晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程之欧阳理创编

1、欧阳阳理创编A. 时间：2021.03.05创作：欧阳理一、 IC 测1. 缺陷检查 Inspection2. Scanning 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题印有电路图案的图案晶圆制品而言，则需要进行深次微米规模之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆概略由一或多组侦测器接收自晶圆概略绕射出来的光线该影像交由高功能软件进行底层图案消除发明 瑕疵。3. CDSEM(Critical Dimensioin 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。二、 IC 装1. 构装（PackagingIC 装依使用资料可分为陶plastic）两种前商业应用上则

2、以塑胶构装为主胶构装中打线接合为例，其步调依序为晶片切割（die saw / 欧阳阳理创编欧阳阳理创编剪切/成形（ / plating 及检验（inspection等。 晶片切割 ）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒切割别离。举例来说：0 米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的 64M 微量。欲进行晶片切割必须进行晶圆黏片再送至晶片切割机上进行切割之晶粒井然有序排列于胶 带上，而框架的支 撐免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰 撞。 黏晶 mount / die bond黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（ ）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣

3、（）内，以送至下一制程进行焊线。 焊线（wire ）IC 构装制程（Packaging则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路 Circuit简称 程的目的是为了制造出所生产的电路的呵护层受到机械性刮伤或是高温破坏集成电路的周围会向外拉出脚架 线，作为与外界电路板 连接之用。欧阳阳理创编欧阳阳理创编 封胶（）封胶之主要目的为避免湿气由外部侵入法支持 导线部产生热量之去除及提供能够手持之形体程为将导线架置于框架上并预热置于压模机上 的构装模上，再以树脂充填并待硬化。 剪切/成形trim / form剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒自力分隔不需要的连接用资料及部分凸出之树脂切除（ 成形之目

4、的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状 ，以便于装置于电路板上使用形主要由一部冲压 机配上多套不合制程之模具，加上进料及出料机构所 組 成。 印字（mark及电镀（plating印字乃将字体印于构装完的胶体之上于注明商 品之规格及制造者等资讯。 检验（）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用目包含诸如：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否 清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。 封装欧阳阳理创编欧阳阳理创编制程处理的最后一道手续还包含了打线的过程金线连接芯片与导线架的线路缘的塑料或陶瓷 外壳，并测试集成电路功能是否正常。2. 测试制程（ and

5、 ） 芯片测试（ sort 芯片目检 visual 芯片粘贴测试 ） 压焊强度测试lead 稳定性烘焙（stabilization bake 温度循环测试temperature 离心测试（ ） 渗漏测试（leak test 高高温电测试 高温老化（burnin 老化后测试 testB.导体制造工艺流程NPN 高频小功率晶体管制造的工艺流程为：外延片 批 清洗 水汽氧化 一次光刻 检查 清洗 干氧氧化 硼注入 清洗 淀 洗硼再扩散二次光刻检查 单结测试 清洗 干氧氧化 磷注入欧阳阳理创编欧阳阳理创编清洗铝下 CVD洗 射区再扩散三次光刻 查 双结测试 清洗 铝蒸发 四次光刻 检 氢气合金 正向测

6、试 清洗铝上 CVD检查次光刻检查氮气烘焙 检 中 中测检查 粘 减薄 减薄后处理 检查 清洗 背面蒸发 贴 划 检 裂 外观检查 综合检查入中间库。PNP 功率晶体管制造的工艺流程为：外 编 批 擦 一 QC ） 一次光刻 检查 前处理 涂 CSD 预 QC 前处理基区氧化扩散检查 tox eq oac(, ) 次光 检 单结测 处理 POCl3 预淀积 后处理（ P 液） QC 检查 前处理 发射区氧化 QC 检查（tox前处发射区再扩散（ 前处理 铝下 CVD QC 、 理 HCl氧化前处理氢气处理次光刻QC 查 扩散 结测 处 蒸发 QC检tAl四次光刻 检查 处理欧阳阳理创编欧阳阳理

7、创编气合金 氮气烘焙 QC 检查（ ts 五次光刻 QC 检查 夜片测试 测 测检查 粘 减 减薄后处理 检 清洗 面蒸 贴膜 片 查 片 外观检查）综合检查入中间库。GR 面品种（小功率三极管）工艺流程为：编批 擦片 前处理 一次氧化 QC 检查（tox一次光QC 查 处理基区干氧氧化QC tox一 GR 腐化 GR 硼注入 湿法去胶 前处理 GR 基区扩散QC 查Xj 硼注前处理区扩散与氧化 查（Xjtox ）二次光刻 QC 查 结测试前处理发射区干氧氧化QC tox磷注入处理发射区氧化和再扩散前处理 预淀积 R后处理前处理铝下 CVD 检 前处理氮气退火三次光刻QC 查双结测试 处理 铝

8、发 QC 检查（ tAl 四次光刻QC 查 处理氮气合金氮气烘焙正向测试五次光刻QC 查年夜片测试中测编批中测中测检查中间库。欧阳阳理创编欧阳阳理创编双基区节能灯品种工艺流程为：编批 片 前处理 次氧化 QC 检查（tox一次光QC 查 处理基区干氧氧化QC tox一硼注前处理基区扩散后处理 检查Xj R处理 基区 涂覆 CSD 预淀积 处理QC检 前处基区氧化与扩散 检查（Xjtox 二次光刻 查单结测 磷注入 前处理 发射区氧化 处理 射区再扩 处理 预淀积（ eq oac(, ) 后处理前处理HCl 火N2 火次光 检 双结测试 前处理 铝蒸发 QC tAl四次光刻 检查 处理氮氢合金氮

9、气烘焙向测试ts协作（ ts 处理 次光刻 检查 夜片测试测试 ts测编批 中测中测检 查入中间库。变容管制造的工艺流程为：外 擦 片 一 QC 检查 N+刻QC 检查 处理氧氧 QC 检 前处 扩散欧阳阳理创编欧阳阳理创编P+ 光 检 硼注入 1 前处理 CVD 检 查 处 LPCVDQC 检 前处 扩 特性 电 容 测 试 加 试.直抵达到电容测试要求三次光刻检查前处理铝蒸发QC 检tAl铝反刻 检 处理 氢气合 气烘焙 年夜片测试 中 电容测试 粘 减 QC 检 前处理 背面蒸发 综合检查 入中间库。P+散时间越长，相同条件下电容越小。稳压管（N 底）制造的工艺流程为：外 编 批 擦 一 QC 检查光刻QC 查 处理氧氧化 QC 检查 硼注入 前处理 铝下 UDO 检 前处 P+ 特性光刻扩散测试（反向测试）处理是否要 追 三次光刻 检查 处理 蒸发 QC 查（tAl四次光刻QC 检查前处理氮气合金氮气烘焙夜片测试中测。 P+散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。欧阳阳理创编欧阳阳理创编肖特基二极管基本的制造工艺流程为：编批 片 前处理 次氧化 QC 检查（ tox ） QC 检 硼注 前处理 散与氧 QC 检查 Xj eq oac(, )tox 三次光刻QC 查 前处