光电二极管电流

1、光电二极管电流光源调制器驱动电路放大器光电二极管判决器光纤光纤中继器光接收机是光纤通信系统的重要组成部分，其作用是将光信号转换回电信号，恢复光载波所携带的原信号。光接收机光信号光电变换前置放大主放大器均衡滤波判决器时钟恢复输出AGC电路性能指标:接收灵敏度、 误码率或信噪比前端时钟提取与数据再生（CDR）线性通道对信号进行高增益放大与整形，提高信噪比，减少误码率。前 言发射机发射的光信号经光纤传输后，不仅幅度衰减了，而且脉冲波形也展宽了。光接收机的作用就是检测经过传输后的微弱光信号，并放大、整形、再生成原输入信号。它的主要器件是利用光电效应把光信号转变为电信号的光电检测器。对光电检测器的要求是

2、灵敏度高、响应快、噪声小、成本低和可靠性高，并且它的光敏面应与光纤芯径匹配。用半导体材料制成的光电检测器正好满足这些要求。7.1 光检测原理7.2 光电倍增管7.3 半导体光电二极管7.4 PIN型光电二极管7.5 雪崩光电二极管7.6 光接收机Chapter 7 Light DetectorLight Detector7.1 Principles of Photodetection光探测原理External Photoelectric Effect(外部光电效应)：金属表面通过吸收入射光子流的能量从而释放电子，形成光生电流真空光电二极管和光电倍增管Internal Photoelectric

3、 Effect(内部光电效应)：半导体结型器件通过吸收入射光子产生自由电荷载流子（电子和空穴）pn结光电二极管，PIN结光电二极管，雪崩光电二极管1Responsivity 响应度光检测器的输出电流与入射光功率之比称为响应度。 单位：安培每瓦/伏特每瓦光检测器的主要性能指标2. Spectral Response 光谱响应检测器响应度和波长之间的函数关系。在入射光功率呈阶跃变化的条件下，检测器的输出电流从最大值的10%上升到90%所用时间。3. Rise Time 上升时间tr输入功率波形检测器输出的电流波形7.2 Photomultiplier 光电倍增管阴极阳极发射电子入射光子Vacuum

4、 photodiode真空光电二极管Vacuum photodiode单个电子从阴极逃逸需要一个最低的能量值，称为功函数(Work Function)，入射光子的能量必须大于此值才能产生光致电子发射。光子能量hf大于功函数时，电子可以吸收光子而逸出，否则不论入射光多强，光电效应都不会发生。所以，任何一种材料制作的光电二极管都有截止波长(Cutoff wavelength )C：光波长大于这个值时，入射光子没有足够的能量激励检测器，因而不能被检测到，波长小于这个值时，光子能量超过功函数，能被检测到。例，铯是一种常见的光致发光材料，其功函数为1.9eV,计算其截止波长。光波长小于这个值时，光子能量

5、超过功函数，才能被铯阴极检测到。 量子效率表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为单位时间内产生的光电子数与入射光子数之比，即检测电流正比于光功率Quantum Efficiency 量子效率在光电二极管的应用中，100个光子会产生30到95个电子空穴对，因此检测器的量子效率范围为30%95%。例，假定检测器在波段的量子效率为1%，试计算其响应度。例，根据结果，计算当检测器接收的光功率为1uW时，一个50欧负载电阻两端的电压。 Photomultiplier （PMT）阴极阳极二次发射电子入射光子 倍增电极Photomultiplier每个倍增电极的增益(Gain)指每个入射电子所产生的二次发

6、射电子数的平均值。通常在26之间。假设每个倍增电极的增益为，总的增益为：通过外电路的电流为：例，假定一个光电倍增管有9个倍增电极，每个倍增电极的增益为5，计算此光电倍增管的电流放大倍数。例，假设一个PMT有例所得的增益，先用来检测光功率为1uW，波长为的光信号，阴极的效率为1%，负载为50欧。计算其响应度、电流和输出电压。Photomultiplier光电倍增管产生内部增益(Internal Gain)，可以在不显著降低信噪比的情况下放大信号，而放大器的外部增益（External Gain）一般会引入噪声，降低信噪比。光电倍增管响应速度很快，不到1ns。缺点：成本高，体积大，重量大，需要一个能

7、提供数百伏偏置电压的电压源。半导体光电二极管体积小，重量轻，灵敏度高，响应速度快，在几伏的偏置电压下即可工作。PN型光电二极管PIN型光电二极管雪崩型（APD）光电二极管7.3 Semiconductor Photodiode 半导体光电二极管假如入射光子的能量超过禁带能量 Eg，耗尽区(PN结的结区也就是中间势垒所在区域，没有自由电子)每次吸收一个光子，将产生一个电子空穴对，发生受激吸收。光探测原理-受激吸收PN结光电检测原理电子能量自由电子的产生导带自由空穴的产生价带结区光电二极管（PD）是一个工作在反向偏压下的PN结二极管，由光电二极管作成的光检测器的核心是PN结的光电效应。当PN结加反

8、向偏压时，外加电场方向与PN结的内建电场方向一致，势垒加强，在PN结界面附近基本上没有载流子，称为耗尽区。当光束入射到PN结上，且光子能量hf大于半导体材料的带隙Eg时，价带上的电子吸收光子能量跃迁到导带上，形成一个电子空穴对。 PN结光电检测原理光电转换器件原理：光吸收在半导体材料上，当入射光子能量hf超过带隙能量时，每当一个光子被半导体吸收就产生一个电子空穴对。在外加电压建立的电场作用下，电子和空穴就在半导体中渡越并形成电流流动，称为光电流。入射光半导体PN型光电二极管检测原理说明简单的 PN 结光电二极管具有两个主要的缺点。首先，它的响应速度很慢。其次，它的量子效率很低，响应度很低。结构

9、：P+和N型半导体材料之间插入了一层掺杂浓度很低的半导体材料（如Si），记为I，称为本征区。工作原理：入射光从P侧进入，在耗尽区光吸收产生的电子空穴对在内建电场作用下分别向左右两侧运动，产生光电流。7.4 PIN PhotodiodePIN光电二极管7.4.1 Cutoff Wavelength 截止波长Ge0.7751610GaAs1.424876InP1.35924AlGaAs1.421.92879650InGaAs0.751.2416641006InGaAs0.751.351664924半导体材料禁带宽度Eg/eV波长 /nmSi1.171067对确定的半导体检测材料，只有波长小于截止波

10、长的光才能被检测到，并且检测器的量子效率随着波长的变化而变化，这种特性被称做响应光谱。Si：C=1.06m，使用范围：0.51.0 mGe： C=1.6m，使用范围：1.11.7 mInGaAs： C=1.6m，使用范围：1.11.7 m半导体材料的响应光谱7.4.2 Materials 综上所述，检测某波长的光时要选择合适材料作成的光检测器。首先，材料的带隙决定了截止波长要大于被检测的光波波长，否则材料对光透明，不能进行光电转换。其次，材料的吸收系数不能太大，以免降低光电转换效率。SiPIN光电二极管的波长响应范围为1m，GePIN和InGaAsPIN光电二极管的波长响应范围约为m。7.4.

11、3 Current-Voltage Characteristic电流电压特性光电导区域光伏特区域光电二极管（V）光电二极管电流（uA）硅光电二极管的电流-电压特性曲线Current-Voltage Characteristic光导电模式：在正向偏置条件下，输出电流与输入光功率成正比。（光检测器）光伏模式：在未加偏置电压时，入射光功率会产生一个正向电压。（太阳能电池）暗电流：在没有光功率的情况下，反向偏置的二极管内也有一个微小的反向电流存在。暗电流是由二极管内自由电荷载流子的热运动产生的。它影响接收机的信噪比。Dark Current 暗电流暗电流是指光检测器上无光入射时的电流。温度越高，受温度

12、激发的电子数量越多，暗电流越大。暗电流决定了能被检测到的最小光功率，也就是光电二极管的灵敏度。例，估算一个响应度为，暗电流为1nA的PIN光电二极管的最小检测功率。7.4.4 Speed of Response响应速度Speed of ResponsePIN光电二极管的性能参数量子效率 响应度 暗电流, 表示无光照时出现的反向电流，它影响接收机的信噪比;响应速度, 它表示对光信号的反应能力，常用对光脉冲响应的上升的时间表示;结电容 (pF), 它影响响应速度。雪崩光电二极管（APD）是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度探测器。APD的结构设计，使它能承受高的反向偏压，从而在 PN 结内

13、部形成一个高电场区。APD能提供内部增益工作速度高已广泛应用于光通信系统中7.5 Avalanche Photodiodes雪崩光电二极管APDAvalanche PhotodiodesPIN:1个光子最多产生一对电子-空穴对,无增益APD:利用电离碰撞, 1个光子产生多对电子-空穴对,有增益工作过程：入射光-一对电子-空穴对(一次光生电流)-与晶格碰撞电离-多对电子-空穴对(二次光生电流）吸收外电场加速Avalanche Photodiodes增加了一个附加层，倍增区或增益区，以实现碰撞电离产生二次电子空穴对。耗尽层仍为I层，起产生一次电子空穴对的作用。平均雪崩增益Photomultipli

14、er电流增益随反向偏置电压Vd的增加而增加：VBR为二极管的击穿电压,n是个大于1的经验参数。典型的APD的响应度在20A/W到80A/W之间。上升时间定义为输入阶跃光功率时，探测器输出光电流最大值的 10 % 到 90 % 所需的时间。APD的响应速度（上升时间）受限于载流子的渡越时间和RC电路的时间常数。上升时间定义光检测器的噪声光接收机的噪声将影响信噪比SNR和通信质量。主要来自光电探测器和前置放大器的噪声。分为两类：散粒噪声和热噪声。光检测器放大器偏置电阻光子流hRL量子噪声暗电流噪声漏电流噪声APD倍增噪声热噪声放大器噪声接收机噪声及其分布图：散粒噪声光检测器放大器偏置电阻光子流hR

15、L量子噪声暗电流噪声漏电流噪声APD倍增噪声热噪声放大器噪声接收机噪声及其分布图：漏电流噪声：当光检测器表面物理状态不完善和加有偏置电压时，会引起很小的漏电流噪声，但这种噪声并非本征性噪声，可通过光检测器的合理设计，良好的结构和严格的工艺降低。光检测器放大器偏置电阻光子流hRL量子噪声暗电流噪声漏电流噪声APD倍增噪声热噪声放大器噪声接收机噪声及其分布图：APD倍增噪声：当使用雪崩光电二极管时，倍增过程的随机特性产生附加的噪声。散粒噪声光生电流是一个随机变量，它围绕着某一平均统计值而起伏，这种起伏称做散粒噪声的电流起伏is(t)。光电二极管中的光生电流散粒噪声可以用均方散粒噪声电流表示雪崩光电

16、二极管的散粒噪声散粒噪声过剩噪声指数FA降低散粒噪声的方法：在判决电路之前使用滤波器，使得信道的带宽变窄。光检测器放大器偏置电阻光子流hRL量子噪声暗电流噪声漏电流噪声APD倍增噪声热噪声放大器噪声接收机噪声及其分布图：热噪声：是在有限温度下，导电媒质内自由电子和振动离子间热相互作用引起的一种随机脉动。热噪声由均方热噪声电流表示光电二极管总的噪声电流均方值光检测器比较PIN响应度为0.5A/W0.7A/W, APD是它的数十倍，倍增光电二极管则是数百倍。PIN检测器便宜，对温度不敏感，所需反向偏置电压较低，在绝大多数场合比APD受欢迎。APD检测器与具有载流子倍增效应，其探测灵敏度特别高，但需

17、要较高的偏置电压和温度补偿电路。对于长距离线路或系统为功率受限系统，APD的高增益显得很必要。光检测器的比较在短距离的应用中，工作在850nm的Si器件对于大多数链路是个相对比较廉价的解决方案。在长距离的链路常常需要工作在1330nm和1550nm窗口，所以常用基于InGaAs的器件。7.6 Light Receiver光接收机1. The Front 前端：由光电二极管和前置放大器组成。作用：将耦合入光电检测器的光信号转换为时变电流，然后进行预放大（电流电压转换），以便后期作进一步处理。是光接收机的核心。要求：低噪声、高灵敏度、足够的带宽电信号光信号光电变换前置放大The Front光检测器

18、的选择：要视具体应用场合而定。PIN光电二极管具有良好的光电转换线性度，不需要高的工作电压，响应速度快。APD最大的优点是它具有载流子倍增效应，其探测灵敏度特别高，但需要较高的偏置电压和温度补偿电路。从简化接收机电路考虑，一般情况下采用PIN光电二极管作光探测器。前置放大器的主要作用是保持探测的电信号不失真地放大和保证噪声最小，一般采用场效应晶体管(FET)PIN/FET。Preamplifier优点：宽频带、低噪声、灵敏度高、动态范围大，性能稳定，容易通过调节RF来控制增益等综合优点，被广泛采用。Linear channel 对主放大器输出的失真数字脉冲进行整形，使之成为有利于判决码间干扰最小的余弦波形。自动增益控制电路:可根据输入信号（平均值）大小自动调整放大器增益，使输出信号