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文档简介

薄膜區薄膜沉積Thin

Film

=

TEtching

=

E蝕刻區薄膜圖案成形AOIADIAEIASIaPhoto

=

P黃光區光阻圖案成形ArrayProcess

FlowA:TFTB:Cs(儲存電容)TFTCs(Cs

on

gate)GatetongueShield

metalCross

overAs

islandA:TFTB:Cs(儲存電容)SignallineSourceDrainThrough

holeITO(顯示區)Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下反射&

投射光可发现TFT侧的金属层有变形说明在TFT制程中异物掉落造成Array

异常PS:

此类异常容易误判为TFT侧PI下金属，要求大倍率 搭配投射光仔细辨认Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下透射光可发现TFT侧的金属层有变形(TFT侧有新增金属残留，且变形为圆滑延伸)PS:

此类异常容易误判为TFT侧PI下金属，要求大倍率 搭配投射光仔细辨认Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下反射透射光可发现TFT侧的金属层有变形透射光有时可见彩色光晕PS:

此类异常容易误判为TFT侧PI下金属，要求大倍率

搭配投射光仔细辨认Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下反射透射光可发现TFT侧的金属层有变形异物周围有圆滑形金属残PS:

根据之前的Array制程演示，TFT元件颜色一样的为同一层开始变胖开始变胖恢复正常Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下异物周围有圆滑形金属残（一般金属为有楞有角）PS:

根据之前的Array

制程演示，TFT元件颜色一样的为同一层，故此为Source

层异常造成Source

略变粗Source

正常Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下Source

&

Drain

有Pattern

变胖Array

有镭射修补痕迹PS:

判定时注意有镭射修补痕迹镭射修补Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下异物周围有圆滑形金属残（一般金属为有楞有角）TFT

有镭射修补痕迹PS:

判定时注意有镭射修补痕迹镭射修补ITO

RemoveArrayleakage镭射修补异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下异物周围有圆滑形金属残（一般金属为有楞有角）TFT

有镭射修补痕迹PS:

容易误判为TFT侧PI下金属，仔细观察放大可发现有TFT变形和镭射修补痕迹微小变形微小变形Arrayleakage一般为线路断开或有异物造成断路直观可以发现有格外拉线线路可见修补区域Array

ITO

被RemovePS:

Array

另外一种修补方式（Array

CVD

长膜修补）Source

断开Array

拉线修补ITO

被Arrayleakage异物周围有PI晕，异物在TFT侧PI下异物周围有圆滑形金属残（一般金属为有楞有角）待确认—需去PI此类异常未发现有TFT元件变形，但与平时解析到的TFT侧PI下异物/金属不太相似，必要时需去PI后再判定Array

leakage—

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