三极管工作原理

第第页共9页三极管工作原理两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(emitter,E)、基极(base,B)和集极(collector,C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出npn与pnpm极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。图1pnp(a)与npn(b)m极管的结构示意图与电路符号。三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区"(forwardactive)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。E8接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB?E（这部分是三极管作用不需要的部分）。InB?E在射极与与电洞复合，即InB?E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3（a）中看出。图2（a）—pnp三极管偏压在正向活性区；（b）没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。图3（a）pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；（b）电洞电位能分布及注入的情形；（c）电子的电位能分布及注入的情形。一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE?B电流会比由基极注入射极的载体电子电流InB?E大很多，三极管的效益比较高。图3（b）和（c）个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形。同时如果基极中性区的宽度WB愈窄，电洞通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电洞流IpE?C愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小BC间反向偏压的pn接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来：射极电流IE=IpE?B+IErec=IpE?B+InB?E=IpE?C+IBrec+InB?E(1a)基极电流IB=InB?E+IBrec=IErec+IBrec(1b)集电极电流IC=IpE?C=IEIBrec=IEE极之间视同偏压使IB足够大导通状态晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下图7PNP型三极管图8NPN型三极管三极管的特性曲线1、输入特性图2(^是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1)当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线(1和II)表示即可。2)当UbeVUbeR时，Ib^O称(0〜UbeR)的区段为“死区”当Ube>UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。3)三极管输入电阻，定义为：rbe=(4Ube/4Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(0+1)(26毫伏/Ie毫伏)rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系(以Ib为参数)从图9(C)所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区当UbeV0时，则Ib、0,发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Icbo=(1+0)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃,Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃,Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。图9三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路(Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1〜10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安培，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的8倍即Iceo=(1+B)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。(3)发射极基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。(4)直流电流放大系数81(或hEF)这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：01=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数8(或hfe)这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量^^与基极输入电流的变化量^乩之比，即：8=△Ic/△lb一般电晶体的8大约在10-200之间，如果8太小，电流放大作用差，如果8太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。(2)共基极交流放大系数a(或hfb)这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是^^与发射极电流的变化量^^之比，即：a=△Ic/△Ie因为41。<413,故aV1。高频三极管的a>0、90就可以使用a与8之间的关系：a=8/(1+8)8=a/(1-a)^1/(1-a)(3)截止频率f8、fa当8下降到低频时0、707倍的频率，就什发射极的截止频率f8;当a下降到低频时的0、707倍的频率，就什基极的截止频率faof8、fa是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：f8^(1—a)fa(4)特征频率fT因为频率f上升时，8就下降，当8下降到1时，对应的fT是全面地反映电晶体的高频放大性能的重要参数。3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起8值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但0值显著下降，影响放大品质。(2)集电极——基极击穿电压BVCBO当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。(3)发射极基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。(4)集电极发射极击穿电压BVCEO当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿。(5)集电极最大允许耗散功率PCM集电流过1。，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=UceXIc、使用时庆使PcVPCM。PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。晶体三极管用途晶体三极管的用途主要是交流信号放大，直流信号放大和电路开关。晶体三极管偏置使用晶体管作放大用途时，必须在它的各电极上加上适当极性的电压，称为“偏置电压”简称“偏压”，又“偏置偏流”。电路组成上叫偏置电路。晶体管各电极加上适当的偏置电压之后，各电极上便有电流流动。通过发射极的电流称为“射极电流”，用IE表示；通过基极的电流称为“基极电流”，用IB表示；通过集电极的电流称为“集极电流”，用IC表示。图10晶体管三个电极的电流有一定关系，公式如下IE=IB+IC晶体三极管的三种放大电路三极管放大电路当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号(待放大信号)的输入端子；两个电极作为信号(放大后的信号)的输出端子。那么，晶体管三个电极中，必须有一个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子，这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。按晶体管公共电极的不同选择，晶体管放大电路有三种：共基极电路(Commonbasecircuit)、共射极电路(Commonemittercircuit)和共集极电路(Commoncollectorcircuit)，如下图示。图11由于共射极电路放大电路的电流增益和电压增益均较其它两种放大电路为大，故多用作讯号放大使用。晶体三极管的放大作用晶体管是一个电流控制组件，其集极电流IC可以由基极电流IB控制，只需轻微的改变基流IB就可以引起很大的集流变化IC。由于晶体管基流IB的轻微变化可以控制较大的集流IC，我们利用这一特点，用它来放大微弱的电信号，称为晶体管的放大作用(Amplification)，简称晶体管放大。简单来说，晶