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文档简介
1、第四章 集成运算放大器电路分立元件电路:(Discrete Circuit) 组成电路的元器件(晶体管、电阻、电容等)是独立的,通过外接导线将彼此连接,制作成所需的电路。集成电路:(Integrated Circuit)(IC) 在半导体基片上同时制作出晶体管、电阻、电容和连线,构成完整的具有特定功能的电路。 模拟集成电路 数字集成电路专用集成电路 通用集成电路 (Integrated Operational Amplifier)CPU、RAM、MP3等集成运算放大器等逻辑门、计数器电路等直流电源稳压器等1/13第四章 集成运算放大器电路分立元件电路:(Discrete 2/135英寸(125
2、mm)8英寸(200mm)12英寸(300mm) 2/135英寸(125mm)3/133/134.1 集成运算放大器的电路特点一、电路设计特点1、采用级间直接耦合方式;2、尽量用晶体管代替电阻、电容;3、采用对称结构,尽可能使电路性能取决于元器件参数的比值,而不是元器件参数本身的值。二、性能特点 电压增益高,输入电阻大,输出电阻小;零点漂移小。三、电路结构特点输入级:差分放大电路中间级:共射放大电路输出级:共集放大电路 (射极跟随器)偏置电路:电流源电路输入级中间级输出级直流偏置电路UiUo4/134.1 集成运算放大器的电路特点一、电路设计特点输中输直流4.2 电流源电路电流源电路两大特点:
3、1、直流电流稳定:提供直流偏置电流;2、交流电阻很大:作为有源负载。一、放大管的恒流特性偏置电路参数不变,IC基本不变1;C极直流电阻小,随UC改变;C极交流电阻很大。不随uC改变2。UCCUEEICICroR1R2R3IBiCuCE0+uCE-+uC-1/rce5/134.2 电流源电路电流源电路两大特点:UCCUEEICI考虑 rce的影响考虑IcIe,则同理:RLIbb+- UiIcecRB1+-RsUo+-RCIiIoRB2rberceIbRiRoUsRERiRoUe =0考虑 rce的影响RLIbb+- UiIcecRB1+-Rs二、镜像电流源(电流镜) 对称结构: T1 和T2特性
4、完全相同,且均处于放大状态,则参考电流:三极管集电极电流:如果12,则 UCE1(UBE)2IB1IC1 UCE1Ir1、UBE(on)随温度变化小,参考电流只与UCC和Rr有关,Ir稳定2、T1 和T2特性相同,且值足够大,直流电流IC2稳定。3、交流内阻为rce2 (电阻值大) 。T1T2RrUCCIrIC1IC2UBE+-2IB1镜像与1的比值有关6/13rce2直流偏置有源负载二、镜像电流源(电流镜)T1T2RrUCCIrIC1IC2U多路镜像电流源: 各三极管特性一致。 由于1(15)4 很容易满足,所以受温度的影响大大减小,镜像电流更加稳定。与1 5的比值有关T1T2T3T4RrT
5、5IC2IC3IC4IrUCCIB1IC17/13多路镜像电流源:与1 5的比值有关T1T2T3T4RrT三、比例电流源 电流源电流与参考电流成比例关系。故而T1、T2管特性对称当IE1、IE2相差10倍以内时:参考电流T1T2R1R2IE1IE2IC2IrRrUCCUBE1UBE2(1)8/13三、比例电流源T1T2R1R2IE1IE2IC2IrRrUC四、微电流电流源 提供微安级电流。(Rr阻值小)当1 时,IE1Ir,IE2IC2例如,要求IC2=10A,采用Ir1mA,则T1T2R2IE1IE2IC2IrRrUCC UBE1 UBE2若镜像电流源:lnxx9/13四、微电流电流源T1T
6、2R2IE1IE2IC2IrRrUCC五、负反馈型电流源 进一步改善恒流特性,提高动态内阻;减小的影响。威尔逊电流源(电流负反馈):T3管的基极、发射极分别接T1 、T2镜像电流源的两端。 IC3IE3IC1IB3(Ir不变) IC3 参考电流:电流源电流:动态内阻:T1T2IB3IE3IC3IrRrUCCT3IC2IC110/13五、负反馈型电流源T1T2IB3IE3IC3IrRrUCCT串联电流源:UBE1+UBE4=UBE2+UCE3IC2IC3UCE3UBE2IC2 也可视为UCE3变化范围小,IC3变化小。参考电流:T1T2IC3IrRrUCCIC2T4T3+UCE3-UBE211/
7、13串联电流源:T1T2IC3IrRrUCCIC2T4T3+UBUCCT1T3T2I六、有源负载放大器 电流源作为放大器的交流负载。 镜像电流源电流跟随且有倒 相功能,变为同相共射电路。RrT1uouiUCCT2T3IC3UCCIC3rououiUiUoT1rouiuoIC3IC1IC2UiT1T3T2uiuo12/13UCCT1T3T2I六、有源负载放大器RrT1uouiUCC UiUorbe1rbe2rbe3rce21Ib12Ib23Ib3Ib3Ib2Ib1Uo1作业:41、42、4313/13T1T3T2 UiUorbe1rbe2rbe3rce21Ib12Ib4.3 差动(差分)放大电路
8、 Differential Amplifier4.3.1 差动放大器的性能要求及基本电路1、直接耦合放大器的零点漂移要小: 2、对两个输入信号的差值进行放大:3、对两个输入信号的平均值进行抑制:RB1RB2RERCT1UCCUi1 +Uo1 -RB1RB2RERCT2Ui2 +Uo2 -+ Uo -1/15直流工作点稳定4.3 差动(差分)放大电路 Different差动放大器的基本电路 电路完全对称,即左右两边电路参数完全相同。RERCT1UCCUi1RERCT2Ui2+ Uo -UEERB1RB2RB1RB2RERL2/15差动放大器的基本电路RERCT1UCCUi1RERCT2Ui直流工
9、作点分析:静态时:Ui1Ui20电路对称关键的一步是通过RE求电流 I。RCT1UCCUi1RCT2Ui2+ Uo -UEERERLI UEQUoUC1QUC2Q03/15直流工作点分析:RCT1UCCUi1RCT2Ui2+ Uo4.3.2 差动放大器的性能及分析方法一、对特定输入信号的放大(一)差模放大特性(Differential Mode)差模输入信号:幅度相等、相位(符号)相反。Ui1=Uid1,Ui2Uid2,Uid1=Uid2电路对称中点电位不变:差模地。差模等效电路:差模输出信号:设 Aud1Aud2AudUod1= Aud Uid1,Uod2 Aud Uid2, Uod1=Uo
10、d2 差模信号Uod= Uod1Uod2 =Aud (Uid1Uid2) =Aud UidUid= Uid1Uid2 = 2Uid1= 2Uid2Uod= Uod1Uod2 = 2Uod1= 2Uod2RCT1UCCUi1RCT2Ui2+ Uo -UEERERLI + Uid2 -RCT1RCT2+ Uod - + Uod1 - + Uod2 - + Uid1 -4/154.3.2 差动放大器的性能及分析方法RCT1UCCUi1 + Uod2 -1、差模电压放大倍数双端输入双端输出:双端输入单端输出:T1管C极输出:T2管C极输出:单端输出差模电压放大倍数是双端输出的一半,分为反相和同相输出端
11、。2、差模输入电阻:Rid=2rbe3、差模输出电阻:双端输出 Rod=2RC 单端输出 Rod(单)=RCRCT1RCT2+ Uod - + Uod1 - + Uid1 - - Uid2 + + Uid -5/15 + 1、差模电压放大倍数RCT1RCT2+ Uod + Uod2 -差模放大波形RCT1RCT2+ Uod - + Uod1 - + Uid1 - - Uid2 + + Uid -6/15 + 差模放大波形RCT1RCT2+ Uod - (二)共模抑制特性(Common Mode)共模输入信号:幅度相等、相位(符号)相同。 Ui1Ui2Uic电路两边对称电压、电流变化相同。共模等
12、效电路: Uei RE2IeREIe(2RE)共模输出信号: 设Auc1Auc2Uoc1Auc1Uic,Uoc2Auc2Uic, Uoc1Uoc2Auc1UicAuc2UicUocAucUic Uoc1Uoc201、共模电压放大倍数双端输出RCT1UCCUi1RCT2Ui2+ Uo -RERL-UEEiUeIeIeRCT1RCT2+ Uoc - + Uoc1 - + Uoc2 - + Uic - + Uic -2RE2REIeIe7/15(二)共模抑制特性(Common Mode)RCT1UCCU单端输出通常(1+)2RErbe如果 RE RC,则Auc(单)1。 电路静态工作点受外接环境因素
13、的影响是相同的,故零点漂移可看作共模信号,故差放电路能有效克服零点漂移。 差动放大器对共模信号的抑制作用,除取决于电路的对称性外,主要体现在RE电阻的负反馈作用上。 差动放大器放大差模信号、抑制共模信号是其特有的性能RCT1RCT2+ Uoc - + Uoc1 - + Uoc2 - + Uic -2RE2RE + Uic -差动放大器对共模信号不是放大而是抑制。8/15单端输出RCT1RCT2+ Uoc - + 2、共模输入电阻3、共模输出电阻单端输出双端输出(三)共模抑制比 由于RE电阻不影响差模信号放大,可能差模放大倍数相同而共模放大倍数不同,为综合反映差动放大电路对差模信号放大而对共模信
14、号抑制的性能特点,定义共模抑制比单端输出RCT1RCT2+ Uoc - + Uoc1 - + Uoc2 - + Uic -2RE2RE9/152、共模输入电阻RCT1RCT2+ Uoc - 共模放大波形RCT1RCT2+ Uoc -Uoc1 Uoc2 + Uic - - Uic +RE RL + Uec -10/15共模放大波形RCT1RCT2+ Uoc -Uoc1 二、对任意输入信号的放大差模输入信号:共模输入信号: 一对任意信号可分解为差模信号与共模信号的线性叠加。差模信号为两信号的差值,共模信号为两信号的平均值。RCT1Ui1RCT2Ui2+ Uo -UEERERLIUCC11/15二、
15、对任意输入信号的放大RCT1Ui1RCT2Ui2+ U输出信号:RCT1Ui1RCT2Ui2+ Uo -UEERERLIUCCUe 如果共模抑制比足够大,任意信号输入时,不论双端输出还是单端输出,差动放大器近似只对输入信号差值放大。12/15Uo1 Uo2 输出信号:RCT1Ui1RCT2Ui2+ Uo -任意信号放大波形RCT1RCT2+ Uo -Uo1 Uo2 + Ui1 - - Ui2 +RE RL + Ue -UCC-UEEUid Uic 13/15任意信号放大波形RCT1RCT2+ Uo -Uo1 例:电阻RE=4.3k,RC=4.3k,UCC= UEE=9V;1=2=100;Ui1
16、=202mV,Ui2=200mV。求Uo。解:静态工作电流:rbe电阻:差模电压放大倍数:共模电压放大倍数:共模抑制比:输出电压:RCT1Ui1RCT2 Uo -UEEREIUCCUE Ui214/15例:电阻RE=4.3k,RC=4.3k,UCC= UEE例:如图,单端输入单输出。差模输入:可视为Ui20组合电路分析:CCCB组态T1Ui1RCT2 Uo -UEERERLIUCC作业:44、45T1Ui1T2 Uo -UEEREI15/15例:如图,单端输入单输出。T1Ui1RCT2 Uo -U例:如图,单端输入单输出。1、差动放大器分析:差模输入,可视为Ui202、组合电路分析:CCCB组
17、态T1Ui1RCT2 Uo -UEERERLIUCCT1Ui1T2 Uo -UEEREIrbe1rbe2RERC|RLUi1 Uo 1Ib12Ib2rbe1rbe2RERC|RLRC|RLUi1 Uo 1Ib12Ib2e1e2b1c1c2b2例:如图,单端输入单输出。T1Ui1RCT2 Uo -U例:电阻RE=4.3k,RC=4.3k,UCC= UEE=9V;1=2=100;Ui1=202mV,Ui2=200mV。求Uo。解:静态工作电流:rbe电阻:差模电压放大倍数:共模电压放大倍数:共模抑制比:输出电压:RCT1Ui1RCT2 Uo -UEEREIUCCUE Ui2例:电阻RE=4.3k,
18、RC=4.3k,UCC= UEE4.3.3 具有电流源的差动放大电路RE电阻的影响:静态工作电流:rbe电阻:1、提高共模抑制比作用有限,最大值与RE无关; REIEQ Auc、Aud同时影响直、交流。2、共模电压影响静态电流,从而影响差模放大倍数,所以,必须限制共模输入电压范围。 电流源:直流提供偏置 交流作为有源负载RCT1Ui1RCT2+ Uo -UEEREIUCCUE Ui2RCT1Ui1RCT2+ Uo -UEEIUCCUi21/124.3.3 具有电流源的差动放大电路RCT1Ui1RCT2 +UR2 - 一、直流工作点分析: 电流源电流I=IC3即静态电流与UEQ(Uic)无关,
19、共模电压Uic不影响差模放大倍数。RCT1Ui1RCT2+ Uo -UEEI=ICQ3UCCUi2R1R2R3UEQT32/12 + 一、直流工作点分析:RCT1Ui1RCT2+ U二、差模放大倍数:三、共模放大倍数:四、共模抑制比:共模抑制比大幅提高。RCT1RCT2+ Uod - + Uod1 - + Uod2 - + Uid1 - -Uid2 + + Uid -RCT1RCT2+ Uoc - + Uoc1 - + Uoc2 - + Uic -2ro2ro3/12二、差模放大倍数:RCT1RCT2+ Uod - 四、共模输入电压范围:下限范围:保证T3管不饱和。 UicUC3(sat)+U
20、BE1UB3+UBE1上限范围: 保证T1 、T2管不饱和。 UicUC1 UB3+UBE Uic UC1考虑差模电压的变化,实际范围可能更小。五、差模输入电压范围 输入端放大管的发射结反向击穿电压。RCT1Ui1RCT2+ Uo -UEEI=IC3UCCUi2UB3R1R2R3UET34/12四、共模输入电压范围:RCT1Ui1RCT2+ Uo + uBE2 - + uBE1 -4.4.4 差动放大器的传输特性 差动放大电路输出电流或输出电压随差模输入电压大范围变化的特性。放大状态下:RCT1 + uid -RCT2+ uo -UEEIUCCiC1iC25/12 + +4.4.4 差动放大器
21、的传输特性R 一、iC1、 iC2电流之和恒为I二、传输特性具有非线性特性误差小于5%即当近似线性特性:当限幅特性iC1iC2uoQ0uiduid02UT2UT-2UT-2UT4UT-4UTIRC-IRCI6/12 iC1iC2uoQ0uiduid02UT2UT-2UT-2扩展线性范围的措施:1、差放管基极串接电阻RB;2、差放管射极串接电阻R。 线性范围扩展,增益降低。三、差动放大器的增益与 I 成正比。小信号时,iC受uid线性控制差模电流RBT1 +Uid -RBT2-UEEIiC1iC2RRiC1iC2Q0uid2UT-2UT4UT-4UTR (RB )7/12扩展线性范围的措施:RB
22、T1 +RBT2-UEEIiC1i4.3.5 差动放大器一般结构及实际误差一、差动放大器一般结构放大器:共射极组态共基极组态共集极组态组合电路场效应管电路公共电极耦合连接;放大特性:1、仅放大差信号 ui1-ui2 抑制和信号 ui1+ui22、放大器对称两端输出差模信号 uo1=-uo2 公共耦合点输出共模信号 ug=(ui1+ui2)/23、双端输出增益为一边放大器增益,单端输出之为其一半。放大器放大器UCC-UEE+ui1 -+ui2 -+uo1 -+uo2 -Ig8/124.3.5 差动放大器一般结构及实际误差一、差动放大器一般例:+Ui -+ Uo -UCC -UEE RB RB R
23、C RC + UB -IT1 T2 T3 T4 T3 T4 T1 T2 RD RD Rr UCC -UEE +Ui -+ Uo -9/12例:+ Uo -UCC -UEE RB RB RC二、实际差动放大器的误差 实际差放电路由于不可能做到完全对称,如两管的UBE、值和负载RC不一致,将产生误差。(一)产生误差的因素1、UBE发射结特性不一致 两管发射结面积不同,其反向饱和电流IS不相等,施加相同结电压时,IB电流就不相等,即使值相同也会引起IC电流不相等,造成误差;2、值不一致 两管的基区宽度不一致,即使施加相同发射结电压,IB电流相等,也会引起IC电流不相等,造成误差;3、RC阻值不一致
24、RC阻值不一致时,即使放大管特性完全对称,也会造成误差。RC+RCRCT1T2+ Uo -UEEIUCCIBIB10/12二、实际差动放大器的误差RC+RCRCT1T2+ Uo (二)误差电路模型及误差参数 零输入时双端输出不为零,称为失调(Offset)误差及其温漂误差。1、输入失调电压UIO RC和发射结面积不对称。2、输入失调电流IIO: RC和不对称。RC+RCRCT1 +Uid -T2+ Uo -UEEIUCCIB1IB2 UIO- + IIO/2 IIO/2IBIB11/12(二)误差电路模型及误差参数RC+RCRCT1 +T2+调零电路:(1)、发射极调零(2)、集电极调零3、失
25、调的温度漂移(温漂)RCT1RCT2+ Uo -UEEIUCCiC1iC2RSRSRWRCT1RCT2+ Uo -UEEIUCCiC1iC2RSRSRW作业:46、4812/12调零电路:RCT1RCT2+ Uo -UEEIUCCRCRCUCCT1T2-UEE 例题4-14 电路见图,设UCC=UEE=15V,I=2mA,RC=5k,uid=1.2sint (V).试画出uo的波形,并标出波形幅度;若RC变为10k, uo波形有何变化?为什么?解:uidm=1.2V4UT100mV ,处于限幅特性区。(1) 静态时, iC1=iC2=I/2=1mA, uC1=uC2= UCC-RCI/2=10
26、V,uo=uC1-uC2=0. 动态时, iC1p=I=2mA,iC2p=I-iC1p=0.截止。 uC1p=UCC-RCI=5V,放大,uC2p=UCC=15V, uo=uC1p-uC2p=-10V;反之uo=10V。(2) 静态时,uC1=uC2=5V,uo=uC1-uC2=0. 动态时, iC1p=IC1(sat)UCC/RC=1.5mA, uC1p=UCC-RCiC1p=0V,饱和, 则 iC2p=I-iC1p=0.5mA, uC2p=UCC-RCiC2p=10V,放大。 uo=uC1p-uC2p=-10V,反之uo=10V。 *但若RC=7.5k,则一管接近饱和时另一管接近截止,uo
27、m=15V。+ uo -+ uid -It0uo /ViC1 iC2 uid /Vt01.2 -1.2 10 -10 RCRCUCCT1T2-UEE 例题4-14 电路见图,设集成运算放大器的电路特点 输入级中间级输出级直流偏置电路 +Uid -UoT1T2-UCCUCCRL集成运算放大器的电路特点 输中输直流偏置电路 +UoT1T24.4 集成运放的输出级电路集成运放要求输出电阻小:射极输出器;输出级要求较高的负载能力,输出较大功率,电路自身功耗小:互补对称射极输出器。(推挽)一、工作原理1、ui0V,T1、T2管截止不导通, iE1iE20,uo0V。2、 ui0V,T1管导通、T2管截止
28、, iE20,uo iE1RL ui 。3、 ui0V,T1管截止、T2管导通, iE10,uo iE2RL ui 。+ uo -iE1iE2+ ui -T1T2-UCCUCCRL ui 0 ui 0tt00ui uo T1通T2断T1断T2通1/104.4 集成运放的输出级电路集成运放要求输出电阻小:+ 二、交越失真考虑三极管导通电压,实际应为|ui|UBE(on)时T1、T2导通,uo=ui;|ui|UBE(on)时T1、T2截止,uo=0V,将产生交越失真。解决办法: 给T1和T2管提供预偏置,使其处于临界导通或微导通状态。1、串联二极管偏置ui=0V时,UBQ1=UBEQ1=UBE(o
29、n),UBQ2=-UBEQ2=-UBE(on) ,uo=0V。ui0V时,uB1 = ui +UBQ1 uo= uB1 UBE1= ui 。ui0V时,uB2 = ui UBQ2,uo= uB2 +UBE2 = ui。T1T2+ uo -UCCUCCiE1iE2RL+ ui -uB1 uB2 t0ui t0uo UBE(on) -UBE(on) 交越失真D1D2RRuB1uB22/10二、交越失真T1T2+ -UCCUCCiE1iE2RL+ 实际电路,合并前级放大。2、模拟电压源偏置(UBE倍增电路)调整ICQ3或RC使零输出,调R1消除交越失真。T1T2+ Uo -UCCUCCRL + Ui
30、 -D1D2RCT3T1T2+ Uo -UCCUCCRL + Ui -RCT3T4R1R2ABIICQ3ID静态:3/10调整ICQ3或RC 实际电路,合并前级放大。T1T2+ -UCCUCCRL 三、复合管1、同型复合(达林顿管) (NPN-NPN 或 PNP-PNP)T1T2iB1iC1iC2iE2iE1= iB2iTiE2iB1iT1T2T4/10三、复合管T1T2iB1iC1iC2iE2iE1= iB2i2、异型复合(反馈对管) (PNP-NPN 或 NPN-PNP)T1T2iB1iE1iC1= iB2iC2iE2iTiB1iE2iT1T2T5/102、异型复合(反馈对管) T1T2i
31、B1iE1iC1= iB复合管射极输出器:T1T2+ Uo -UCCUCCRL + Ui -RCT3T4R1R2ABT3T4T1T2-UCCUCCRL + Ui -RCT3T4R1R2ABT3T4+ Uo -6/10复合管射极输出器:T1T2+ -UCCUCCRL + R4.5 F007集成运放电路一、输入级电路T1-T3、T2-T4共集共基组合差分放大电路;T5-T6电流源有源负载,双端变单端输出电路;T8-T9-T10输入偏置电流,共模负反馈。二、中间增益级T16-T17复合管共射放大电路。三、输出级电路T14-T18-T19互补对称射极输出电路;T15电压倍增电路。四、偏置电路T11-T
32、12电流源参考电流;T13有源负载。输入级中间级输出级直流偏置电路UiUo7/104.5 F007集成运放电路一、输入级电路输中输直流偏置电 F007(A741)电路原理图输入级中间级输出级参考电流IrIo00同相端 反相端8/10 F007(A7集成运放电路符号:封装形式:F007uou-u+u+u-uo12348765u uuo-UEE+UCC2233669/10集成运放电路符号:uou-u+u+u-uo12348765u部分集成运放参数表 作业:413、414、 416 10/10部分集成运放参数表 作业:413、414、10/106.6 MOS集成运算放大器一、MOS集成运算放大器的分
33、类:1、NMOS:N沟道MOS管组成 放 大 管:增强型管(E-MOS); 有源负载:E-MOS管(E/E MOS)、D-MOS(E/D MOS)。2、CMOS:N沟道与P沟道MOS管互补组成 放 大 管:增强型管(E-MOS); 有源负载:P沟道MOS管。 二、MOS集成运算放大器的优点:1、工艺简单、集成度高;2、CMOS电路低功耗、设计灵活简便。1/116.6 MOS集成运算放大器一、MOS集成运算放大器的分类一、MOS管有源电阻 1、增强型NMOS管当uGSUGS(th)时,处于恒流区。转移特性成为伏安特性, 沟道长度调制系数:漏源极总电导:特点:电导(gm)大,交流电阻小。6.6.1
34、 MOS集成运放中的基本单元电路 iDT+uDS- +uGS - UGS(th) OiD uGS uDS Q UDSQ IDQ 2/11一、MOS管有源电阻 2、耗尽型NMOS uGS=UGSQ=0漏源极总电导:1/rds 交流电阻较大。3、串联电阻分压器由 I1=I2 得又U1+U2=UDD,与上式联立可得iD+uDS-UGSQ=0UDSQIDQuDSiDOTT1T2I1I2+U1-+U2-UDDQ3/112、耗尽型NMOSiD+UGSQ=0UDSQIDQuDSiD 二、MOS管镜像电流源采用不同的宽长比,可以得到镜像电流源、比例电流源等,电路设计简单灵活。IrID2T1T2ID1IoUDD
35、T1T2T3IoIrUDD4/11 二、MOS管镜像电流源IrID2T1T2ID1IoUDDT三、MOS有源负载放大器1、增强型MOS管有源负载E/E MOSgmB2衬底(背栅)跨导电压放大倍数:10(由于宽长比受限) +Ui - +Uo -gm1Uirds1rds21/gm21/gmB2UiUDDUoT2T15/11三、MOS有源负载放大器 + +gm1Uirds1rds212、耗尽型MOS管有源负载E/D MOS耗尽型MOS管uGS0时处放大区,栅源极可短接, uGS20。如果消除背栅效应,则gmB2=0,电压放大倍数可显著提高。 +Ui - +Uo -gm1Uirds1rds21/gmB2UiUoT2T2UDD6/112、耗尽型MOS管有源负载E/D MOS + +gm1Uir3、CMOS放大电路互补PMOS管有源负载,无背栅效应。电压放大倍数与静态电流平方根成反比,小电流时可得大倍数。(1000) +Ui - +Uo -gm1Uirds1rds2UiUoUDDUGT1T2D2S2G27/113、CMOS放大电路 + +gm1Uirds1r
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