强调是CL=3的时候呢？这是因为对于同一个内存条,当把它设置成为不同cL数值时，tCK的值就可能不相同，其性能与稳定性都不同。总延迟时间一般用公式来计算：总延迟时间=系统时钟周期XcL+存取时间（tAC）,比如某PC—100内存的存取时间为6ns,我们设定比模式数为2（即CL=2）,则总延迟时间=10ns><2+6ns=26n$tACtAC也就是最大CAS延迟时的最大输入时钟值，PC—100规范要求在CL=3时，tAC不大于6ns,而某些内在编号的尾数则表示的是这个值。目前大