基础知识电子类名词解释

1、电子类电流符号及其意义iB(IB)iC(IC)iD(ID)基极电流瞬时值（直流量） 集电极电流瞬时值（直流量）漏极电流瞬时值（直流量）iI iIH iIL输入电流输入电流低电平输入电流iL(IL) 负载电流瞬时值（直流量）iO iOH iOL ICC ICCH ICCL IDD输出电流输出电流低电平输出电流电源（VCC）平均电流输出为时的电源电流输出为低电平时的电源电流电流（VDD）平均电流电压符号及其意义i ViH ViL o VoH VoL VT VCC VDDBE CE DS GS VNA VNH VNL VTH VT+ VT-输入电平（相对于电路公共参考点的电压）输入输入低电平输出电平

2、（相对于电路公共参考点的电压）输出输出低电平 温度电压当量电源电压（一般用于双极型半导体器件）电源电压（一般用于 MOS 器件）三极管基极相对于发射极的电压 三极管集电极相对于发射极的电压 MOS 管漏极相对极的电压MOS 管栅极相对极的电压脉冲噪声电压幅值输入噪声容限输入低电平噪声容限门电路的阈值电压触发特性的正向阈值电压触发特性的负向阈值电压VGS(th)N VGS(th)PN 沟道 MOS 管的开启电压 P 沟道 MOS 管的开启电压VREF参考电压（或基准电压）1功率符号及其意义PC PD PS PT PTOTCMOS 电路中负载电容充、放电功耗 CMOS 电路的动态功耗CMOS 电路

3、的静态功耗 CMOS 电路的瞬时导通功耗 CMOS 电路的总功耗脉冲参数符号及其意义f q tf th trtre tset tw Vm周期性脉冲的重复频率占空比下降时间保持时间上升时间恢复时间建立时间脉冲宽度脉冲幅度电阻、电容符号及其意义CGD CGSCh CI CL RI RL RO ROFF RON RUMOS 管栅极与漏极间电容 MOS 管栅极与源极间电容保持电容输入电容负载电容输入电阻负载电阻输出电阻器件截止时电阻器件导通时电阻上拉电阻器件及参数符号及其意义A AV D FF G S T TN TP TGtpd tPHL放大器放大器的电压放大倍数二极管触发器门开关 三极管N 沟道 M

4、OS 管 P 沟道 MOS 管传输门平均传输延迟时间输出由变为低电平时的传输延迟时间2tPLH 输出由低电平变为时的传输延迟时间进制符号及其意义B D H二进制 十进制 十六进制管脚符号及其意义CLK CP EN OE时钟时钟脉冲允许（使能）输出允许（使能）电子电路英文缩写ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元ASCII(American standard code for information AV(audio visual) 声视，视听erchange)信息交换标准码BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数 BCR(bi-dir

5、ectional controlled rectifier)双向晶闸管 BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器BZ(buzzer) 蜂鸣器，蜂音器C(capacitance，capacitor) 电容量，电容器CATV(cableevi) 电缆电视CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件CCTV(closed-circuitevi) 闭路电视CMOS(complementary) 互补 MOSCPU(central prosing unit) CS(control signal) 控制信号D(diode) 二极管处理单元DAST(direct

6、og store technology) 直接模拟技术DC(direct current) 直流DIP(dual in-line package) 双列直插封装DP(dial pulse) 拨号脉冲3DRAM(dynamic random acs memory) 动态随机 DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑 DUT(device under test) 被测器件DVM(digital voltmeter) 数字电压表ECG(electrocardiograph) 心电图ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑器EDI(electr

7、onic dataerchange) 电子EIA(Electronic Industries Assotion) 电子工业EOC(end of conver) 转换结束EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读器EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读器ESD(electro-sic discharge) 静电放电FET(field-effect transistor) 场效应晶体管FS(full scale) 满量程FV(frequency to voltage convertor) 频率电压转换F

8、M(frequency modulation) 调频 FSK(frequency shift keying) 频移键控 FSM(field strength meter) 场强计 FST(fast switching shyster) 快速晶闸管 FT(fixed time) 固定时间FU(fuse unit) 保险丝装置FWD(forward) 正向的GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑GND(ground) 接地，地线GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管HART(highway addressable remote transd

9、ucer) 可寻址传感器数据公路HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件) HF(high frequency) 高频HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路4HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器IC(egrated circuit) 集成电路ID(ernational data) 国际数据(insulated gateolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管IO(inpu

10、toutput) 输入输出IV(current to voltage convertor) 电流-电压变换器IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制IPM(elligenter module) 智能功率模块IR(infrared radiation) 红外辐射IRQ(errupt request) 中断请求JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管LAS(light activated switch)光敏开关LASCS(light activated silicon controlled switch)

11、 光控可控硅开关LCD(liquid crystal display) 液晶显示器 LDR(light dependent resistor) 光敏电阻 LED(light emitting diode) 发光二极管LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验LSB(least significant bit) 最低有效位LSI(1arge scaleM(motor) 电egration) 大规模集成电路MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管MIC(microphone) 话筒，微音器，麦克风minute) 分MOS(me

12、tal oxide semiconductor)金属氧化物半导体MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管N(negative) 负NMOhannel metal oxide semiconductor FET) N 沟道 MOSFETNTC(negative temperature coefficient) 负温度系数5OC(over current) 过电流OCB(overload circuit breaker) 过载断路器 OCS(optical communication system) 光通讯系统 OR(type of

13、logic circuit) 或逻辑电路OV(over voltage) 过电压P(prere) 压力Fulselitude modulation) 脉冲幅度调制PC(pulse code) 脉冲码PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制(er factor) 功率因数M(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制PG(pulse generator) 脉冲发生器PGM(programmable) 编程信号PI(proportional-(proportional-eg

14、ral(controller) 比例积分(控制器)egral-differential(controller)比例积分微分(控制器)PIN(itiverinsic-negative) 光电二极管PIO(parallel input output) 并行输入输出 PLD(phase-locked detector) 同相检波 PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器 PLL(phase-locked loop) 锁相环路PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P 沟道 MOSFET P-P(peak-to-pe

15、ak) 峰-峰PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器PROM(programmable read only memory) 可编只读程器PRT(platinumthermometer) 铂电阻温度计PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管6(pulse width modulation) 脉宽调制，resistor) 电阻，电阻器R(RAM(random

16、acs memory) 随机器RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管REF(reference) 参考，基准 REV(reverse) 反转 R/F(radio frequency) 射频RGB(redgreenblue) 红绿蓝ROM(read only memory) 只读器RP(potentiometer) 电位器RST(reset) 复位信号RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻RTD(temperature detector) 电阻温度传感器RTL(resistor trans

17、istor logic) 电阻晶体管逻辑(电路) RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) SA(switching assembly) 开关组件SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关，双向硅开关SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器 SCS(safety control switch) 安全控制开关 SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关 SCS(speed control system)

18、速度控制系统压敏电阻器SCpply control system) 电源控制系统SG(spark gap) 放电器SIT(sic induction transformer) 静电感应晶体管SITH(sic induction thyristor) 静电感应晶闸管SP(shift pulse) 移位脉冲SPI(serial peripheralerface) 串行接口SR(sle realy，saturable reactor) 取样继电器，饱和电抗器SR(silicon rectifier) 硅整流器7SRAM(sic random acs memory) 静态随机器SSR(solid-se

19、 relay) 固体继电器SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器 SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关，双向可控硅 SSW(synchro-switch) 同步开关ST(start) 启动ST(starter) 启动器STB(strobe)，选通脉冲T(transistor) 晶体管，晶闸管 TACH(tachometer) 转速计，转速表 TP(temperature probe) 温度传感器 TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关TTL(transistor-transistor log

20、ic) 晶体管一晶体管逻辑TV(evi) 电视UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器VD(decoders)译VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻VF(frequency)VF(voltage-to-frequency) 电压频率转换 VI(voltage to current convertor) 电压-电流变换器 VM(voltmeter) 电压表VS(vacuum switch) 电子开关VT(vi

21、sualVT(ephone)terminal)终端半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电8容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许

22、通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流9IEB20-双基极单结晶体管中发

23、射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰

24、值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流10Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质）vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承

25、受脉冲烧毁功率T（AV）-正向导通平均耗散功率TM-正向峰值耗散功率T-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某

26、一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，11则V/I 称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r -衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数p-发光峰值波长 -光谱半宽度12-单结晶体管分压比

27、或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压Vo-交流输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压Vth-阀电压（门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM

28、-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量13Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压（稳流二极管）VL -极限电压双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容Cn-中和电容（外电路参数）Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe-共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Cre-共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容

29、CL-负载电容（外电路参数）Cp-并联电容（外电路参数）BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE 结击穿电压BVebo- 集电极开路 EB 结击穿电压BV-基极与发射极短路 CE 结击穿电压BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压14D-占空比fT-特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于 1 时的工作频率hFE-共发射极静态电流放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导h RE-共发射极静态电压反馈系数hie-共发射极小信号短路输入阻抗hre-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数h

30、oe-共发射极小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或交流电流的平均值Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值IE-发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压 VEB 条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer-基极与发射极间串联电阻 R，集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流I-发射极接地，基极对地短路，在规定的反

31、向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压 VCE 下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值15ICMP-集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流IAGC-正向自动控制电流Pc-集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率Po-输出功率c-振荡功率Pn-噪声功率Ptot-总耗散功率ESB-二次击穿能量rbb-基区扩展电阻（基区本征电阻）rbbCc-基极-集电极时

32、间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe-发射极接地，在规定 VCE、Ic 或 IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE-外接发射极电阻（外电路参数）RB-外接基极电阻（外电路参数）Rc -外接集电极电阻（外电路参数）RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）RG-信号源内阻Rth-热阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-温度td延迟时间16tr-上升时间ts-存贮时间tf-下降时间ton-开通时间toff-关断时间VCB-集电极-基极（直流）电压VCE-集电极-发射极（

33、直流）电压VBE-基极发射极（直流）电压VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻 R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压V-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp-穿通电压。VSB-二次击穿电压VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc-

34、集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数）Vat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE(sat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC-正向自动增益控制电压17Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值V n-噪声电压Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CT

35、C-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条

36、件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流18IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作

37、电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

38、iF-正向总瞬时电流19iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质）vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率T（AV）-正向导通平均耗散功率TM-正向峰值耗散功率T-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Pt

39、ot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率20PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I 称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r -衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换

40、向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度21a-温度系数p-发光峰值波长 -光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压Vo-交流输入

41、电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压Vth-阀电压（门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压22V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压（稳流二极管）VL -极限电压场效应管参数符号意义Cds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电

42、容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏极电流IDQ-静态漏极电流（射频功率管）IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流IDSS-栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)-沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG-栅极电流（直流）23IGF-正向栅电流IGR-反向栅电流IGDO-源极开路时，截止栅电流IGSO-漏极开路时，截止栅电流IGM-栅极脉冲电流IGP-栅极峰值电流IF-二极管正向电流IGSS-漏极短路时截止栅电流IDSS1-对管第一管漏源饱和电流IDSS2-对管第二管漏

43、源饱和电流Iu-衬底电流Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）gfs-正向跨导Gp-功率增益Gps-共源极中和高频功率增益GpG-共栅极中和高频功率增益GPD-共漏极中和高频功率增益ggd-栅漏电导gds-漏源电导K-失调电压温度系数Ku-传输系数L-负载电感（外电路参数）LD-漏极电感Ls-源极电感rDS-漏源电阻rDS(on)-漏源通态电阻rDS(of)-漏源断态电阻rGD-栅漏电阻rGS-栅源电阻24Rg-栅极外接电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）R(th)jc-结壳热阻R(th)ja-结环热阻PD-漏极耗散功率PDM-漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率POUT-输出功率PPK

44、-脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)-开通延迟时间td(off)-关断延迟时间ti-上升时间ton-开通时间toff-关断时间tf-下降时间trr-反向恢复时间Tj-结温Tjm-最大允许结温Ta-环境温度Tc-管壳温度Tstg-贮成温度VDS-漏源电压（直流）VGS-栅源电压（直流）VGSF-正向栅源电压（直流）VGSR-反向栅源电压（直流）VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)-开启电压或阀电压25V（BR）DSS-漏源击穿电压V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)-漏源

45、通态电压VDS(sat)-漏源饱和电压VGD-栅漏电压（直流）Vsu-源衬底电压（直流）VDu-漏衬底电压（直流）VGu-栅衬底电压（直流）Zo-驱动源内阻-漏极效率（射频功率管）Vn-噪声电压aID-漏极电流温度系数ards-漏源电阻温度系数OC(Open Drain):集电极(漏极)开路输出,使用上拉电阻后可以适应不同的接口电平，并具有 “线与”的功能（即两个输出端直接相连就可以实现“and”逻辑)上拉下拉:即将输出节点通过电阻连接到电源（上拉）或拉）。OC 输出器件必须使用上拉阻以输出，此外为了加大输出引脚的驱动能力也常使用上拉电阻（典型的如单片机。阻值的选择原则包括:从节约功耗及的灌电

46、流能力考虑应当足够大；从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑以上点,通常在 1 点,通常在 1k 到 10k 之间选取。对下拉电阻也有类似道理。rail-to-rail:即“轨到轨”，指输出(或输入)电压范围与电源电压相等或近似相等，在低电压和单源系统中很有用。比如 rail-to-rail 运放，它的输出电压 Vo 的范围几乎等于运放供电电压，而输入在整个供电电压范围内几乎都能保证输出的线性度，这样比普通运放具有更大的动态范围。普通运放在供电电压每一端有 23V 的端边占用电压。TBD(To Be Determined):未定参数,常见于 P

47、review 版 datasheet，通常意味着还没有正式。EMI(ElecreoMagnetic EMC(ElectroMagnetic EMS(ElectroMagneticerfere): 电磁干扰 compatibility): 电磁兼容性 Susceptibility): 电磁敏感度SRAM: DRAM:指静态 RAM， S = SIC, SRAM 的速度最高，功耗最小, 价最高指动态 RAM,D = dynamic，动态要有刷新电路26SDRAM: 是动态 RAM 的一种，S=Synchronous,可以提高速度.指其接口及原理为同步工作,NC(No Connection): 悬空

48、管脚(emptypin)晶体管专业术语TFT: 薄膜晶体管显示类型 LED: 发光二极管N-FET: 硅N沟道场效应管 ET：硅P沟道场效应管Ge_NFET: 锗N沟道场效应管 Ge-NFET: 锗P沟道场效应管GaAs: 砷化镓结型N沟道场效应管 JFET：结型场效应管FET：场效应管SB：势垒栅场效应管MES：金属半导体场效应管 HEMT：高电子迁移率晶体管SENSE FET：电流敏感功率MOS场效应管 FRED FET：场效应晶体管半导体 SIT：静电感应晶体管：绝缘栅双极晶体管 AlGaAs: 铝镓砷MOSFET: 金属氧化特半导体场效应管，耗尽型MOS-FET-e: 金属氧化特半导体

49、场效应管，增强型电 流 电流常用 I 表电荷的定向移动叫做电路中，示。电流分直流和交流两种。电流的大小和方向不随时间变化的叫做直流。电流的大小和方向随时间变化的叫做交流。电流的是安（A），也常用毫安（mA)或者微安(uA)做。1A=1000mA,1mA=1000uA。电流可以用电流表测量。测量的时候，把电流表串联在电路中，要选择电流表指针接近满偏转的量程。这样可以防止电流过大而损坏电流表。电 压 河水之所以能够，是因为有水位差；电荷之所以能够，是因为有电位差。电位差也就是电压。电压是形成电流的原因。在电路中，电压常用 U 表示。电压的是伏27（V），也常用毫伏（mV）或者微伏（uV）做压表测量

50、。测量的时候，把电压表并联在电。1V=1000mV，1mV=1000uV。电压可以用电，要选择电压表指针接近满偏转的量程。如果电的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。电 阻 电路中对电流通过有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫做电阻。电阻常用 R 表示。电阻的是欧（），也常用千欧（k）或者兆欧（M）做。1k=1000,1M=1000000。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定 r=*l/s。电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。指针接近偏转一半的欧姆档。如果欧姆定律 导体中的电

51、流I 和导体两端的电压U 成正比，和导体的电阻 R 成反比，即 I=U/R这个规律叫做欧姆定律。如果知道电压、电流、电阻三个量中的两个，就可以根据欧姆定律求出第三个量，即 I=U/R，RUI，UIR 。在交流电路中，欧姆定律同样成立，但电阻 R 应该改成阻抗 Z，即 IUZ电 源 把其他形式的能转换成电能的装置叫做电源。发电机能把机械能转换成电能，干电把化学能转换成电能。发电机、干电池等叫做电源。通过变压器和整流器，把交流电变成直流电的装置叫做整流电源。能提供信号的电子设备叫做信号源。晶体三极管能把前面送来的信号加以放大，又把放大了的信号传送到后面的电路中去。晶体三极管对后面的电路来说，也可以

52、看做是信号源。整流电源、信号源有时也叫做电源。负 载 把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。电能把电能转换成机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。电 路 电流流过的路叫做电路。最简单的电路由电源、负载和导线、开关等元件组成。电路处处连通叫做通路。只有通路，电路中才有电流通过。电路某一处断开叫做断路或者开路。电路某一部分的两端直接接通，使这部分的电压变成零，叫做短路。电动势 电动势是反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量。电动势使电源两端产生电压。

53、在电路中，电动势常用 表示。电动势的和电压的相同，也是伏。电源的电动势可以用电压表测量。测量的时候，电源不要接到电路中去，用电压表测量电源两端的电压，所得的电压值就可以看作等于电源的电动势。如果电源接在电路中，用电压表测得的电源两端的电压就会小于电源的电动势。这是因为电源有内电阻。在闭合的电路中，电流通过内电阻 r 有内电压降，通过外电阻 R 有外电压降。电源的电动势 等于内电压 Ur和外电压 UR 之和，即 =Ur+UR 。严格来说，即使电源不接入电路，用电压表测量电源两端电压，电压表成了外电路，测得的电压也小于电动势。但是，由于电压表的内电阻很大，电源的内电阻很小，内电压可以忽略。因此，电

54、压表测得的电源两端的电压是可以看作等于电源电动势的。干电池用旧了，用电压测量电池两端的电压，有时候依然比较高，但是接入电路后却不能使负载（收音机、机等）正常工作。这种情况是因为电池的内电阻变大了，甚至比负28载的电阻还大，但是依然比电压表的内电阻小。用电压表测量电池两端电压的时候，电池内电阻分得的内电压还不大，所以电压表测得的电压依然比较高。但是电池接入电路后，电池内电阻分得的内电压增大，负载电阻分得的电压就减小，因此不能使负载正常工作。为了判断旧电不能用，应该在有负载的时候测量电池两端的电压。有些性能较差的稳压电源，有负载和没有负载两种情况下测得的电源两端的电压相差较大，也是因为电源的内电阻

55、较大造成的。周 期 交流电完成一次完整的变化所需要的时间叫做周期，常用 T 表示。周期的是秒（s）,也常用毫秒（ms）或微秒（us）做。1s=1000ms，1s=1000000us。频 率 交流电在 1s 内完成周期性变化的次数叫做频率，常用f 表示。频率的是赫（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做是周期 T 的倒数，即 f =1T。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。交流电频率 f电 容 电容是衡量导体电荷能力的物理量。在两个相互绝缘的导体上，加上一定的电压，它们就会一定的电量。其中一个导体着正电荷，另一个导体着大小相等的负电荷。加上的电压越大，的电量就越多。的电

56、量和加上的电压是成正比的，它们的比值叫做电容。如果电压用U表示，电量用Q表示，电容用C表示，那么CQU 。电容的是法（F），也常用微法（uF）或者微微法（ ）做。1F=106uF，1F=1012。电容可以用电容测试仪测量，也可以用万用欧姆档粗略估测。欧姆表两表笔分别碰接电容的两脚，欧姆表内的电池就会给电容充电，指针偏转，充电完了，指针回零。调换红、黑两表笔，电容放电后又会反向充电。电容越大，指针偏转也越大。对比被测电容和已知电容的偏转情况，就可以粗略估计被测电容的量值。在一般的电子电路中，除了调谐回路等需要容量较准确的电容以外，用得最多的隔直、旁路电容、滤波电容等，都不需要容量准确的电容。因此

57、，用欧姆档粗略估测电容量值是有实际意义的。但是，普通万用估测量值较大的电容，量值较小的电容就要用中值电阻很大的晶体管万用测，小于几十个微微法的电容就只好用电容测试仪测量了。欧姆档只能欧姆档来估容 抗 交流电是能够通过电容的，但是电容对交流电仍然有阻碍作用。电容对交流电的阻碍作用叫做容抗。电容量大，交流电容易通过电容，说明电容量大，电容的阻碍作用小；交流电的频率高，交流电也容易通过电容，说明频率高，电容的阻碍作用也小。实验证明，容抗和电容成反比，和频率也成反比。如果容抗用 XC 表示，电容用 C 表示，频率用 f 表示，那么 XC1(2fC) 。容抗的把容抗计算出来。是欧。知道了交流电的频率 f

58、 和电容 C，就可以用上式电 感 电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。如果通过线圈的磁通量用 表示，电流用 I 表示，电感用 L 表示，那么 L I 。电感的是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做。1H=1000mH，1H=1000000uH。感 抗 交流电也可以通过线圈，但是线圈的电感对交流电有阻碍作用，这个阻碍叫做感抗。电感量大，交流电难以通过线圈，说明电感量大，电感的阻碍作用

59、大；交流电的频率高，交29流电也难以通过线圈，说明频率高，电感的阻碍作用也大。实验证明，感抗和电感成正比，和频率也成正比。如果感抗用 XL 表示，电感用 L 表示，频率用 f 表示，那么 XL 2fL 。感抗的是欧。知道了交流电的频率 f 和线圈的电感 L，就可以用上式把感抗计算出来。阻 抗 具有电阻、电感和电容的电路里，对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗常用 Z表示。阻抗由电阻、感抗和容抗三者组成，但不是三者简单相加。如果三者是串联的，又知道交流电的频率 f、电阻 R、电感L 和电容 C，那么串联电路的阻抗阻抗的是欧。对于一个具体电路，阻抗不是不变的，而是随着频率变化而变化。在电阻、电感和

60、电容串联电路中，电路的阻抗一般来说比电阻大。也就是阻抗减小到最小值。在电感和电容并联电路中，谐振的时候阻抗增加到最大值，这和串联电路相反。相 位 相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量。交流电的大小和方向是随时间变化的。比如正弦交流电流，它的公式是 i=Isin2ft。i 是交流电流的瞬时值，I 是交流电流的最大值，f 是交流电的频率，t 是时间。随着时间的推移，交流电流可以从零变到最大值，从最大值变到零，又从零变到负的最大值，从负的最大值变到零，如图 3 甲所示。在三角函数中 2ft 相当于角度，它反映了交流电任何时刻所处的状态，是在增大还是在减小，是正的还是负的等等。因此把 2ft 叫做相