半导体物理历年真题版本-学姐倾情奉献-2003年_第1页
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热载流少子扩散长二、定性解释或说明（每20分40分1Si电子迁移率μnTN的三、计算与推导（共50分）1、单晶硅均匀地掺入两种杂质：掺硼1.5×1016cm-3，掺磷×1015cm-3，试计算室温流子浓度 分室温下能级位置 分室温下电导率（5分本征载流子浓度ni(T=300k)=1.5×1010cm-ni(T=600k)=6×1015cm-室温下

价带顶有效状态密度1×1019cm-3电子迁移率1000cm2/V·s空穴迁移电子俘获系数6.3×10-8cm-3/s空穴俘获系数1.2×10-7cm-3/s电子电荷1.6×10-19Cr r是电子=空穴复合几3（10分试证明半导体中当μn≠μp且电子浓度 μp空穴浓度p=n=ni

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