半导体材料的应用及发展趋势课件

半导体材料(semiconductormaterial)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm)半导体材料(semiconductormaterial)是1路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可按化学组成来2有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、S有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导体：在元素3e具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sbe具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性4、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se3种元素已得到利用。Ge、Si、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因5仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体材料）2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体材料）2、无6由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组7Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的8物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素9重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn10Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSbTm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。11-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。（半导体材料元素结构图）半导体材料三元系包括：族:这是由一-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固12个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例13族中两个Ⅱ族原子所构成的,如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3A族中两个Ⅱ族原子所构成的,如CuGaSe2、AgInTe14sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。3、有机化合物半导体：已知的有机半sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe415导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合16二、半导体材料实际运用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯二、半导体材料实际运用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同17、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要18称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后19电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。（半导体材料）绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都20为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制21入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。22用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶23、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以24延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。三延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于25、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，半导体材、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期26料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也27将趋于缓和，但增长势头仍将保持。（半导体材料）美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内将趋于缓和，但增长势头仍将保持。（半导体材料）美国半导体产业28连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得2922%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料30新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实31所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强32幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封33、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合34合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似，半导35压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。四、半导体材料战略地位20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维材料压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。四、半导体材料战略36和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成37使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳38治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式建华管桩怎么样?最新建华管桩价格混凝土搅拌机型号最新混凝土搅拌机价格大全治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式建华管桩39版权所有，禁止转载，谢谢支持。版权所有，禁止转载，谢谢支持。401、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。12月-2212月-22Thursday,December22,20222、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。11:16:3111:16:3111:1612/22/202211:16:31AM3、越是没有本领的就越加自命不凡。12月-2211:16:3111:16Dec-2222-Dec-224、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。11:16:3111:16:3111:16Thursday,December22,20225、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。12月-2212月-2211:16:3111:16:31December22,20226、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。22十二月202211:16:31上午11:16:3112月-227、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。。十二月2211:16上午12月-2211:16December22,20228、业余生活要有意义，不要越轨。2022/12/2211:16:3111:16:3122December20229、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。11:16:31上午11:16上午11:16:3112月-2210、你要做多大的事情，就该承受多大的压力。12/22/202211:16:31AM11:16:3122-12月-2211、自己要先看得起自己，别人才会看得起你。12/22/202211:16AM12/22/202211:16AM12月-2212月-2212、这一秒不放弃，下一秒就会有希望。22-Dec-2222December202212月-2213、无论才能知识多么卓著，如果缺乏热情，则无异纸上画饼充饥，无补于事。Thursday,December22,202222-Dec-2212月-2214、我只是自己不放过自己而已，现在我不会再逼自己眷恋了。12月-2211:16:3122December202211:16谢谢大家1、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。12月-2212月41半导体材料(semiconductormaterial)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm)半导体材料(semiconductormaterial)是42路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可按化学组成来43有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、S有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导体：在元素44e具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sbe具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性45、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se3种元素已得到利用。Ge、Si、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因46仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体材料）2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体材料）2、无47由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组48Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的49物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素50重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn51Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSbTm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。52-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。（半导体材料元素结构图）半导体材料三元系包括：族:这是由一-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固53个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例54族中两个Ⅱ族原子所构成的,如CuGaSe2、AgInTe2、AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3A族中两个Ⅱ族原子所构成的,如CuGaSe2、AgInTe55sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。3、有机化合物半导体：已知的有机半sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe456导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合57二、半导体材料实际运用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯二、半导体材料实际运用制备不同的半导体器件对半导体材料有不同58、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要59称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后60电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。（半导体材料）绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都61为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制62入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。63用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶64、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以65延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。三延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于66、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，半导体材、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期67料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也68将趋于缓和，但增长势头仍将保持。（半导体材料）美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内将趋于缓和，但增长势头仍将保持。（半导体材料）美国半导体产业69连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得7022%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料71新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实72所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强73幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封74、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合75合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似，半导76压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。四、半导体材料战略地位20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维材料压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。四、半导体材料战略77和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成78使