金属和硅接触的问题课件

金属化与平坦化金属化与平坦化1概述金属化将晶片上制成的各种元器件用五连金属线连接起来构成具有各种功能的杗成电路的工艺。是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜,通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。概述2互连金属GlobalinterconnectstudLanlntercnuedt互连金属3钝化层压点金属DILDILD-3ILD-l多晶杷L氧化石p-外延层硅衬底图7.41整个0.18Hm的cMOS剖面钝化层4在集成电路中金属薄膜主要用于1.欧姆接触(OhmicContact)2肖特基接触(SchottkyBarrierContact3低阻栅电极(GateElectrode)4.器件间互联(interconnect)在集成电路中金属薄膜主要用于5金属化的几个术语接触(contact):指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接互连(interconnect):由导电材料,(如铝,多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分通孔(via):通过各种介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口填充薄膜”:是指用金属薄膜填充通孔,以便在两金属层之间形成电连接层间介质(ILD:InnerLayerDielectric):是绝缘材料,它分离了金属之间的电连接。LLD一旦被淀积,便被光刻刻蚀成图形,以便为各金属层之间形成通路。用金属(通常是钨W)填充通孔,形成通孔填充薄膜。金属化的几个术语6对IC金属化系统的主要要求(1)低阻互连(2)金属和Highspeed(3)与下面Highreliability(4)对台阶的Highdensity(5)结构稳定(6)易刻蚀(7)制备工艺简单对IC金属化系统的主要要求7为了将半导体器件与外部有效地联系起来必须首先在半导体和互连线之间制作接触AluminumOxide早期结构是简单的AL/Si接触EarlystructuresweresimpleAlsicontacts.为了将半导体器件与外部有效地联系起来8金属层和硅衬底形成什么接触?金属层和硅衬底形成什么接触?9金属层和硅衬底的接触,既可以形成整流接触也可以形成欧姆接触,主要取决于半导体的掺杂浓度及金一半接触的势垒高度OhmicSchottkymetalmetalContactContactHeavilydopedN-SiN+Si金属/半导体的两种接触类型欧姆接触:具有线性和对称的V特性,且接触电阻很小;■肖特基接触:相当于理想的二极管;金属层和硅衬底的接触,既可以形成整流接触10金属和硅接触的问题课件11金属和硅接触的问题课件12金属和硅接触的问题课件13金属和硅接触的问题课件14金属和硅接触的问题课件15金属和硅接触的问题课件16金属和硅接触的问题课件17金属和硅接触的问题课件18金属和硅接触的问题课件19金属和硅接触的问题课件20金属和硅接触的问题课件21金属和硅接触的问题课件22金属和硅接触的问题课件23金属和硅接触的问题课件24金属和硅接触的问题课件25金属和硅接触的问题课件26金属和硅接触的问题课件27金属和硅接触的问题课件28金属和硅接触的问题课件29金属和硅接触的问题课件30金属和硅接触的问题课件31金属和硅接触的问题课件32金属和硅接触的问题课件33金属和硅接触的问题课件34金属和硅接触的问题课件35金属和硅接触的问题课件36金属和硅接触的问题课件37金属和硅接触的问题课件38金属和硅接触的问题课件39金属和硅接触的问题课件40金属和硅接触的问题课件41金属和硅接触的问题课件42金属和硅接触的问题课件43金属和硅接触的问题课件44金属和硅接触的问题课件45金属和硅接触的问题课件46金属和硅接触的问题课件47金属和硅接触的问题课件48金属和硅接触的问题课件49金属和硅接触的问题课件50金属和硅接触的问题课件51金属和硅接触的问题课件52金属和硅接触的问题课件53金属和硅接触的问题课件54金属和硅接触的问题课件55金属和硅接触的问题课件56金属和硅接触的问题课件57金属和硅接触的问题课件58金属和硅接触的问题课件59金属和硅接触的问题课件60金属和硅接触的问题课件61金属和硅接触的问题课件62金属和硅接触的问题课件63金属和硅接触的问题课件64金属和硅接触的问题课件65金属和硅接触的问题课件66金属和硅接触的问题课件67金属和硅接触的问题课件68金属和硅接触的问题课件69金属和硅接触的问题课件70金属和硅接触的问题课件71金属和硅接触的问题课件72金属和硅接触的问题课件73金属和硅接触的问题课件74金属和硅接触的问题课件75金属和硅接触的问题课件76金属和硅接触的问题课件77金属和硅接触的问题课件78金属化与平坦化金属化与平坦化79概述金属化将晶片上制成的各种元器件用五连金属线连接起来构成具有各种功能的杗成电路的工艺。是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜,通过光刻形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。概述80互连金属GlobalinterconnectstudLanlntercnuedt互连金属81钝化层压点金属DILDILD-3ILD-l多晶杷L氧化石p-外延层硅衬底图7.41整个0.18Hm的cMOS剖面钝化层82在集成电路中金属薄膜主要用于1.欧姆接触(OhmicContact)2肖特基接触(SchottkyBarrierContact3低阻栅电极(GateElectrode)4.器件间互联(interconnect)在集成电路中金属薄膜主要用于83金属化的几个术语接触(contact):指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接互连(interconnect):由导电材料,(如铝,多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分通孔(via):通过各种介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口填充薄膜”:是指用金属薄膜填充通孔,以便在两金属层之间形成电连接层间介质(ILD:InnerLayerDielectric):是绝缘材料,它分离了金属之间的电连接。LLD一旦被淀积,便被光刻刻蚀成图形,以便为各金属层之间形成通路。用金属(通常是钨W)填充通孔,形成通孔填充薄膜。金属化的几个术语84对IC金属化系统的主要要求(1)低阻互连(2)金属和Highspeed(3)与下面Highreliability(4)对台阶的Highdensity(5)结构稳定(6)易刻蚀(7)制备工艺简单对IC金属化系统的主要要求85为了将半导体器件与外部有效地联系起来必须首先在半导体和互连线之间制作接触AluminumOxide早期结构是简单的AL/Si接触EarlystructuresweresimpleAlsicontacts.为了将半导体器件与外部有效地联系起来86金属层和硅衬底形成什么接触?金属层和硅衬底形成什么接触?87金属层和硅衬底的接触,既可以形成整流接触也可以形成欧姆接触,主要取决于半导体的掺杂浓度及金一半接触的势垒高度OhmicSchottkymetalmetalContactContactHeavilydopedN-SiN+Si金属/半导体的两种接触类型欧姆接触:具有线性和对称的V特性,且接触电阻很小;■肖特基接触:相当于理想的二极管;金属层和硅衬底的接触,既可以形成整流接触88金属和硅接触的问题课件89金属和硅接触的问题课件90金属和硅接触的问题课件91金属和硅接触的问题课件92金属和硅接触的问题课件93金属和硅接触的问题课件94金属和硅接触的问题课件95金属和硅接触的问题课件96金属和硅接触的问题课件97金属和硅接触的问题课件98金属和硅接触的问题课件99金属和硅接触的问题课件100金属和硅接触的问题课件101金属和硅接触的问题课件102金属和硅接触的问题课件103金属和硅接触的问题课件104金属和硅接触的问题课件105金属和硅接触的问题课件106金属和硅接触的问题课件107金属和硅接触的问题课件108金属和硅接触的问题课件109金属和硅接触的问题课件110金属和硅接触的问题课件111金属和硅接触的问题课件112金属和硅接触的问题课件113金属和硅接触的问题课件114金属和硅接触的问题课件115金属和硅接触的问题课件116金属和硅接触的问题课件117金属和硅接触的问题课件118金属和硅接触的问题课件119金属和硅接触的问题课件120金属和硅接触的问题课件121金属和硅接触的问题课件122金属和硅接触的问题课件123金属和硅接触的问题课件124金属和硅接触的问题课件125金属和硅接触的问题课件126金属和硅接触的问题课件127金属和硅接触的问题课件128金属和硅接触的问题课件129金属和硅接触的问题课件130金属和硅接触的问题课件131金属和硅接触的问题课件132金属和硅接触的问题课件133金属和硅接触的问题课件134金属和硅接触的问题课件135金属和硅接触的问题课件136金属和硅接触的问题课件137金属和硅接触的问题课件138金属和硅接触的问题课件139金属和硅接触的问题课件140金属和硅接触的问题课件141金属和硅接触的问题课件142金