机械工程测试技术课后习题答案_第1页
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第三章：常用传感器技术3-1 p，当p 3-2 3-3 1电阻应变效应”， dR 12 ；R2）半导体应变片是基于半导体材料的压阻效应” dE。R3-4 3-105 S =2R=120 1000 R=？0设将此应变片接成图中所示的电路，试求：1）无应变时电流指示值；2）有应变时电流指示值；31.5VmV图 3-105 题 3-4 图解：R/R=S 得gR=S R=21000 120=0.24-6g1I =1.5/R12I =1.5/(R+)=1.5/(120+0.24)23 3-5 3-6 r=4mm =0.3mm，求：1 =m时，电容变化量是多少？2S =100mV/pF S /mV =m121）mm2B=S S =1005( 4.94 ) 格-31 2 4-11。3-9 C C ci C C 比 C 和C acia C c C f 12 AB 3 AB 1 ABT 0偶11 T 、T E （T T 10AB10AAABTT T3-55 中间温度定律示意T = TT0 T、110BBT 0 光纤被测对象光纤被测对象光纤 被测对象光电器件电信号光电器件电信号电信号敏感元件（）（） 图 3-80 光纤传感器的类型（）功能型 （b）非功能型 （）拾光型 P SiO G 2SiO SiSiO SiSiO

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