模拟电子技术基础习题课件

模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章

应用篇模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二第一章半导体二极管及其应用电路一、填空：1．半导体是导电能力介于_______和_______之间的物质。2．利用半导体的_______特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。3．PN结加正向电压时_______，加反向电压时

_______，这种特性称为PN结的_______特性。

4．PN结正向偏置时P区的电位_______N区的电位。导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通第一章半导体二极管及其应用电路导体绝缘体掺杂光敏热敏单向5．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______电压.

6．二极管最主要的特性是

，使用时应考虑的两个主要参数是

和

_。

7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V，导通后在较大电流下的正向压降约_______V。

死区单向导电击穿最大整流电流

最大反向工作电压0.50.75．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二极管反8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流的正向压降约为_______V。9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的__

_____性能越好。

10．稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压

_______。0.1V0.3单向导电反向击穿基本不变8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V，导0.11．理想二极管正向电阻为________，反向电阻为

_______，这两种状态相当于一个_______。

12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将

________，反向特性曲线将_______。13．当温度升高时，二极管的正向电压降_______，反向击穿电压________，反向电流________。

0无穷大开关左移下移减小减小增大11．理想二极管正向电阻为________，反向电阻为0无穷

14.整流电路的作用是

________，核心元器件是_______。15.滤波电路的作用是_

______

_，滤波电路包含有_______元件。16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的是_______，整流效果好的是_______。17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则________，如果任意一只二极管脱焊，则

_______。将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动成分储能单相半波单相桥式电源短路成为半波整流14.整流电路的作用是______二、选择题：1.二极管的导通条件是()。

A.B.死区电压C.击穿电压。2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％，它的电流()。

A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％，它的电流()。

A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上4.用万用表的档和档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为和，则与的关系为()。

A.B.C.二、选择题：5.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不变，当温度升高到时，二极管的导通电压将()。A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、

VD3的工作状态为()。

A.VD1导通，VD2

、VD3截止

B.VD2导通，VD1

、VD3截止

C.VD3导通，VD1

、VD2截止

5.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。

A.BB.CC.A

7.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V，VDZ2的稳定电压为15V，输出电压等于()。

A．15VB．9VC．24V8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为_______。

A．小于B.等于

C.大于，小于D.等于10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足（3～5）时，负载电阻上的平均电压为_______。

A.1.1U2B.0.9U2C.1.2U2D.0.45U29．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承11．所示电路图中，（忽略导通压降）用示波器观察的波形正确的是_______。11．所示电路图中12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是_______。

12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波三、判断题1.在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。（）2.如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。（）3.指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极，黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管的正向电阻。（）4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。（）5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二级管承受的反向电压相同。（）×××√×三、判断题×××√×四、分析计算：1.判断下列电路中二极管的工作状态。

VD1导通，VD2截止VD截止四、分析计算：2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

截止0V

导通+11.3V

截止+6V

导通+0.7V

导通-12.7V

2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否截止3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。5.电路如图所示，设，5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。5.电路如图所示，设，5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。5.电路如图所示，设，6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：稳定电压，最大稳定电流，若流经电压表V的电流可忽略不计。求：1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？3)开关S合上，且输入电压由原来30V上升到33V时，此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？

V：12VA1：12mAA2：6mAIZ：12mAV：12VA1：14mAA2：6mAV：12VA1：12mAA2：6mAIZ：127．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示

(V)试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，Uo=？（3）若电容脱焊，Uo=？（4）若RL开路，Uo=？（5）若其中一个二极管开路，Uo=？12V9V14V10V7．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示12V9V148.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，

(V)试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，Uo=？（3）若电容脱焊，Uo=？（4）若RL开路，Uo=？（5）若其中一个二极管开路，Uo=？28V18V24V20V8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，28V1第二章半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。3.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则=____。若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA，则=____。100120NPNPNP自由电子空穴双极型第二章半导体三极管100120NPNPNP自由电子空穴4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____

，电流放大系数β等于____。6.当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式IC≈βIB才成立，发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。7.当三极管工作在＿＿＿＿区时，IC≈0；发射极＿＿＿

＿偏置，集电极＿＿＿偏置。集电极基极基极集电极0.98mA49放大正向反向截止零或反向反向4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿8.当三极管工作在＿＿＿＿区时，UCE≈0。发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。10.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，UBE等于＿＿＿＿。11.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为

,试判断三极管的类型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。集电饱和正向发射基0.7V正向发射发射集电-0.3VPNP锗8.当三极管工作在＿＿＿＿区时，UCE≈0。发射极＿＿＿12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，

,三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿＿＿＿。13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流ICEO将＿＿＿＿；发射极电压UBE将＿＿＿＿。14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将____移，输出特性曲线将____移，而且输出特性曲线之间隔将变____。

CEB增大增大减小左上宽12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，CEB增大增15.查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在下表中16.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，当输入电压为15mV时，输出电压为6.5V。则该电路的电压增益为＿＿＿＿＿＿。17.直流放大器能放大＿＿＿＿＿＿，交流放大器能放大＿＿＿＿＿＿。

－100交直流信号交流信号3AD30C3DD15D3DG805015.查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记18.当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电流波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。19.当静态工作点设置偏高时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放大电路输出电压波形的＿＿＿半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调＿＿＿。20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是＿＿＿＿＿＿

。21.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是

电路，与相位相同是

电路。截止负小饱和负大温度引起的参数变化共射放大共基和共集放大18.当静态工作点设置偏低时，会引起＿＿＿＿失真，单级共射放22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是＿＿＿＿＿＿电路，有电流放大无电压放大的是＿＿＿＿＿＿电路，既有电压放大又有电流放大的是＿＿＿＿＿电路。23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是＿＿＿＿＿

＿。24.多级放大电路常见的耦合方式有＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿。共基极共集电极共射极稳定靜态工作点直接阻容变压器22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是＿＿25.直接耦合放大电路既能放大＿＿＿＿＿＿信号，又能放大＿＿＿＿＿信号，但它存在零漂的问题，常采用＿＿＿＿放大电路来抑制零漂。26.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变＿＿＿＿，通频带变＿＿＿＿。直流交流差动大窄直流交流差动大窄二、选择题1．当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于()。

A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿2．当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于()。

A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型

4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型

二、选择题5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型

6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型

7、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（）。

A.IBQB.UBEQC.

ICQ

D.UCEQ8.放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（）。

A.IB>IBSB.IB<IBSC.UBEQ>死区电压D.UBEQ=导通压降5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、59、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。

A.电流控制元件B.电压控制元件C.不可控元件10、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为（）。

A.1为e；2为b；3为cB.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为cD.1为b；2为c；3为e11．用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为（）。

A.1为e；2为b；3为cB.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为cD.1为b；2为c；3为e9、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。12.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是_______。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB13.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是_______。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB14.三极管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的____。

A．ic

B．uCE；C．iB；D．iE12.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是___15．放大电路的三种组态，都有()放大作用。

A.电压B.电流C.功率

16．固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流将()。

A.增加B.减少C.基本不变17．测得某放大电路负载开路时的输出电压为4V，接入的负载2KΩ后，测得输出电压为2.5V，则该放大电路的输出电阻为()。

A.1.2kΩB.1.6kΩC.3.2kΩD.10kΩ

18．单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位()。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

15．放大电路的三种组态，都有()放大作用。19．共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位()。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

20．固定偏置共射极放大电路，已知VCC＝12V，RC=3KΩ

，β＝40,忽略UBE,若要使静态时UCE

＝9V，则RB应取()。

A.600KΩB.240KΩ

C.480KΩD.360KΩ

21．固定偏置共射极放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100,RB=100KΩ，

RC=5KΩ

，则该电路中三极管工作在()。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定19．共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压u22.固定偏置共射极放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100,RB=680KΩ，

RC=5KΩ

，则该电路中三极管工作在()。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定23．图所示交流通路中三极管的Rbe=3KΩ

，β＝100,则该电路的输入电阻Ri为()。

A.100ΩB.3KΩC.3.1KΩD.13.1KΩ22.固定偏置共射极放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝24.分压式偏置放大电路，为使稳定静态工作点的效果更好一些，而且对放大电路其它性能不产生影响，哪种设置更合理（）。

A.I1=4IBVB=4VB.I1=8IBVB=8VC.I1=8IBVB=4VD.I1=4IBVB=8V

25．有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B，分别对同一具有内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻RL的情况下，测得uoa=4.5V，uob=4.6V,则知B放大电路的（）。

A.输入电阻小B.输入电阻大C.输出电阻小B.输出电阻大26.直接耦合放大电路能放大＿＿＿＿。

A.直流信号B.交流信号C.交直流信号。24.分压式偏置放大电路，为使稳定静态工作点的效果更好一27.阻容耦合放大电路能放大＿＿＿＿。

A.直流信号B.交流信号C.交直流信号。28.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（）的存在。

A．耦合电容与旁路电容B．极间电容和分布电容C．晶体管的非线性29.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，高频区电压增益下降的原因是由于（）存在。

A．耦合电容与旁路电容B．极间电容和分布电容C．晶体管的非线性30.已知多级放大电路Au1=20dB,Au2=40dB,则电路总的电压放大倍数Au为（）dB。

A．80

B．800

C．60

D.2027.阻容耦合放大电路能放大＿＿＿＿。31.已知多级放大电路Au1=100、

Au2=10,则电路总的电压放大倍数Au为（）。

A．100

B．1000C．110D.110032.两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）。

A．等于60B.等于900C.小于900D.大于90031.已知多级放大电路Au1=100、Au2=10,则电三、判断题：1.晶体三极管由两个PN结构成，二极管包含有一个PN结，因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。（）2.晶体三极管只有测得UBE>UCE

才工作在放大区。（）3.晶体三极管三个电极上的电流总能满足IE=IC+IB的关系。（）4.晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足IE=βIC的关系。（）5.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）6.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。（）√√××××三、判断题：√√××××7.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（）8.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）9.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（）10.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）√×××7.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（）11.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（）12.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（）13.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能发放大直流信号。（）14.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（）√×××11.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100四、分析计算题1.固定偏置三极管放大电路如图所示，输入正弦交流电时，输出波形如图所示，试判断电路有无失真？是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改善这种失真？

RB↑四、分析计算题RB↑2.电路如图所示，测得图a)所示放大电路的输出电压波形如图b)所示。（1）是什么失真？（2）分析产生该失真的原因；（3）说明消除该失真的方法。RB↓2.电路如图所示，测得图a)所示放大电路的输出电压波形如图3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写4.电路如图所示，晶体管β=100，UBE=0.7V。1)求静态工作点；2)画出微变等效电路；3)求电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro；4)若改为β=120，则Au变为多大？4.电路如图所示，晶体管β=100，UBE=0.7V。模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件6.6.6.6.6.6.7.7.7.7.7.7.8.8.8.8.8.8.9.9.9.9.9.9.10.10.10.10.10.10.10.10.11.11.11.11.第三章场效应晶体管及其放大电路一、填充题1、M0S管的结构由

、

和

组成。2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有

和

两类，其每一类又可

和

两种。3、场效应管与双极晶体管比较，______为电压控制器件，______为电流控制器件，______的输入电阻高。4、场效应管有______种载流子参与导电，故场效应管又称______型元件。金属氧化物半导体

N沟道P沟道增强型耗尽型

1单极场效应管双极型晶体管场效应管

第三章场效应晶体管及其放大电路金属氧化物5、______MOS管开启电压＞0，______MOS管开启电压＜0。6、______MOS管的夹断电压＞0，______MOS管的夹断电压＜0。7、使用场效应管时应特别注意对______极的保护，尤其是绝缘栅管，在不用时应将三个电极___________。N沟道P沟道

P沟道N沟道

栅短接

5、______MOS管开启电压＞0，___8、某场效应管的转移特性如左图a）所示，由此可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管，________V。9、某场效应管的转移特性如右图b)所示，由此D可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管，______,______。P沟道增强型－2V

N沟道耗尽型6mA－6V

8、某场效应管的转移特性如左图a）所示，由此可知该管是__10、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管，

________。11、某场效应管工作在恒流区，当时，，当时，，则该管的低频跨导为______。12、自偏压电路只适用于______型的场效应管放大电路。N沟道

增强型

2V

3

耗尽

10、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是_____二、选择题1、场效应管用（）控制漏极电流。

A.基极电压B.栅源电压C.基极电流D.栅极电流2、表征场效应管放大能力的重要参数是（）。

A.B.C.D.

3、N沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。

A.B.C.D.

4、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。

A.B.C.D.

二、选择题5、广义地说，结型场效应管应该____。

A.属于耗尽型管B.属于增强型管

C.不属于耗尽型管D.不属于增强型管6、场效应管自生偏置电路中的电阻Rg，的作用是____。

A.提供偏置电压B.提供偏置电流C.防止输入信号短路D.泄放栅极可能出现的感应电荷以防管子击穿7．图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是____。

A.P沟道结型管B.N沟道结型管

C.P沟道耗尽型MOS管

D.N沟道增强型MOS管5、广义地说，结型场效应管应该____。8.图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是____。

A.P沟耗尽型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管

C.P沟增强型MOS管D.N沟增强型MOS管8.图示是某场效应管的特性曲线。据图可知，该管是____。差模共模

0.021.99

直接零点漂移

对称

AUD和AUC

抑制共模信号差模共模0.021.99直接零点好强大

△UO/△UID

有用△UOC/△UIC

无用

单管电压增益零无穷大

两个两个四双端输入双端输出单端输入双端输出双端输入单端输出单端输入单端输出好强大△UO/△UID有用△模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件四、分析计算题双端输出差动放大电路如图所示，已知

RC1=RC2=2KΩ,RE=5.1KΩ,两管的UBE=0.7V，

β=50，Rbe=2KΩ，求：

(1)静态电流ICQ1、UCEQ；

(2)差模电压放大倍数AuD、RiD、ROD。

四、分析计算题电压串联并联电流电压增大电流减小并联电压电流串联电压串联并联电流电压增大电流225225模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件三、判断题：1.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（×

）2.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（×

）3.在负反馈放大电路中放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。（×

）4.在负反馈放大电路中，在反馈系数较大的情况下，只有尽可能地增大开环放大信号，才能有效地提高闭环放大倍数。（×

）5.在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF≈1/F，它与负反馈有关。而与放大器开环放大倍数A无关，故此可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。（×

）三、判断题：6.在深度负反馈的条件下，由于闭环放大倍数

AF≈1/F，与管子参数几乎无关，因此，可以任意选用晶体管来组成放大级，管子的参数也就没什么意义了。（√）7.负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路外无效。（√）8.若放大电路负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。（×）9.电压负反馈可以稳定输出电压，流过负载的电流也就必然稳定。因此电压负反馈和电流负反馈都可以稳定输出电流，在这一点上电压负反馈和电流负反馈没有区别。（×）6.在深度负反馈的条件下，由于闭环放大倍数10.负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，都能使输出端的信噪比得到提高。（×）11.由于负反馈可展宽频带，所以只有负反馈足够深，就可以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高频信号。（×

）10.负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输四、分析判断题

电路如图所示，判别下列反馈电路的交直流组态和极性。

交直流电压并联正反馈

交直流电流并联负反馈

1.四、分析判断题1.

直流电流串联负反馈交直流电压串联负反馈

2.2.

交直流电流串联正反馈交直流电压并联正反馈

3.3.

交流电压串联负反馈交直流电流串联正反馈4.4.

交流电压串联负反馈交直流电流并联负反馈

5.5.

交直流电压串联负反馈交直流电流串联负反馈

6.6.

交直流电压并联负反馈交直流电压串联正反馈

7.7.

交直流电压并联负反馈交直流电流并联负反馈

8.8.

交直流电流串联负反馈交流电压并联正反馈

9.9.

交直流电压并联负反馈交流电流串联正反馈10.10.

交直流电压并联负反馈交流电压并联负反馈

11.11.第六章集成运算放大器基本应用电路∞∞0线性非线性

虚断虚短

∞∞0线性非线性虚断4.下图中图＿＿为＿＿＿输入方式比例运算电路

i1≈iF、uN≈0;图＿＿为＿＿＿输入方式比例运算电路i1≈iF、uN≠0。a反相

b同相

a反相b同相5.单值电压比较器有＿＿＿＿个门限电压，迟滞电压比较器有＿＿＿＿个门限电压。6.电压传输特性如图所示，参考电压是________V，输出电压是________V；输入信号加在________输入端。7.迟滞电压比较器回差电压的大小与＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿有关。21

±10－2

反相

UTH1UTH221±10－2反相UTH1UTH2模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件BAAABBAAABBAACBBAACB三、判断题：1.运算电路中一般均引入负反馈。（√）2.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（×

）3.凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用“虚短”和

“虚断”的概念。（×

）4.处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻需相等，才能防止输入偏置电流带来的运算误差。（√）5.在反相求和电路中，集成运放的反相输入为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之和。（√）三、判断题：四、计算题四、计算题模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件反相比例

双端输入方式

反相比例双端输入方式减法电压跟随器反相加法减法电压跟随器反相加法模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题课件15.15.16.16.单值电压比较

17.单值电压比较17.单值电压比较

18.单值电压比较18.uP>uNuN>uP-UO(sat)+UO(sat)uP>uNuN>uP-UO(sat)+UO(sat)迟滞电压比较

4V-4V6V-6V6V4V<4V>4V-6V-4V～>-4V<-4V<-4V4V-4V····6V-6V6V06V-6V19.迟滞电压比较4V-4V6V-6V6V4V<4V>4V-6V迟滞电压比较

·uP··20.迟滞电压比较·uP··20.单值电压比较

21.单值电压比较21.甲乙甲乙

输出输出功率

大高小POPEPV

η

40W交越无静态工作点

甲乙甲乙输出输出BABABCBABABCCCCCCC三、判断题1、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。（）2、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）3、由于功率放大电路中的晶体管也处于放大信号工作状态，所以也可采用微变等效电路方法。（）×√×三、判断题×√×四、分析计算题

OTL互补对称功放如图所示，试问：1）三极管V1、V2

、V3、V4、V5为那种工作类型？2）静态时，电容C两端电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？3）动态时，如输出电压uO出现图示的波形，则为何种失真？应调整哪个电阻？如何调整？

1)V1、V3构成NPN型复合管；

V2、V4构成PNP型复合管；两复合管构成互补对称电路，工作在甲乙类；

V5工作在甲类。

2)1/2VCCRP13)交越失真

RP2，将其增大四、分析计算题1)V1、V3构成NPN型复合管；2)1基本放大电路反馈网络选频网络稳幅RCLC石英晶体基本放大电路反馈网络选频网络稳幅RC5.图所示电路要组成一个正弦波振荡电路，填空回答下列问题

(1)电路的联接①—

；②—

；③—

；④—

。

(2)若要提高振荡频率可________。（A、增大R

；B、减小C

；C、增大R1；D、减小R2）

(3)若振荡器输出正弦波失真应________。

(A、增大R；B、增大R1；C、增大R2)7586BB5.图所示电路要组成一个正弦波振荡电路，填空回答下列问题7二、选择题：1、正弦波振荡器一般由（）组成。

A.基本放大电路和反馈网络B.基本放大电路和选频网络，C.基本放大电路、反馈网络和选频网络。

2、正弦波振荡电路的输出信号最初是由（）中而来。

A.基本放大电路B.干扰或噪音信号C.选频网络3、正弦波振荡电路的振荡频率由()而定。

A.基本放大电路B.反馈网络C.选频网络CBC二、选择题：CBC4、RC振荡电路如图所示，该电路的输出电压波形为（）。

A．正弦波B．矩形波C．三角波D．锯齿波A4、RC振荡电路如图所示，该电路的输出电压波A5、RC正弦振荡电路中，设理想运放，和阻值适当，,则其振荡频率约为（）。

A.15.9HzB.159HzC.999HzD.99.9Hz6、在实验室要求正弦波发生器的频率是10Hz～

10kHz,应选用（）；电子设备中要求，应选用（）；某仪器要求正弦波振荡器的频率在10MHz～

20MHz，可选用()

A.RC振荡器B.LC振荡器C.石英晶体振荡器

BACB5、RC正弦振荡电路中，设理想运放，和阻BACB三、判断题：1、从结构上来看，正弦波振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。（）2、只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（）3、负反馈电路不可能产生振荡。（）4、在正弦波振荡电路中，只允许存在正反馈，不允许引入负反馈。（）5、自激振荡器中如没有选频网络，就不可能产生正弦波振荡。（）√×××√三、判断题：√×××√四、分析计算题

1.用瞬时极性法判断图所示各电路是否可能产生正弦波振荡？说明理由。

√×√×四、分析计算题√×√×√×√×√×√×2.用瞬时极性法判断图所示各电路是否可能产生正弦波振荡？√×√2.用瞬时极性法判断图所示各电路是否可能产生正弦波振荡？√××××××第九章直流稳压电源

变压器整流电路滤波电路稳压电路稳压管限流电阻采样环节基准环节比较放大环节调整环节0.0226dB第九章直流稳压电源变压器整流电路CBCB3.有四个稳压电源:根据以下要求，应该选取何种型式的稳压电源？1)UO=6V,IOMAX=10mARO＜15Ω，应选用（）；2)UO=+12V,IOmax=1A，应选用（）；3)UO=1.25V，IOmax=10mA,要求温度系数达到20×10-6，应选用（）；4)UO=+18V，IO=200mA,效率达到90%左右，应选用（）；5)UO=3～24V,IOmax=50mA，应选用（）；6)UI=1.5V(直流),UO=5V(直流),输出电压温度系数≤｜0.1｜mV/℃，应选用（）。

A．三端可调集成稳压器B．单片三端稳压器

C．硅稳压管並联稳压电路D．直流/直流变换器

E．微功耗基准电压二极管稳压电路F．开关稳压器C

B

E

F

A

D

3.有四个稳压电源:根据以下要求，应该选取何种型式的稳压模拟电子技术基础习题课件IRIZIOIZ

=IR-IOIRIZIOIZ=IR-IO2.某仪器需要一组直流输出电压，请根据学过的知识画出合适电路。具体要求是：输入电压220V50HZ、输出电压和电流分别是+12V/400mA、–5V/10mA。2.某仪器需要一组直流输出电压，请根据学过的知识画出合适电路3.请将电路如图所示的元件正确连接起来组成一个电压可调的稳压电源。3.请将电路如图所示的元件正确连接起来组成一个电压可调的稳压第十章晶闸管及其应用1.晶闸管与普通二极管、三极管在控制作用上有什么区别？其导通与阻断的条件是什么？2.晶闸管导通后，通过晶闸管的电流大小与电路中哪些参数有关？3.晶闸管可控整流电路中为什么需要同步触发？如果不同步触发对输出电压有什么影响？试分析第二十一章应用一电路是怎样达到同步触发的？4.试分析图所示判别晶闸管好坏的方法和原理。与输出电压和负载电阻的大小有关第十章晶闸管及其应用与输出电压和负载电阻的大小有关5.在电阻性负载单相桥式半控电路中，由交流50HZ电压220伏直接输入，RL=5Ω。问当导通角为90°时，输出电压和输出电流的平均值多少？5.在电阻性负载单相桥式半控电路中，由交流50HZ电压26.某一阻性负载，要求提供直流电压80V，直流电流8A，采用单相半控桥式可控整流电路，直接用50HZ220伏的交流电源供电。试计算晶闸管的控制角、导通角、输出电流平均值，画出电路图，并选用合适的晶闸管和二极管的型号和规格。7.试分析图晶闸管触发电路的特点，并说明IC、R1、R2、R3、

R4的作用。当uI=0时RL上的电压为多少？6.某一阻性负载，要求提供直流电压80V，直流电流8A，8.试分析图10-24延时（S断开时灯半亮）熄灯开关电路的工作过程。

9.选择填充:：图中双向晶闸管电路中的选择开关S在1位置时，在输入电压作用下

(VD1／VD2)导通后触发双向晶闸管VT导通，负载电流从

(左／右)到

(左／右)。当选择开关S在2位置时，负载电流从

(左／右)到

(左／右)。VT起到

(单向／双向)开关作用。VD1右右左左双向8.试分析图10-24延时（S断开时灯半亮）熄灯开关电路的10.在第二十一章应用五电路中请选择合适的双向晶闸管型号和快速熔断器的电流定额。11.试找一个晶闸管的应用电路，简要说明工作原理。12.利用无源固态继电器，设计一个光控开关的应用装置，并说明工作原理。13.请将下图给出的各种元器件正确地连接起来，以组成一个大功率负载驱动电路。10.在第二十一章应用五电路中请选择合适的双向晶闸管型应用篇练习题1．该电路是温度测量电路，请回答下列问题：1）运放A组成什么功能电路？2）二极管VD在该电路中的作用，它有什么特点？3）电路中RP1、RP2分别调整哪两个参数？4）简述电路的功能。反相比例运放RP1调00C时电压表0VRP2调1000C时电压表指示10V

应用篇练习题反相比例运放RP1调00C时电压表0V2．如图所示，试回答下列问题。1）A1、A2各组成什么电路？2）A1、A2的电压增益各是多少？试计算；3）输出电压的相位与输入电流的方向如何？4）简述该电路的工作原理。A1减法电路A2反相比例运放

-1-1000同相

小电流检测电路

2．如图所示，试回答下列问题。A1减法电路A2反相比例运3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分别为图中的a、b、c所示，设所用集成运放为理想，输出端所接的电压表的满量程为5V。1)在a图中，若要得到50V、10V、5V、1V、0.5V五种电压量程，电阻R1～R5应取何值？10M2M1M200K100K3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分别为图中的a、b、c所示，设所用集成运放为理想，输出端所接的电压表的满量程为5V。

2)在b图中，若要在输入电流II

为5mA、0.5mA、0.1mA、50μA、10μA时，分别使电压表为满量程，电阻RF1～RF5应取何值？

1K9K40K50K450K

3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分别为图中的a、b、c所示，设所用集成运放为理想，输出端所接的电压表的满量程为5V。

3)在c图中，若输出电压表指示为5V，问被测电阻Rx阻值多大？

5K

3.应用运放可构成测量电压、电流、电阻的三用表，其原理图分4.如图所示电路为线性刻度欧姆表，被测电阻为RX，输入信号取自稳压UZ＝6V，R1＝1KΩR2＝10KΩR3＝100KΩR4＝1MΩ。电压表的量程为6V。假设开关S打在R2档，求对应分别是0V、1V、2V、3V、4V、5V、6V时，对应的Rx为多大?0V时，对应的Rx为01V时，对应的Rx为10/6K2V时，对应的Rx为10/3K3V时，对应的Rx为5K4V时，对应的Rx为20/3K5V时，对应的Rx为50/6K6V时，对应的Rx为10k6V4.如图所示电路为线性刻度欧姆表，被测电阻为RX，输入信号.如图所示电路为线性刻度欧姆表，被测电阻为RX，输入信号取自稳压UZ＝6V，R1＝1KΩR2＝10KΩR3＝100KΩR4＝1MΩ。电压表的量程为6V求开关分别按R1、R2、R3、R4

所对应的测量范围。6V1KΩ1）开关分别按R1

所对应的测量范围0～1K

开关分别按

R2

所对应的测量范围0～10K

开关分别按

R3

所对应的测量范围0～100K

开关分别按

R4

所对应的测量范围0～1M.如图所示电路为线性刻度欧姆表，被测电阻为RX，输入信5．如图所示电路为测量三极管穿透电流ICEO是否合乎要求的电路，VT为被测三极管，要求ICEO<2μA，（达到要求时认为合格），此时LED1（绿色）发光，指示合格，否则LED2（红色）发光，指示不合格，1)问电阻R应选多大？2)设运放的输出电压正饱和时为14.2V，负饱和时为0.3V，LED的正向导通压降为1.7V，求流过LED的电流。4990KΩ

Uo=14.2V时，LED1电流为12.5mAUo=0.3V时，LED2电流为13mA5．如图所示电路为测量三极管穿透电流ICEO是否合乎要求的电6．分析下面的应用电路，并回答下列问题：1）A1、A2组成什么功能电路？2）电路中Ui

代表什么电压？3）电路中UH、UL代表什么电压？4）简述电路的功能。迟滞电压比较器

实际工作电压

UH、UL

交流电网的上限、下限值

UHUL···6．分析下面的应用电路，并回答下列问题：迟滞电压比较器实际7、分析下面的输入电压分级显示电路，试回答下列问题：1）的调节范围＿＿＿＿V，的调节范围＿＿＿＿V；2）改变＿＿＿＿＿＿的参数，可改变、的可调范围；3）电路中A1、A2分别组成＿＿

＿＿＿＿电路，1.5K电阻的作用是＿＿＿＿。0～55～10VS3RP1RP2

单值电压比较器

限流7、分析下面的输入电压分级显示电路，试回答下列问题：0～557、分析下面的输入电压分级显示电路，试回答下列问题：4）此电路用发光二极管作输入电压的＿＿＿＿显示；5）试分析VL1、VL2、VL3发光的工作情况。（从输入电压的变化来分析）分级

UR2＞UR17、分析下面的输入电压分级显示电路，试回答下列问题：分级U8．图示电路是由理想运放组成。1）试问：运放A1构成＿＿＿＿＿

＿电路，运放A2构成＿＿＿＿

＿＿电路；2）试画uo1及uo的电压波形（电容的初始电压为0）。单值电压比较器

积分运算

6V-6V-3V008．图示电路是由理想运放组成。单值电压比较器积分运算6V9．波形产生电路如图，试回答下列问题。1）A1电路名称：

A2电路名称：

2）RP1的作用：

RP2的作用：

RP3的作用：

迟滞电压比较器

积分运算

反相端参考电压

积分时间T(调节三角波周期

)反馈电压大小

(调节三角波幅值)9．波形产生电路如图，试回答下列问题。迟滞电压比较器积分运9．波形产生电路如图，试回答下列问题。

3）U01的输出的波形是

，周期与什么

参数有关，U02的输出的波形是

。

4）简述工作原理。矩形波51K、RP2和C1三角波9．波形产生电路如图，试回答下列问题。矩形波51K、RP2模拟电子技术基础习题课件模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章