后清洗生产培训

1、后清洗生产培训第1页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rena结构Rena生产原理Inoxside界面操作与等离子刻蚀比较第2页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rena水平刻蚀清洗机11.冷水机； 5.上料台；2.上位机； 6.rena柱式指示灯及其急停开关;3.抽风管及其调节阀； 7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关;1532674第3页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二4Rena各部件功能介绍-11.冷水机: 给冷却器提供冷却水.2.上位机:向PLC输入运行参数,监控其运行.3.抽风管及其调节阀:排设备内废气,调节,

2、监视抽风负压.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关:柱式指示灯显示集中供液运行状态,急停开关用于应急停止集中供液设备.5.上料台:用于设备供料放硅片.6. rena柱式指示灯及其急停开关:柱式指示灯显示rena运行状态,急停开关用于应急停止rena设备.7.前玻璃窗:监视设备内硅片运行情况,保护设备内气体流动,隔绝设备尾气.第4页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rena水平刻蚀清洗机28.电柜； 12.排放管道；9.后玻璃盖板； 13.自动补液槽；10.下料台； 14.集中供液管路 ； 11.供气，供水管道； 15.传送滚轴.89101112131415第5页，共26页，2

3、022年，5月20日，8点11分，星期二6Rena各部件功能介绍-28.电柜:放置安装设备总电源开关,各断路开关,电脑机箱以及PLC(设备总控制器).9.后玻璃盖板:监视设备各部件运行情况,保护设备内气体流动,隔绝设备尾气.10.下料台:用于刻蚀后硅片卸片(插片).11.供气,供水管道:供应设备正常运转使用的压缩空气,纯水,自来水以及冷却水.12.排放管道:用于排去设备废水.13.自动补液槽:用于储存设备自动运行时补偿的化学品.14.集中供液管路:用于集中供液向自动补液槽添加化学品以及rena的首次加液.15.传动滚轴:用于rena设备内传送硅片.第6页，共26页，2022年，5月20日，8点

4、11分，星期二Rena水平刻蚀清洗机各槽分布图1.Etch bath； 5.Hf bath；2.Rinse 1； 6.rinse 3（DI-Water spray）；3.Alkaline rinse； 7.dryer 2。4.Rinse 2；1234567第7页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rena各槽功能介绍 1.上料台放片 2.刻蚀槽刻边 3.洗槽去残液 6.HF槽去磷硅玻璃 5.洗槽去残液 4.KOH喷淋去多孔硅 7.洗槽去残液 8.风刀吹干 9.下料台插片第8页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rena各槽功能介绍槽名主要功能实现情况Etch

5、-bath刻蚀硅片边缘及背面的PN结，刻蚀线不超过硅片边缘1.5mm，无刻不通现象。此槽需循环流量，刻蚀液温度，气体流动稳定。刻蚀速率下降越慢越好。风刀吹去硅片上面的刻蚀槽残液。良好Rinse 1循环喷淋水洗去刻蚀后吸附在硅片上的刻蚀液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH喷淋去除硅片表面的多孔硅及其杂质，去除扩散形成的染色.并风刀吹去积在硅片上面的KOH残液。KOH溶液依靠冷却水降温保持在20左右。良好Rinse 2循环喷淋水洗去去多孔硅后吸附在硅片上的碱液，并风刀吹去积在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循环冲刷喷淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并风刀吹去

6、积在硅片上的HF残液良好Rinse 3循环喷淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并纯水喷雾洗去循环水残液。良好Dryer 22道来回拉动的风刀吹去硅片两面吸附的纯水，不能有液体残留在硅片上。一般第9页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二一、刻蚀槽刻蚀槽生产多晶156硅片图片第10页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二刻蚀槽溶液流向图刻蚀反应为氧化，放热反应.流回储液槽，溶液温度较高储液槽泵液至冷却器冷却器泵液至刻蚀槽内槽刻蚀槽内槽温度较低液面与硅片吸附反应后流入外槽内槽槽壁可调节高度，刻蚀槽液不断循环降温，且循环流量（一定范围内）越大，液面越高泵第1

7、1页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理此为生产mono125-150硅片时图片硅片完全悬空硅片尾部吸附刻蚀液第12页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理此为生产mono125-150硅片时图片2052934橡胶圈较小2051141橡胶圈正常刻蚀液完全吸附第13页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二刻蚀槽前后硅片状态比较此为生产mono125-150硅片时图片硅片刚进入刻蚀槽硅片刻蚀后，边缘水印为反应生成的水第14页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二刻蚀槽影响刻蚀效

8、果的因素一、抽风:抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响；二、传动速度:传动速度决定硅片通过刻蚀槽的时间，也就是决定硅片刻蚀的反应时间；三、滚轴和内槽槽边高度（水平）:滚轴高度决定硅片通过刻蚀槽时的高度，而内槽槽边高度（水平）决定刻蚀槽液面的大致高度，两者的高度差距只有在合理范围内，硅片才能吸附到刻蚀液；四、滚轴水平：滚轴水平，5道轨道内运行的硅片才能与刻蚀液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蚀液才均匀，也即刻蚀均匀，无过刻或刻不通现象；五、硅片覆盖率：硅片覆盖率也就是硅片之间的间距，它决定硅片间液面形状。刻蚀槽是通过液体的张力将

9、刻蚀液吸附于硅片上，但硅片间间隙过小，液体就会浸漫到硅片上面，破坏扩散面。同时，过高的覆盖率还会使刻蚀槽液面升高。第15页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rinse 1一号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为rinse 2溢流水）。上水刀下水刀风刀第16页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二17Alkaline rinse上水刀上水刀风刀第17页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二碱槽溶液流向图（槽截面）泵过滤器硅片运行平面碱液流动方向冷却水流动方向槽壁喷淋头槽内液面高于溢流口的溶液从溢流管排掉

10、F第18页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Rinse 2二号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为rinse 3溢流水） 。上水刀下水刀风刀第19页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二HF bath氢氟酸槽采用5%HF溶液喷淋浸泡，上下各四道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液氢氟酸循环喷淋使反应充分HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里第20页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二氢氟酸槽溶液流向图（槽截面）过滤器泵硅片运行平面氢氟酸液流动方向内槽液面外槽液面F喷淋头第21页，共26页，

11、2022年，5月20日，8点11分，星期二Rinse 3三号洗槽采用循环水喷淋（水源为纯水喷雾落进槽内水） ，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，上下各一道纯水喷雾器清洗硅片两面（流量400lh）循环水冲洗DI-Water喷雾器最后冲洗，水落进槽底，重复利用。第22页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二Dryer 2二号干燥槽采用压缩空气吹干，上下各两道风刀使用马达带动来回拉动，吹干硅片。吹干风刀第23页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所产生的P形硅电势不强）；2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）；3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大） 。第24页，共26页，2022年，5月20日，8点11分，星期二湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点1、硅