LED灯生产工艺流程

1、内容齐全内容齐全.学习、分享、下载LED灯生产工艺流程LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。图2.1LED制造流程图上游晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓）一单晶片衬底,f在衬底上生长外延层f外延片成品：单晶片、外延片中游制程：金属蒸镀光罩腐蚀一热处理（正负电极制作）一切割测试分选成品：芯片下游封装：固晶一焊线一树脂封装一切脚测试分选成品：LED灯珠、LED贴片和组件LED芯片生产工艺LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED上游生产技术是LED行业

2、的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。图2.2蓝光外延片微结构图正极P型GaNP型AlGaNInGaN量子阱（well）N型InGaN负极N型AlGaN/N型GaNP型GaNGaN缓冲层（buffer）蓝宝石衬底（subatrate）生产出高亮度LED芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是LED发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED流明值已经达能到1501m之高。LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。以下以蓝光LED为例介绍其

3、外延片生产工艺如下:首先在衬低上制作氮化金家(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及HI族的有机金属和V族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备然后是对LEDPN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LE

4、D芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片了。图2.3LED生产流程LED生产工艺作为LED节能灯光源的大功率LED，它是LED节能灯的核心部分。大功率LED的生产工艺如何直接影响LED的性能，进而影响LED灯具的性能，如光衰、光效等。LED封装工艺流程以大功率LED封装产品为例，介绍它的封装制程如下:图2.4大功率LED封装制程功率LED生产工艺流程站别使用设备及工具作业条件备注固晶.储存银胶冰箱.银胶搅拌机.扩晶机.固晶机(如AD809).烤箱6离子风扇.储存银胶：0c一下保存。.银胶退冰：室温4小时.扩晶

5、机温度：5010.点银胶高度为晶片厚度的1/4.作业时静电环必须做测试记录.固晶时须使用离子风扇，离子风扇止面与晶片距离为20cm140cm之间。.晶片固于支架杯子正中央，偏移量小于1/4晶片宽度，具体参考固晶图。.烤银胶条件：15010/2小时。焊线339EG焊线机1.2山的瓷嘴大功率打线制具.339EG焊线机热板温度：150土10，焊线方式参固晶焊线图。.瓷嘴42K更换一次。注：焊线时第二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位置(打斜线区域)焊线。点胶.电子称.烤箱.抽真空机.点胶机.抽气时间：1个大气压/5mins。.荧光胶烘烤条件：12010/2Hrs。荧光胶配比参考实验数据。套盖1.镊

6、子.在套Lens前材料要用15010烘烤15分钟，然而lens也要烘烤8010/20min，然后套Lens。.夹起Lens,判别双耳朵位置后，放置于支架上白壳配合孔内，并压到位。注意不要压塌金线，否则送到返修站，并记录事故率。灌胶.电子称.烤箱.抽真空机.点胶机.镊子.棉花棒.不锈钢盘.以Silicone乔越OE-6250(A):乔越OE-6250(B)=1:1进行配胶。.抽气：1个大气压/5mins。.以镊子压制lens上方，再将针头插至lens耳朵孔位进行灌胶，在点胶时点胶机气压先调至0.15MPA，然后根椐胶的粘度来做调整，直至胶由对面孔位少量溢出。.将整片支架倒置水平后，用力压实。.用

7、棉花棒将多胶部分擦拭干净。.灌好胶后不用烘烤，在常温下将支架水平倒置整齐存放在不锈钢盘内24小时即可。配好的胶要在30分钟内用完，且一次不宜配太多胶。切脚&弯脚1.手动弯脚机1.弯脚后，Pin脚总长度为14.5mm土0.2mm（注：弯脚时要注意Pin脚的长度及平整度）。外观检验1.静电环.有无汽泡、杂物、铜柱发黄。.PIN脚变形、多胶、缺脚。作业前做静电环测试。测试.维明658H测试机.积分球.测试：IF=350mA,VF4.（为不良VR=5V,IR10uA为不良。.测试机只能开单向电源测试（详情W#TS）o包装LTapping机2.静电袋使用CarrierTape包装，1000PCS/卷，1卷/袋，10袋/箱。QA1.维明658H测试机.测试：IF=350mA,VF4.0V为不良，VR=5V,IR10uA为不良。.测试后外观：有无汽泡、杂物、铜柱发黄。.型号、数量、包装方式正确，包装