补充金刚石膜生长于扫描电子显微镜观察_第1页
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CVD 梁豪兆 P-TT=10001500K，P0.09MPaCVD金刚石H2 与Ar 气。CH4 H2 sp2 键和sp3 键的sp2 H 原子，产生局部活性位，而又不至于引起表面重同时通入Ar 将反应室抽至所要求的真空，并清洗流量计，在首先通入 Ar H 2 气将钨丝通电加热至所要求的温度，再通入CH 4 1.5金刚石膜长好后，先关闭CH4H2，33 250V43A，直至实验结束。所加气体的流量：Ar 50SCCMH2 100SCCMCH4 3.00SCCM5%43A。因为灯丝的温度主要的控制55A55A 的条件50A，但由于灯丝过长的原因，大部（1）（2）H sp3（3）减少（5）H原子，产生局部活性位，而又不至于引起表面重构，答：来自CH4的分解。本实验如何控制CH4H2的流量？2答：因为从相图上，我们可以看出，金刚石膜的生长温度是在800oc 1000oc 的范围内，H ，钨丝的温度高达2000oc。所以，我们利用水冷来控制衬底的温度，2

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