核辐射测量原理-课件6

第六章

半导体探测器SemiconductorDetector1第六章

半导体探测器SemiconductorDete半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被PMT第一打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。2半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测半导体探测器的特点：(1)能量分辨率最佳；(2)射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。常用半导体探测器有：(1)P-N结型半导体探测器；(2)锂漂移型半导体探测器；(3)高纯锗半导体探测器；3半导体探测器的特点：(1)能量分辨率最佳；(2)射线探6.1

半导体的基本性质6.1.1、本征半导体和杂质半导体1)本征半导体：由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素.理想、无杂质的半导体.固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为：ni和pi为单位体积中的电子和空穴的数目，下标“i”表示本征(Intrinsic)材料。T为材料的绝对温度，EG为能级的禁带宽度。46.1半导体的基本性质6.1.1、本征半导体和杂质半导体12)杂质半导体杂质类型：间隙型，替位型。(2)替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等；(1)间隙型：Li，可在晶格间运动。52)杂质半导体杂质类型：间隙型，替位型。(2)替位型：I3)施主杂质(Donorimpurities)与施主能级施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级很接近禁带顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N型半导体。电子浓度：施主杂质浓度电离时能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质；63)施主杂质(Donorimpurities)与施主能级4)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主能级

受主杂质为III族元素，其电离电位EA很低，受主杂质的能级一定很接近禁带底部(即价带顶部)，室温下价带中电子容易跃迁到这些能级上，在价带中出现空穴。所以，此时多数载流子为空穴，杂质原子成为负电中心。掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。空穴浓度：受主杂质浓度能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质；74)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主Dopingwithvalence5atomsDopingwithvalence3atomsN-typesemiconductorP-typesemiconductor8Dopingwithvalence5atomsDop6.2P-N结半导体探测器6.2.1、P-N结半导体探测器的工作原理1)P-N结区(势垒区)的形成(1)多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，达，远高于本征电阻率。96.2P-N结半导体探测器6.2.1、P-N结半导体探测(2)P-N结的漏电流

If

－能量较高的多子穿透内电场，方向为逆内电场方向；IG－在结区内由于热运动产生的电子空穴对；IS－少子扩散到结区。

IG，IS的方向为顺内电场方向。IfIG,IS平衡状态时：10(2)P-N结的漏电流If－能量较高的多子穿透内电(3)外加电场下的P-N结：

在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。

反向电压形成的电场与内电场方向一致。

外加电场使结区宽度增大。反向电压越高，结区越宽。IfIG,IS-+11(3)外加电场下的P-N结：在P-N结上加反向即:在使结区变宽的同时，IG

增加,IS不变，If减小，并出现IL，此时表现的宏观电流称为暗电流。在外加反向电压时的反向电流：

少子的扩散电流，结区面积不变，IS不变；结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG增大；反向电压产生漏电流IL

，主要是表面漏电流。IfIG,IS-+12即:在使结区变宽的同时，IG增加,IS不变，If减2)P-N结半导体探测器的特点

(1)结区的空间电荷分布，电场分布及电位分布P-N结内N区和P区的电荷密度分别为：式中ND和NA分别代表施主杂质和受主杂质浓度；a,b则代表空间电荷的厚度。一般a,b不一定相等，取决于两边的杂质浓度，耗尽状态下结区总电荷为零，即NDa＝NAb。n-typep-type---------------------------------+++++++++++++++132)P-N结半导体探测器的特点(1)结区的空间电荷分布电场为非均匀电场：电位分布可由电场积分得到：14电场为非均匀电场：电位分布可由电场积分得到：14(2)结区宽度与外加电压的关系当x=0时，P区和N区的电位应相等，即又因：所以：则势垒高度V0:15(2)结区宽度与外加电压的关系当x=0时，P区和N区的耗尽区的总宽度：当ND>>NA时，b>>a。则当NA>>ND时，a>>b。则一般可写成：Ni为掺杂少的一边的杂质浓度。16耗尽区的总宽度：当ND>>NA时，b>>a。则当NA>>ND(3)结区宽度的限制因素受材料的击穿电压的限制：受暗电流的限制，因为：17(3)结区宽度的限制因素受材料的击穿电压的限制：受暗电流的(4)结电容随工作电压的变化以N型硅为基体的情况为例，设结区截面为S，宽度为a，则结区内一种符号的空间电荷为：即：18(4)结电容随工作电压的变化以N型硅为基体的情况为

结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影响探测器输出电压幅度的不稳定。即：19结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影6.2.2、P-N结半导体探测器的类型1)金硅面垒(SurfaceBarrier)探测器一般用N型高阻硅作基片，表面蒸金50～100g/cm2(10m左右）氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。对光灵敏，探测带电粒子时探测器必须在真空密封条件下；窗薄，不能用手摸镀金面。206.2.2、P-N结半导体探测器的类型1)金硅面垒(Sur2)扩散结(DiffusedJunction)型探测器采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。室温下测β射线和X射线。212)扩散结(DiffusedJunction)型探测器采6.2.4、主要性能主要用于测量重带电粒子的能谱，如,p等，一般要求耗尽层厚度大于入射粒子的射程。1)能量分辨率影响能量分辨率的因素为：(1)输出脉冲幅度的统计涨落式中：F为法诺因子，对Si，F=0.143；对Ge，F=0.129。w为产生一个电子—空穴对所需要的平均能量。226.2.4、主要性能主要用于测量重带电粒子的能谱，如,能量分辨率可用FWHM表示：FWHM或E称为半高宽或线宽，单位为：KeV。以210Po的E＝5.305MeV的粒子为例，对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为：23能量分辨率可用FWHM表示：FWHM或E(2)探测器和电子学噪声

探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成；电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。

噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出端的噪声的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引起的线宽为：24(2)探测器和电子学噪声探测器的噪声由P-N(3)窗厚度的影响式中为单位窗厚度引起的能量损失。得到总线宽为：例如：则：25(3)窗厚度的影响式中为单位窗厚度引起的能量损失。2）分辨时间与时间分辨本领：3）辐照损伤辐照损伤是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。262）分辨时间与时间分辨本领：3）辐照损伤辐照损伤由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。P-N结半导体探测器存在的矛盾：27由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制6.3锂漂移半导体探测器6.3.1.

锂的漂移特性及P-I-N结1)间隙型杂质——LiLi为施主杂质，电离能很小～0.033eVLi＋漂移速度当温度T增大时，(T)增大，Li+漂移速度增大。286.3锂漂移半导体探测器6.3.1.锂的漂移特性及P-2)P-I-N结的形成基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。(1)一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。(2)另一端表面蒸金属，引出电极。外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ga-)中和，并可实现自动补偿形成I区。(3)形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。PN+IntrinsicSemiFrontmetallizationOhmicbackcontactTopositivebiasvoltage由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器，由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯一的离子。292)P-I-N结的形成基体用P型半导体(因为极高2)工作条件

为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂漂移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)。

对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以防止Li+Ga-离子对离解，使Li+沉积而破坏原来的补偿；对Si(Li)探测器，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无永久性的损伤。302)工作条件为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声3)由于PIN探测器能量分辨率的大大提高，开创了谱学的新阶段。Li漂移探测器的问题：低温下保存代价很高；漂移的生产周期很长，约30～60天。313)由于PIN探测器能量分辨率的大大提高，开创了谱学的新6.4高纯锗(HPGe)半导体探测器由耗尽层厚度的公式：降低杂质的浓度Ni可提高耗尽层的厚度。高纯锗半导体探测器是由极高纯度的Ge单晶制成的P-N结半导体探测器。杂质浓度为~1010原子/cm3。一般半导体材料杂质浓度为~1015原子/cm3。326.4高纯锗(HPGe)半导体探测器由耗尽层厚度的公式：6.4.1.

高纯锗探测器的工作原理1)P-N结的构成(N+-P-P+)采用高纯度的P型Ge单晶，一端表面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成N区和N+，并形成P-N结。另一端蒸金属形成P+。两端引出电极。因为杂质浓度极低，相应的电阻率很高。空间电荷密度很小，P区的耗尽层厚度大。336.4.1.高纯锗探测器的工作原理1)P-N结的构成(N6.5.3.

性能其中：Si(Li)和Ge(Li)平面型探测器用于低能(X)射线的探测，其能量分辨率常以55Fe的衰变产物55Mn的KX能量5.95KeV为标准，一般指标约：1)能量分辨率：为载流子数的涨落。为漏电流和噪声；

为载流子由于陷阱效应带来的涨落，通过适当提高偏置电压减小。HPGe，Ge(Li)同轴型探测器用于射线探测，常以60Co能量为1.332MeV的射线为标准，一般指标约：346.5.3.性能其中：Si(Li)和Ge(Li)2)探测效率一般以3英寸×3英寸的NaI(Tl)晶体为100％，用相对效率来表示。以85cm3的HPGe为例，探测效率为19％。3)峰康比P=全能峰峰值/康普顿平台的峰值与FWHM以及体积有关，可达600～8004)时间特性：电流脉冲宽度可达10-9~10-8s.352)探测效率一般以3英寸×3英寸的NaI(Tl)晶体为1TheEnd!36TheEnd!36作业：教材P158：3、437作业：教材P158：3、437第六章

半导体探测器SemiconductorDetector38第六章

半导体探测器SemiconductorDete半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被PMT第一打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。39半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测半导体探测器的特点：(1)能量分辨率最佳；(2)射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。常用半导体探测器有：(1)P-N结型半导体探测器；(2)锂漂移型半导体探测器；(3)高纯锗半导体探测器；40半导体探测器的特点：(1)能量分辨率最佳；(2)射线探6.1

半导体的基本性质6.1.1、本征半导体和杂质半导体1)本征半导体：由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素.理想、无杂质的半导体.固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为：ni和pi为单位体积中的电子和空穴的数目，下标“i”表示本征(Intrinsic)材料。T为材料的绝对温度，EG为能级的禁带宽度。416.1半导体的基本性质6.1.1、本征半导体和杂质半导体12)杂质半导体杂质类型：间隙型，替位型。(2)替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等；(1)间隙型：Li，可在晶格间运动。422)杂质半导体杂质类型：间隙型，替位型。(2)替位型：I3)施主杂质(Donorimpurities)与施主能级施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级很接近禁带顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N型半导体。电子浓度：施主杂质浓度电离时能够施放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质；433)施主杂质(Donorimpurities)与施主能级4)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主能级

受主杂质为III族元素，其电离电位EA很低，受主杂质的能级一定很接近禁带底部(即价带顶部)，室温下价带中电子容易跃迁到这些能级上，在价带中出现空穴。所以，此时多数载流子为空穴，杂质原子成为负电中心。掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。空穴浓度：受主杂质浓度能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心的杂质；444)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主Dopingwithvalence5atomsDopingwithvalence3atomsN-typesemiconductorP-typesemiconductor45Dopingwithvalence5atomsDop6.2P-N结半导体探测器6.2.1、P-N结半导体探测器的工作原理1)P-N结区(势垒区)的形成(1)多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，达，远高于本征电阻率。466.2P-N结半导体探测器6.2.1、P-N结半导体探测(2)P-N结的漏电流

If

－能量较高的多子穿透内电场，方向为逆内电场方向；IG－在结区内由于热运动产生的电子空穴对；IS－少子扩散到结区。

IG，IS的方向为顺内电场方向。IfIG,IS平衡状态时：47(2)P-N结的漏电流If－能量较高的多子穿透内电(3)外加电场下的P-N结：

在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。

反向电压形成的电场与内电场方向一致。

外加电场使结区宽度增大。反向电压越高，结区越宽。IfIG,IS-+48(3)外加电场下的P-N结：在P-N结上加反向即:在使结区变宽的同时，IG

增加,IS不变，If减小，并出现IL，此时表现的宏观电流称为暗电流。在外加反向电压时的反向电流：

少子的扩散电流，结区面积不变，IS不变；结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG增大；反向电压产生漏电流IL

，主要是表面漏电流。IfIG,IS-+49即:在使结区变宽的同时，IG增加,IS不变，If减2)P-N结半导体探测器的特点

(1)结区的空间电荷分布，电场分布及电位分布P-N结内N区和P区的电荷密度分别为：式中ND和NA分别代表施主杂质和受主杂质浓度；a,b则代表空间电荷的厚度。一般a,b不一定相等，取决于两边的杂质浓度，耗尽状态下结区总电荷为零，即NDa＝NAb。n-typep-type---------------------------------+++++++++++++++502)P-N结半导体探测器的特点(1)结区的空间电荷分布电场为非均匀电场：电位分布可由电场积分得到：51电场为非均匀电场：电位分布可由电场积分得到：14(2)结区宽度与外加电压的关系当x=0时，P区和N区的电位应相等，即又因：所以：则势垒高度V0:52(2)结区宽度与外加电压的关系当x=0时，P区和N区的耗尽区的总宽度：当ND>>NA时，b>>a。则当NA>>ND时，a>>b。则一般可写成：Ni为掺杂少的一边的杂质浓度。53耗尽区的总宽度：当ND>>NA时，b>>a。则当NA>>ND(3)结区宽度的限制因素受材料的击穿电压的限制：受暗电流的限制，因为：54(3)结区宽度的限制因素受材料的击穿电压的限制：受暗电流的(4)结电容随工作电压的变化以N型硅为基体的情况为例，设结区截面为S，宽度为a，则结区内一种符号的空间电荷为：即：55(4)结电容随工作电压的变化以N型硅为基体的情况为

结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影响探测器输出电压幅度的不稳定。即：56结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影6.2.2、P-N结半导体探测器的类型1)金硅面垒(SurfaceBarrier)探测器一般用N型高阻硅作基片，表面蒸金50～100g/cm2(10m左右）氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。对光灵敏，探测带电粒子时探测器必须在真空密封条件下；窗薄，不能用手摸镀金面。576.2.2、P-N结半导体探测器的类型1)金硅面垒(Sur2)扩散结(DiffusedJunction)型探测器采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。室温下测β射线和X射线。582)扩散结(DiffusedJunction)型探测器采6.2.4、主要性能主要用于测量重带电粒子的能谱，如,p等，一般要求耗尽层厚度大于入射粒子的射程。1)能量分辨率影响能量分辨率的因素为：(1)输出脉冲幅度的统计涨落式中：F为法诺因子，对Si，F=0.143；对Ge，F=0.129。w为产生一个电子—空穴对所需要的平均能量。596.2.4、主要性能主要用于测量重带电粒子的能谱，如,能量分辨率可用FWHM表示：FWHM或E称为半高宽或线宽，单位为：KeV。以210Po的E＝5.305MeV的粒子为例，对一种PN结探测器，由于输出脉冲幅度的统计涨落引起的线宽为：60能量分辨率可用FWHM表示：FWHM或E(2)探测器和电子学噪声

探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成；电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。

噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出端的噪声的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引起的线宽为：61(2)探测器和电子学噪声探测器的噪声由P-N(3)窗厚度的影响式中为单位窗厚度引起的能量损失。得到总线宽为：例如：则：62(3)窗厚度的影响式中为单位窗厚度引起的能量损失。2）分辨时间与时间分辨本领：3）辐照损伤辐照损伤是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。632）分辨时间与时间分辨本领：3）辐照损伤辐照损伤由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。P-N结半导体探测器存在的矛盾：64由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制6.3锂漂移半导体探测器6.3.1.

锂的漂移特性及P-I-N结1)间隙型杂质——LiLi为施主杂质，电离能很小～0.033eVLi＋漂移速度当温度T增大时，(T)增大，Li+漂移速度增大。656.3锂漂移半导体探测器6.3.1.锂的漂移特性及P-2)P-I-N结的形成基体用P型半导体(因为极高纯度的材料多是P型的)，例如掺硼的Si或Ge单晶。(1)一端表面蒸Li，Li离子化为Li+,形成PN结。(2)另一端表面蒸金属，引出电极。外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ga-)中和，并可实现自动补偿形成I区。(3)形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电极。PN+IntrinsicSemiFrontmetallizationOhmicbackcontactTopositivebiasvoltage由硅作为基体的探测器称为Si(Li)探测器，由锗作为基体的探测器称为Ge(Li)探测器。锂离子是用于漂移成探测器的唯一的离子。662)P-I-N结的形成基体用P型半导体(因