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文档简介

.PAGE.第1章常用半导体器件一、判断题〔正确打"√",错误打"×",每题1分1.在N型半导体中,如果掺入足够量的三价元素,可将其改型成为P型半导体。〔2.在N型半导体中,由于多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。〔3.本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。〔4.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。〔5.使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏,且集电结也是正偏。〔6.晶体三极管的β值,在任何电路中都是越大越好。<>7.模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。<>8.稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。<>9.发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。<>10.光电二极管外加合适的正向电压时,可以正常发光。<>一、判断题答案:〔每题1分1.√;2.×;3.√;4.√;5.×;6.×;7.√;8.×;9.×;10.×。二、填空题〔每题1分1.N型半导体中的多数载流子是电子,P型半导体中的多数载流子是。2.由于浓度不同而产生的电荷运动称为。3.晶体二极管的核心部件是一个,它具有单向导电性。4.二极管的单向导电性表现为:外加正向电压时,外加反向电压时截止。5.三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结偏置。6.场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是:场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b,源极S对应晶体三极管,漏极D对应晶体三极管的集电极c。7.PN结加正向电压时,空间电荷区将。8.稳压二极管正常工作时,在稳压管两端加上一定的电压,并且在其电路中串联一支限流电阻,在一定电流范围内表现出稳压特性,且能保证其正常可靠地工作。9.晶体三极管三个电极的电流IE、IB、IC的关系为:。10.发光二极管的发光颜色决定于所用的,目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。二、填空题答案:〔每题1分1.空穴2.扩散运动3.PN结4.导通5.反向6.发射机e7.变薄8.反向9.IE=IB+IC10.材料三、单项选择题〔将正确的答案题号及内容一起填入横线上,每题1分1.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成P型半导体。A、五价B、四价C、三价D、二价2.在本征半导体材料中,有目的的掺入杂质后,改变了。A、多子的浓度B、少子的浓度C、半导体的体积D、PN结的导电性能3.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。A、增大B、不变C、减小D、为零4.设二极管导通电压UD=0.7V,图示电路的输出电压值U0为。A、0VB、2VC、1.3VD、-1.3V5.晶体二极管具有。A、单向导电性B、双向导电性C、对信号有放大作用D、负载特性6.要使发光二极管正常发光,其两端需外加:。A、正向电压B、反向电压C、正、反向电压均可D、零偏置电压7.稳压二极管一旦被反向硬击穿,将。A、保持原导电性能不变B、绝对不能再使用C、性能变坏,可以继续使用D、对原电路没有影响8.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。A、83B、91C、100D、10009.极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制,属于晶体管极限参数的为。A、共射极电流放大倍数β值B、特征频率fTC、最大集电极耗散功率PCMD、静态工作点的电压值10.图示电路中VB=0V,二极管的管压降可以不计,当VA由0V跳到3V后,Y的电位应为。A、3VB、0VC、12VD、没法确定三、单项选择题答案:<每题1分1.A、五价2.A、多子的浓度3.A、增大4.A、0V5.A、单向导电性6.A、正向电压7.B、绝对不能再使用8.C、1009.C、最大集电极耗散功率PCM10.B、0V四、简答题〔每题5分1.怎样由本征半导体得到P型半导体?2.怎样由本征半导体得到N型半导体?3.硅三极管BE结的导通电压为多少伏?4.锗三极管BE结的导通电压为多少伏?5.二极管的主要参数有哪些?6.为什么半导体器件的温度稳定性差?是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素?四、简答题答案:〔每题5分1.答:在本征半导体中掺入三价元素〔如硼可得到P型半导体。2.答:在本征半导体中掺入五价元素〔如磷可得到N型半导体。3.答:硅三极管BE结的导通电压为0.5~0.7伏。4.锗三极管BE结的导通电压为0.2~0.3伏。5.答:二极管的主要参数有:①最大整流电流IF;②最高反向工作电压UR;③最大瞬时值反向电流IR;④最高工作频率fM。6.答:因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子,即载流子。外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。温度升高,热运动加剧,本证激发加剧,使少数载流子浓度增大,但掺杂浓度不变,相对增加较多的是少数载流子,使导电性增强,产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。五、画图题〔每题5分1.电路如图所示,设二极管正向导通时的电压可忽略不计,已知=10sinωt<v>,试画出与的波形〔注意时间坐标的对应关系。2.电路如图所示,已知=5sinωt<V>,二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形,并标出幅值〔注意时间坐标的对应关系。3.现测得某放大电路中两只三极管的两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子符号。4.测得某放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如图所示,这些管子均处于放大状态。在圆圈中画出管子符号,并分别说明它们是硅管还是锗管。五、画图题答案:〔每题5分1.解:①根据的表达式=10sinωt<v>,可画出输入信号波形如图中的所示;②正半周期时二极管正向偏置而导通,又因二极管正向导通时的电压可忽略不计,所以=。负半周期时二极管因反向偏置而截止,回路中无电流,所以输出电压=0。③画出与的对应波形如图所示。2.解:①若考虑二极管导通电压UD=0.7V,由电路可以看出,当-3.7V≤≤+3.7V时,二极管D1和D2均截止,回路中无电流,所以=;②正半周期且高于3.7V时,二极管D1正向偏置而导通,D2因反偏而截止,所=3V+0.7V=3.7V。负半周期时且低于-3.7V时,二极管D2因正向偏置而导通,D1因反偏而截止,所以=-〔3V+0.7V=-3.7V。③画出与的对应波形如图所示。3.解:①根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系,对于〔a图,第三个电极流出的电流I=10μA+1mA=1.1mA,且这个电极应为发射极Ie〔符合Ie=Ib+IC,根据电流的流向,该管应为NPN型管;对于〔b图,第三个电极流出的电流I=5.1mA-100μA=5mA,且这个电极应为集电极IC〔符合IC=IE-IB,根据电流的流向,该管应为PNP型管。②分别画出两只管子的符号如图所示。4.解:①由于硅管BE结的导通电压为0.5~0.8V,锗管BE结的导通电压为0.1~0.3V;②NPN管正常放大应为正电压,即VC>VB

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